【汽车级PD- 96423AAUIRF7478Q特点lllllllllHEXFET功率MOSFETSS】,IC型号AUIRF7478Q,AUIRF7478Q PDF资料,AUIRF7478Q经销商,ic,电子元器件-51电子网

汽车级

PD- 96423A

AUIRF7478Q

特点

l

HEXFET

功率MOSFET

S

G

1

2

3

4

8

7

高级平面技术

低导通电阻

动态的dv / dt额定值

150 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

重复性雪崩中允许多达TJMAX

无铅，符合RoHS

汽车合格*

A

D

V

（ BR ） DSS

R

DS （ ON）

典型值。

60V

20mΩ

6

5

最大。 26mΩ

I

D

7.0A

顶视图

描述

专为汽车应用，这

的HEXFET功率MOSFET的开发前景蜂窝设计

最新的加工技术，以实现低导通

每硅片面积的阻力。这样做的好处结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计

该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

用于汽车用途和各种装置的可靠性

的其他应用程序。

SO-8

G

D

S

门

漏

来源

绝对最大额定值

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些

只是应力额定值;并且该设备在这些或超出任何其它病症的功能操作指示

在规格上并不implied.Exposure绝对最大额定值条件下长时间可能会影响

器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值是根据董事会测量安装，仍然

空气状况。环境温度（T

A

）是25℃ ，除非另有说明。

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

60

7.0

5.6

56

2.5

0.02

± 20

140

4.2

3.7

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

V

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

V / ns的

°C

f

d

h

热阻

参数

R

θJL

R

θJA

结到漏极引线

结到环境

马克斯。

20

50

单位

° C / W

f

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

*资质

标准可以在http://www.irf.com/找到

www.irf.com

1

01/13/12

AUIRF7478Q

静态电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

分钟。典型值。马克斯。单位

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

ΔV

（ BR ） DSS

/ΔT

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

60

–––

1.0

17

–––

––– –––

0.065 –––

20

26

23

30

–––

3.0

––– –––

–––

20

––– 100

––– -100

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 4.2A

mΩ

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 3.5A

V V

DS

= V

GS

, I

D

= 250μA

s V

DS

= 50V ，我

D

= 4.2A

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V

μA

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

nA

V

GS

= -20V

e

动态电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

分钟。典型值。马克斯。单位

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

–––

21

4.3

9.6

7.7

2.6

44

13

1740

300

37

1590

220

410

31

–––

nC

条件

ns

pF

I

D

= 4.2A

V

DS

= 48V

V

GS

= 4.5V

V

DD

= 30V

I

D

= 4.2A

R

G

= 6.2Ω

V

GS

= 10V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， F = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 48V ， F = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至48V

e

g

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

52

100

2.3

A

56

1.3

78

150

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 4.2A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 4.2A

的di / dt = 100A / μs的

e

S

e

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

当安装在1英寸方形铜板

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

I

SD

≤

4.2A ， di / dt的

≤

160A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

R

G

= 25Ω, I

AS

= 4.2A.

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

起始物为

J

= 25℃时，L = 16mH

2

www.irf.com

AUIRF7478Q

QUALI科幻阳离子信息

汽车

（每AEC- Q101 ）

资质等级

点评：这部分号码通过汽车认证。 IR的

工业和消费水平的资格授予通过扩展的

较高的汽车级别。

SO-8

MSL1

M3类（ +/- 300V ）

（每AEC- Q101-002 ）

类H1C （ +/- 2000V ）

（每AEC- Q101-001 ）

C5级（ +/- 2000V ）

（每AEC- Q101-005 ）

是的

湿度敏感度等级

机器型号

人体模型

带电器件模型

符合RoHS

ESD

资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /

例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。

最高电压合格

www.irf.com

3

AUIRF7478Q

100

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

10

2.7V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

T J = 150℃

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 7.0A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

2.0

1.5

10

T J = 25°C

1.0

0.5

1

2.5

3.0

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

4

www.irf.com

AUIRF7478Q

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

10

I

D

=

4.2A

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

8

10000

V

DS

= 48V

V

DS

= 30V

V

DS

= 12V

C，电容（pF ）

西塞

1000

6

科斯

100

4

CRSS

2

10

1

10

100

0

10

20

30

40

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 150

°

C

100

10us

10

100us

1ms

1

10ms

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

2.2

0.1

T

A

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

www.irf.com

5