【汽车级PD-96302特点P沟道低导通电阻动态的dv / dt额定值175 ° C工作温度快速开关全】,IC型号AUIRFR6215TRL,AUIRFR6215TRL PDF资料,AUIRFR6215TRL经销商,ic,电子元器件-51电子网

汽车级

PD-96302

特点

P沟道

低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

重复性雪崩中允许多达TJMAX

无铅，符合RoHS

汽车合格*

D

AUIRFR6215

HEXFET功率MOSFET

V

（ BR ） DSS

R

DS （ ON）

马克斯。

S

-150V

0.295

:

-13A

G

I

D

描述

专为汽车应用

HEXFET功率MOSFET的采用了最新的处理

技术，以实现低的导通电阻每硅片面积。

这样做的好处结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET

是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在汽车和一个用

各种各样的其它应用程序。

G

D- PAK

AUIRFR6215

D

S

G

D

S

门

漏

来源

绝对最大额定值

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是

只强调额定功率;和

该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的

规格不implied.Exposure

绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件

可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。

环境温度（T

A

）是25℃ ，除非另有说明。

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量（热有限公司）

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复

工作结

存储温度范围

焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）

马克斯。

-13

-9.0

-44

110

0.71

± 20

310

-6.6

11

5.0

-55 + 175

300

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

ch

dh

e

ch

热阻

参数

R

θJC

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

R

θJA

R

θJA

结到环境

是国际整流器公司的注册商标。

HEXFET

*资质

标准可以在http://www.irf.com/找到

hj

典型值。

马克斯。

1.4

50

110

单位

° C / W

i

–––

www.irf.com

1

04/13/10

AUIRFR6215

静态电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

-150

–––

-2.0

3.6

–––

-0.20

–––

0.295

0.58

-4.0

–––

-25

-250

100

-100

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

V

GS

= -10V ，我

D

= -6.6A

V

GS

= -10V ，我

D

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

V

S

A

nA

J

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

V

DS

= -50V ，我

D

= -6.6A

V

DS

= -150V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

f

= -6.6A

f

T = 150℃

h

V

DS

= -120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

动态电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

14

36

53

37

4.5

7.5

860

220

130

66

8.1

35

–––

pF

nH

ns

nC

I

D

= -6.6A

V

DS

=-120V

条件

V

GS

= -10V ，参见图6和13

V

DD

= -75V

I

D

= -6.6A

R

G

= 6.8

R

D

= 12Ω ，见图。 10

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= -25V

= 1.0MHz的，参见图5

G

fh

D

S

h

D

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

160

1.2

-13

A

-44

-1.6

240

1.7

V

ns

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

h

nC

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -6.6A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

=-6.6A

的di / dt = 100A / μs的

f

fh

笔记

通过

在第10页

2

www.irf.com

AUIRFR6215

QUALI科幻阳离子信息

汽车

（每AEC- Q101 ）

资质等级

点评：这部分号码通过汽车

资格。

IR的工业和消费

资质等级给予延长

较高的汽车级别。

PAK

机器型号

人体模型

带电器件模型

MSL1

一流的M4

AEC-Q101-002

类H3A

AEC-Q101-001

C5类

AEC-Q101-005

是的

湿度敏感度等级

ESD

符合RoHS

??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /

????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。

www.irf.com

3

AUIRFR6215

100

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

100

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 8.0V

- 7.0V

- 6.0V

- 5.5V

- 5.0V

BOTTOM - 4.5V

顶部

10

-4.5V

20μs的脉冲宽度

T

C

= 175°C

1

10

-4.5V

1

10

20μs的脉冲宽度

TC = 25°C

A

100

1

100

A

-V ，漏极至源极电压（ V）

DS

-V ，漏极至源极电压（ V）

DS

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

100

2.5

I

D

= -11A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

10

1.5

1.0

0.5

1

4

5

6

7

V

DS

= -50V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

V

GS

= -10V

80 100 120 140 160 180

A

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

4

www.irf.com

AUIRFR6215

2000

1600

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= -6.6A

16

V

DS

= -120V

V

DS

= -75V

V

DS

= -30V

C，电容（pF ）

C

国际空间站

1200

12

C

OSS

800

8

C

RSS

400

4

0

1

10

100

A

0

20

40

测试电路

见图13

60

80

A

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10s

10

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

-I

D

，漏电流（ A）

10

100s

1

1ms

0.1

0.2

0.6

1.0

1.4

V

GS

= 0V

A

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

单脉冲

10

100

10ms

1.8

1000

A

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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