汽车MOSFET
PD - 96362A
AUIRF7341Q
HEXFET
功率MOSFET
8
7
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
高级平面技术
超低导通电阻
双N沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
175 ° C工作温度
汽车[ Q101 ]合格
无铅，
符合RoHS
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
D1
D1
D2
D2
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
55V
0.043Ω
6
5
最大。 0.050Ω
I
D
5.1A
顶视图
描述
专为汽车应用中，这些
HEXFET
功率MOSFET的一个双SO- 8封装应用
在最新的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这些附加特征
汽车合格HEXFET功率MOSFET的是175℃
结的工作温度，快速开关速度和
改进型重复雪崩额定值。这些优势结合起来
使这种设计非常有效和可靠的装置
在汽车应用中使用和各种其它的
应用程序。
高效率的SO -8封装提供了增强的热
特性和双MOSFET管芯的能力使其成为理想
在各种功率应用。这种双重，表面贴装
SO- 8可显着减少电路板空间，也可
在磁带&卷轴。
SO-8
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;并且该设备在这些或超出任何其它病症的功能操作显示在
规格不implied.Exposure绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
马克斯。
55
5.1
4.2
42
2.4
1.7
16
± 20
140
5.1
参见图。 16,17,14a ， 14B
-55 + 175
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
mJ
A
mJ
°C
e
e
c
d
热阻
R
θJA
结到环境
f
参数
马克斯。
62.5
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
08/22/11
AUIRF7341Q
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
条件
55
––– –––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
--- --- 0.052 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– 0.043 0.050
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.1A
Ω
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.42A
––– 0.056 0.065
1.0
–––
3.0
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
10.4 ––– –––
s V
DS
= 10V ，我
D
= 5.2A
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V
––– –––
2.0
μA
––– –––
25
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
––– ––– 100
nA
––– ––– -100
V
GS
= -20V
e
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
2.9
7.3
9.2
7.7
31
12.5
780
190
66
44
4.4
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
I
D
= 5.2A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 1.0A
R
G
= 6.0Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
条件
ns
e
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
51
76
2.4
A
42
1.2
77
114
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.6A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.6A
的di / dt = 100A / μs的
e
S
e
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 10.7mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 5.2A.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在FR- 4电路板，
t
≤
10sec.
2
www.irf.com
AUIRF7341Q
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。 IR的
工业和消费水平的资格授予通过扩展的
较高的汽车级别。
SO-8
MSL1
M2类（ +/- 200V ）
（每AEC- Q101-002 ）
类H1A （ +/- 500V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C5级（ +/- 1125V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
最高电压合格
www.irf.com
3
AUIRF7341Q
100
VGS
顶部
15.0V
10.0V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
2.7V
VGS
15.0V
10.0V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
2.7V
1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 5.2A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
T
J
= 175
°
C
10
1.5
1.0
0.5
1
2.0
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
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