PD - 97470
汽车级
特点
低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
AUIRF3710Z
AUIRF3710ZS
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 100V
R
DS （ ON）
= 18mΩ
G
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。其他为特色的
这种设计的Tures的是175 ° C的结工作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎，使这个设计的一个非常有效的
而在汽车应用使用可靠的设备
tions和各种各样的其它应用。
I
D
= 59A
TO-220AB
AUIRF3710Z
D
2
PAK
AUIRF3710ZS
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;
并且该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。曝光
以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散
评级下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
59
42
240
160
1.1
± 20
170
200
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
c
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
c
h
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
k
结到外壳
j
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.92
–––
40
单位
° C / W
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境（ PCB安装，稳态）
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
3/19/10
AUIRF3710Z/S
静态电气特性@ T
J
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
V
（ BR ） DSS
ΔΒV
DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
35
–––
–––
–––
–––
–––
0.10
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
4.0
–––
20
250
200
-200
V
V /°C的
mΩ
V
S
μA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V ，我
D
= 35A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ° C（除非另有说明）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
82
19
27
17
77
41
56
4.5
7.5
2900
290
150
1130
170
280
120
28
40
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nC
I
D
= 35A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 35A
R
G
= 6.8Ω
V
GS
= 10V
铅之间，
ns
f
f
nH
D
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
50
100
59
A
240
1.3
75
160
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 35A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 35A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
S
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.27mH ，
R
G
= 25Ω, I
AS
= 35A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
I
SD
≤
35A ， di / dt的
≤
380A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.27mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 35A ，V
GS
=10V
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
这仅适用于TO- 220AB pakcage 。
2
www.irf.com
AUIRF3710Z/S
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
评论：
这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资质等级
授予延长汽车更高水平。
TO-220AB
D
2
PAK
不适用
MSL1
一流的M4
AEC-Q101-002
类H1C
AEC-Q101-001
C3类
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
ESD
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
QQ：2880707522 复制
