PD - 97655A
汽车级
特点
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l
l
l
AUIRF7309Q
HEXFET
功率MOSFET
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
6
5
高级平面技术
低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
动态的dv / dt额定值
150 ° C工作温度
快速开关
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D1
D1
D2
D2
N沟道P沟道
V
（ BR ） DSS
I
D
30V
4.7A
-30V
-3.5A
R
DS （ ON）
马克斯。 0.05
Ω
0.10
Ω
P沟道MOSFET
顶视图
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率MOSFET的这种蜂窝设计
采用最新的加工技术，以实现
低导通电阻每硅片面积。这样做的好处的COM
软硬件就可以为开关速度快和坚固耐用
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在汽车的使用和
各种各样的其它应用。
SO-8
AUIRF7309Q
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只;并且该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。曝光
以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下进行测量。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
N沟道
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
10秒。漏电流脉冲，V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
4.7
4
3.2
16
马克斯。
P沟道
-3.5
-3.0
-2.4
-12
1.4
0.011
± 20
6.9
-55到+ 150
-6.0
单位
A
f
c
f
d
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
峰值二极管恢复的dv / dt
热阻
参数
R
θJA
结到环境（ PCB安装，稳态）
f
典型值。
–––
马克斯。
90
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
06/23/11
1
AUIRF7309Q
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
典型值。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
P沟道
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
正向跨导
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N-P
30
-30
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.0
-1.0
5.2
2.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.032
-0.037
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
马克斯。
–––
–––
–––
–––
0.050
0.080
0.10
0.16
3.0
-3.0
–––
–––
1.0
-1.0
25
-25
-100
100
单位
V
V /°C的
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V时，我
D
=-250μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.4A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.0A
V
GS
= -10V ，我
D
= 1.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= 1.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.4A
V
DS
= -24V ，我
D
= -1.8A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Ω
V
S
e
e
e
e
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
μA
nA
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
单位
条件
N沟道
I
D
= 2.6A ，V
DS
= 16V, V
GS
= 4.5V
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.8
11
21
17
22
25
7.7
18
4.0
6.0
25
25
2.9
2.9
7.9
9.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
nC
P沟道
I
D
= -2.2A ，V
DS
=-16V, V
GS
=-4.5V
N沟道
V
DD
= 10V ，我
D
= 2.6A
G
= 6.0Ω
R
D
= 3.8Ω
ns
P沟道
V
DD
= -10V ，我
D
= -2.2A
G
= 6.0Ω
R
D
= 4.5Ω
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
e
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
520
440
180
200
72
93
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -15V ， = 1.0MHz的
e
二极管的特性
参数
I
S
连续源电流
（体二极管）
N沟道
P沟道
（体
N沟道
P沟道
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
马克斯。
1.8
-1.8
16
-12
单位
条件
A
I
SM
脉冲源电流
二极管）
c
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
–––
–––
1.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.8A ，V
GS
= 0V
N沟道
–––
–––
-1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.8A ，V
GS
= 0V
P沟道
N沟道
–––
47
71
ns
N沟道
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
–––
53
80
P沟道
N沟道
–––
56
84
nC
P沟道
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.2A ，的di / dt = 100A / μs的
–––
66
99
P沟道
N-P
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
e
e
e
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。 （参见图23）
N沟道我
SD
≤
2.4A ， di / dt的
≤
73A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C.
P沟道我
SD
≤
-1.8A ， di / dt的
≤
90A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
当安装在1 ？方形板（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
AUIRF7309Q
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。 IR的
工业和消费水平的资格授予通过扩展的
较高的汽车级别。
SO-8
MSL1
N-CH ： M2类（ +/- 150V ）
P- CH ： M2类（ +/- 150V ）
AEC-Q101-002
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
ESD
带电器件
模型
N-CH ：类H1A （ +/- 500V ）
P- CH ：类H0 （ +/- 250V ）
AEC-Q101-001
N-CH ： C5级（ +/- 2000V ）
P- CH ： C5级（ +/- 2000V ）
AEC-Q101-005
是的
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
??????最高路过电压。
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
