汽车级
PD -
97681
AUIRFR4620
特点
●
●
●
●
●
●
●
●
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
D
200V
64m
:
78m
:
24A
描述
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作，快速切换
速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使该设计的一个非常有效和可靠
装置，用于在汽车应用中使用和各种其它的
应用程序。
S
G
D- PAK
AUIRFR4620
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
马克斯。
24
17
100
144
0.96
± 20
113
参见图。 14，15， 22A，22B，
54
-55 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
c
c
d
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
e
c
°C
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
马克斯。
1.045
50
110
单位
° C / W
i
–––
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
06/10/11
AUIRFR4620
静电@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
R
G（ INT ）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
内部栅极电阻
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
200
–––
–––
3.0
37
–––
条件
–––
–––
–––
–––
–––
0.23
64
–––
–––
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 5毫安
78
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
5.0
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
–––
s V
DS
= 50V ，我
D
= 15A
–––
Ω
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
20
μA
250
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
f
动态电@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
25
8.2
7.9
17
13.4
22.4
25.4
14.8
1710
125
30
113
317
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
条件
g
h
I
D
= 15A
V
DS
= 100V
nC
V
GS
= 10V
I
D
= 15A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 130V
I
D
= 15A
ns
R
G
= 7.3Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
pF的 = 1.0MHz的（参见图5 ）
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V （参见图11 ）
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
f
f
h
g
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
24
A
100
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
––– –––
1.3
V
–––
78
–––
ns
–––
99
–––
––– 294 –––
nC
T
J
= 125°C
––– 432 –––
–––
7.6
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
V
R
= 100V,
T
J
= 125°C
I
F
= 15A
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
f
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 1.0mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 15A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
15A ， di / dt的
≤
634A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
www.irf.com
AUIRFR4620
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格被授予了
延长汽车更高水平。
D- PAK
MSL1
M3类（ +/- 400V ）
AEC-Q101-002
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
一流的H1B （ +/- 1000V ）
AEC-Q101-001
C5级（ +/- 2000V ）
AEC-Q101-005
是的
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
??????最高路过电压。
www.irf.com
3
AUIRFR4620
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
10
底部
10
5.0V
1
5.0V
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
ID = 15A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
TJ = 175℃
T J = 25°C
10
1
VDS = 50V
≤60μs
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
12
14
16
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 15A
10000
C，电容（pF ）
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
1000
西塞
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
www.irf.com
AUIRFR4620
100
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
100μsec
1msec
T J = 175℃
10
T J = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
10
10msec
DC
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
VGS = 0V
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
30
25
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
260
ID = 5毫安
250
240
230
220
210
200
190
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
500
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
2.5
2.0
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
ID
顶部
2.05A
2.94A
BOTTOM 15A
能量（ μJ ）
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
0
50
100
150
200
125
150
175
图11 。
典型的C
OSS
储能
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
