汽车MOSFET
PD - 96336
AUIRF3305
HEXFET
功率MOSFET
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
高级平面技术
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
V
（ BR ） DSS
55V
8m
140A
G
S
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
描述
专为汽车应用，这种细胞
HEXFET功率MOSFET的设计采用了最新的
加工技术，以实现低导通电阻元
硅片面积。这样做的好处结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个
非常高效，在汽车使用可靠的设备
和各种其他应用程序。
TO-220AB
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;并且该设备在这些或超出任何其它病症的功能操作显示在
规格不implied.Exposure绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热限制）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
140
99
560
330
2.2
± 20
470
860
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
dh
d
g
300
10磅的（ 1.1N M）
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
y
y
i
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/02/10
AUIRF3305
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
55
–––
–––
2.0
41
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.055
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
马克斯。
–––
–––
8.0
4.0
–––
25
250
200
-200
单位
V
V /°C的
m
V
S
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
ej
j
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
21
45
16
88
43
34
4.5
7.5
3650
1230
450
4720
930
1490
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
ns
I
D
= 75A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6
V
GS
= 10V
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
j
e
j
e
nH
pF
f
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
57
130
马克斯。
75
单位
A
展示
整体反转
条件
MOSFET符号
560
1.3
86
190
V
ns
nC
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
e
j
, V
j
, V
= 0V
DD
= 28V
GS
e
注意事项：
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％测试，这
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
在生产中的价值。
（见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.17mH
G
= 25, I
AS
= 75A,
R
θ
测定在T
J
大约90 ℃。
基于原包中的所有交流和直流试验条件的限制
V
GS
= 10V 。部分不推荐使用高于此值。
电流75A的。
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
2
www.irf.com
AUIRF3305
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。 IR的
工业和消费水平的资格被授予了延长
较高的汽车级别。
3L-TO-220
不适用
M4级（ 425V ）
（每AEC- Q101-002 ）
H2类（ 4000V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C5级（ 1125V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
