汽车级
PD - 97792
特点
●
●
●
●
●
●
●
AUIRFR4292
AUIRFU4292
HEXFET
功率MOSFET
D
G
S
先进的工艺技术
低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
250V
275m
345m
9.3A
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎，使这个设计的一个非常有效的
而在汽车应用使用可靠的设备
tions和各种各样的其它应用。
D
S
G
S
D
G
D- PAK
AUIRFR4292
I- PAK
AUIRFU4292
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
9.3
6.6
40
100
0.67
± 20
130
97
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
g
工作结
h
d
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
300
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.5
50
110
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
i
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
06/18/12
AUIRFR/U4292
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
250
–––
–––
3.0
6.2
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.31
275
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
–––
–––
345
5.0
–––
20
250
100
-100
V
V /°C的
m
V
V
μA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50μA
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.6A
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
13
4.7
4.8
11
15
16
8.4
4.5
7.5
705
71
20
600
26
65
MAX 。单位
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 5.6A
V
DS
= 125V
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 5.6A
R
G
= 15
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 200V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至200V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
110
390
MAX 。单位
9.3
A
40
1.3
165
585
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.6A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.6A ，V
DD
= 125V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
Intrins IC导通时间是可以忽略不计（导通为d
ominatedby LS + LD ）
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 8.1mH
R
G
= 50, I
AS
= 5.6A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
脉冲宽度
1.0ms的;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，使该
同样的充电时间为C
OSS
而V
DS
正在崛起
从0到80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15， 16，用于
典型的重复雪崩性能。
这个值是由样本确定故障
人口，
起始物为
J
= 25 ° C，L = 8.1mH ，
R
G
= 50, I
AS
= 5.6A ，V
GS
=10V.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
测定在T
J
大约90℃。
2
www.irf.com
AUIRFR/U4292
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费水平的资格
被授予延长汽车更高层次。
D- PAK
I- PAK
MSL1
不适用
类M1B （ +/- 100V ）
AEC-Q101-002
ESD
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
类H1A （ +/- 500V ）
AEC-Q101-001
C5级（ +/- 2000V ）
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????最高路过电压。
www.irf.com
3
AUIRFR/U4292
100000
10000
C，电容（pF ）
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
14.0
ID = 5.6A
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 200V
VDS = 125V
VDS = 50V
1000
西塞
科斯
100
CRSS
10
1
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域
限于由R （上）
DS
100μsec
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1msec
10
10msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
DC
T J = 175℃
10
T J = 25°C
VGS = 0V
1.0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
