PD - 97598
汽车级
HEXFET
功率MOSFET
D
AUIRFB4410
100V
8.0m
10m
88A
75A
特点
●
●
●
●
●
●
●
●
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达
TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作，快速切换
速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使该设计的一个非常有效和可靠
装置，用于在汽车应用中使用和各种其它的
应用程序。
S
D
G
TO-220AB
AUIRFB4410
G
门
D
漏
S
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
88
63
75
380
200
1.3
± 20
19
-55 + 175
300
10磅在（ 1.1N M）
220
参见图。 14，15， 16a和16b的
单位
A
d
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
f
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
x
x
e
g
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
j
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.61
–––
62
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/23/2010
AUIRFB4410
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
R
G
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
门输入电阻
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
120
–––
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.094 –––
8.0
10
–––
4.0
––– –––
1.5
–––
–––
20
––– 250
––– 200
––– -200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 58A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 150A
s V
DS
= 50V ，我
D
= 58A
F = 1MHz时，漏极开路
μA V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
d
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
120
31
44
24
80
55
50
5150
360
190
420
500
180
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 58A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 65V
I
D
= 58A
R
G
= 4.1
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
ns
g
g
pF
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
h
i
，参见图11
h
，参照图五
D
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
88
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
A
A
d
380
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
––– –––
1.3
V
–––
38
56
ns
–––
51
77
–––
61
92
nC
T
J
= 125°C
––– 110 170
–––
2.8
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 58A ，V
GS
= 0V
V
R
= 85V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 58A
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
g
g
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
温度。套餐限制电流为75A 。
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
温度。
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.14mH
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
R
G
= 25, I
AS
= 58A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
58A ， di / dt的
≤
650A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
AUIRFB4410
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展更高的汽车
的水平。
TO-220AB
不适用
M4级（ 425V ）
AEC-Q101-002
类H1C （ 2000V ）
AEC-Q101-001
带电器件模型
C5级（ 1125V ）
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
ESD
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRFB4410
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
4.5V
1
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
0.1
1
TJ = 25°C
10
1
100
1000
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
3.0
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.5
ID = 58A
VGS = 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12.0
ID = 58A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
10000
西塞
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
1000
科斯
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
www.irf.com
AUIRFB4410
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
1msec
100
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
T J = 25°C
10msec
10
DC
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
0
1
10
100
1000
VGS = 0V
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图8 。
最大安全工作区
130
100
不限按包
75
125
ID ，漏电流（ A）
120
50
115
110
25
105
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
2.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
900
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1.5
ID
顶部
6.7A
9.7A
BOTTOM 58A
能量（ μJ ）
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
www.irf.com
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
5
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