汽车级
PD - 97698A
AUIRF3808S
特点
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●
●
HEXFET
功率MOSFET
D
高级平面技术
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
75V
5.9m
7.0m
106A
G
S
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率这种条纹平面设计
MOSFET的采用了最新的处理技
niques实现每个硅低导通电阻
区。这样做的好处结合快速开关
荷兰国际集团的速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效的
而在汽车和使用可靠的设备
各种各样的其它应用程序。
S
G
D
D
2
PAK
AUIRF3808S
G
门
D
漏
S
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;并且该设备在这些或超出任何其它病症的功能操作显示在
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
参数
连续漏电流， VGS @ 10V
马克斯。
106
75
550
200
1.3
± 20
430
82
参见图。器12a，12b ，15，16
5.5
-55 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， VGS @ 10V
I
DM
漏电流脉冲
P
D
@T
C
= 25°C最大功率耗散
线性降额因子
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复
工作结
d
e
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
°C
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态）
j
参数
典型值。
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
i
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/29/11
AUIRF3808S
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
75
–––
–––
2.0
100
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.086 –––
5.9
7.0
–––
4.0
––– –––
–––
20
––– 250
––– 200
––– -200
V
V /°C的
m
V
S
μA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 82A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V ，我
D
= 82A
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
150
31
50
16
140
68
120
4.5
7.5
5310
890
130
6010
570
1140
220
47
76
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nC
I
D
= 82A
V
DS
= 60V
V
GS
= 10V
V
DD
= 38V
I
D
= 82A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
条件
f
f
D
G
S
ns
nH
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0兆赫，参照图五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
106
550
A
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 82A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 82A
的di / dt = 100A / μs的
D
d
––– –––
1.3
V
–––
93
140
ns
––– 340 510
nC
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
S
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.130mH
R
G
= 25, I
AS
= 82A 。 （参见图12）。
I
SD
82A ， di / dt的
310A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
,
T
J
175°C
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
测定在T
J
大约90℃。
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
2
www.irf.com
AUIRF3808S
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费水平的资格
被授予延长汽车更高层次。
D2Pak
MSL1
M4级（ +/- 800V ）
AEC-Q101-002
H2类（ +/- 4000V ）
AEC-Q101-001
C5级（ +/- 2000V ）
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
ESD
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
??????最高路过电压。
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
