汽车级
PD - 96326
特点
l
l
l
l
l
l
l
AUIRF540Z
AUIRF540ZS
HEXFET
功率MOSFET
V
（ BR ） DSS
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
100V
21m
36A
最大。 26.5mΩ
R
DS （ ON）
典型值。
G
S
I
D
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个175 ℃的
结的工作温度，快速开关速度和
改进型重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使这个设计非常高效，
为在汽车应用和各种用途可靠设备
各种其它应用。
TO-220AB
AUIRF540Z
G
D
2
PAK
AUIRF540ZS
D
S
绝对最大额定值
门
漏
来源
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
马克斯。
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
h
d
36
25
140
92
0.61
± 20
83
120
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
热阻
参数
i
y
y
典型值。
马克斯。
1.64
–––
62
40
单位
° C / W
R
θJC
结到外壳
R
θCS
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
R
θJA
结到环境
R
θJA
结到环境（印刷电路板安装）
是国际整流器公司的注册商标。
HEXFET
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
i
i
j
–––
0.50
–––
–––
www.irf.com
1
07/20/10
AUIRF540Z/S
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
36
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.093
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
42
9.7
15
15
51
43
39
4.5
7.5
1770
180
100
730
110
170
–––
–––
26.5
4.0
–––
20
250
200
-200
63
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 22A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
s V
DS
= 25V ，我
D
= 22A
μA V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
nC
I
D
= 22A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 22A
R
G
= 12
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
D
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
f
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
33
41
36
A
140
1.3
50
62
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 22A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 22A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
e
笔记
通过
12页
2
www.irf.com
AUIRF540Z/S
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
评论：
通过这部分号码
汽车的资格。 IR的工业和
消费类资质等级授予
延长汽车更高水平。
TO-220AB
PAK
2
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
不适用
MSL1
M4级（ 400V ）
（每AEC- Q101-002 ）
一流的H1B （ 1000V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C3级（ 750V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
ESD
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRF540Z/S
3000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = 22A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
2500
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
16
C，电容（pF ）
2000
西塞
12
1500
8
1000
500
4
测试电路
见图13
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
T J = 175℃
10.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
100sec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD ，源toDrain电压（ V）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
1msec
10msec
100
1000
0.1
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
