汽车级
PD -
96398A
特点
l
先进的工艺技术
l
低导通电阻
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
重复性雪崩中允许多达TJMAX
l
无铅，符合RoHS
l
汽车合格*
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计在一个非常有效和可靠的装置，用于使用
汽车应用和各种其他应用程序。
AUIRFR4615
AUIRFU4615
D
HEXFET
功率MOSFET
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
D
D
150V
34m
:
42m
:
33A
S
G
G
D
S
DPAK
AUIRFR4615
G
D
IPAK
AUIRFU4615
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
在绝对最大额定值长时间条件下可能影响器件的可靠性。
热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境
温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
马克斯。
33
24
140
144
0.96
± 20
109
参见图。 14，15， 22A，22B，
38
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
c
c
d
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
e
c
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
马克斯。
1.045
50
110
单位
° C / W
i
–––
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
10/04/11
AUIRFR/U4615
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
R
G（ INT ）
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
150
–––
–––
3.0
35
–––
–––
–––
–––
–––
条件
–––
0.19
34
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.7
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 5毫安
42
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 21A
5.0
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
–––
s V
DS
= 50V ，我
D
= 21A
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
20
μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
250
V
GS
= 20V
100
nA
V
GS
= -20V
-100
f
–––
Ω
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
26
8.6
9.0
17
15
35
25
20
1750
155
40
179
382
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
条件
I
D
= 21A
V
DS
= 75V
nC
V
GS
= 10V
I
D
= 21A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 98V
I
D
= 21A
ns
R
G
= 7.3Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
（参见图5）
pF的 = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至120V （参见图11 ）
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至120V
f
f
h
g
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
33
A
140
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
S
p-n结二极管。
––– –––
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 21A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
V
R
= 100V,
–––
70
–––
ns
T
J
= 125°C
I
F
= 21A
–––
83
–––
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
––– 177 –––
nC
T
J
= 125°C
––– 247 –––
–––
4.9
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.51mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 21A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
21A ， di / dt的
≤
549A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用程序
注意＃ AN- 994
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
www.irf.com
AUIRFR/U4615
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展越高汽车的水平。
PAK
I- PAK
MSL1
不适用
M3类（ +/- 400V ）
AEC-Q101-002
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
一流的H1B （ +/- 1000V ）
AEC-Q101-001
C5级（ +/- 2000V ）
AEC-Q101-005
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
最高电压合格
www.irf.com
3
AUIRFR/U4615
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
10
底部
10
5.0V
1
1
5.0V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
3.0
ID = 21A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
2.5
TJ = 175℃
TJ = 25°C
2.0
10
1.5
1
VDS = 50V
≤60μs
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
12
14
16
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 21A
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
10000
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
100
10
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
www.irf.com
AUIRFR/U4615
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
100μsec
1msec
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = 175℃
10
T J = 25°C
10
10msec
DC
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
VGS = 0V
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图8 。
最大安全工作区
190
185
180
175
170
165
160
155
150
145
140
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
ID = 5毫安
ID ，漏电流（ A）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.0
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图10 。
漏极至源极击穿电压
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
ID
顶部
2.8A
5.3A
BOTTOM 21A
2.5
2.0
能量（ μJ ）
1.5
1.0
0.5
0.0
-20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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5
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