PD - 97492
AUIRFR3504Z
汽车级
特点
l
l
l
l
l
l
l
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
40V
9.0m
77A
42A
G
S
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作
TURE ，开关速度快，提高了重复
雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计的一个非常有效和可靠的设备
在汽车应用中使用，各种
的其他应用程序。
D
G
S
D- PAK
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
I
DM
马克斯。
77
54
42
310
90
0.60
± 20
77
110
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
h
d
g
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
300
10磅的（ 1.1N M）
y
y
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.66
40
110
单位
° C / W
i
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
04/12/2010
AUIRFR3504Z
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
32
–––
–––
–––
–––
–––
0.032
8.23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
4.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 42A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
s V
DS
= 10V ，我
D
= 42A
μA V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
30
9.6
12
15
74
30
38
4.5
7.5
1510
340
190
1100
340
460
45
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 42A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
R
G
= 15
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
9.2
42
A
310
1.3
27
14
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 42A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 42A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.09mH ，
R
G
= 25, I
AS
= 42A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同
充电时间为C
OSS
而V
DS
从0上升到
80% V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.09mH ，R
G
= 25, I
AS
= 42A ，V
GS
=10V.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
处测得的TJ约90℃。
2
www.irf.com
AUIRFR3504Z
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费水平的资格
被授予延长汽车更高层次。
D- PAK
一流的M4
AEC-Q101-002
类H1C
AEC-Q101-001
C5类
AEC-Q101-005
是的
MSL1
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRFR3504Z
2500
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
2000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = 42A
VDS = 32V
VDS = 20V
VDS = 8.0V
16
C，电容（pF ）
西塞
1500
12
1000
8
500
科斯
CRSS
4
测试电路
见图13
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
T J = 175℃
10.0
T J = 25°C
1.0
VGS = 0V
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
VSD ，源toDrain电压（ V）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
10msec
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
ANCE
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
