PD - 97486A
汽车级
特点
l
l
l
l
l
AUIRF1405ZS
AUIRF1405ZL
HEXFET
功率MOSFET
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
D
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达
TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
55V
4.9m
150A
G
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结工作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能的结合
使这种设计的一个非常有效和可靠
装置，用于在汽车应用和各种用途
各种其它应用。
D
G
D
S
G
D
S
D
2
PAK
TO-262
AUIRF1405ZS AUIRF1405ZL
G
门
D
漏
S
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
150
110
600
230
1.5
± 20
270
420
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
h
d
g
300
10磅的（ 1.1N M）
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态）
y
y
典型值。
马克斯。
0.65
40
单位
° C / W
i
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
07/01/2010
AUIRF1405ZS/L
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
2.0
88
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.049
3.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
120
31
46
18
110
48
82
4.5
7.5
4780
770
410
2730
600
910
–––
–––
4.9
4.0
–––
20
250
200
-200
180
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
s V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
μA V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
e
V
GS
= -20V
I
D
= 75A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 25V
I
D
= 75A
R
G
= 4.4
V
GS
= 10V
铅之间，
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
nC
e
e
ns
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
30
30
75
A
600
1.3
46
45
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.10mH
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同
充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型
重复雪崩性能。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.10mH ，R
G
= 25, I
AS
= 75A,
V
GS
=10V.
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
AUIRF1405ZS/L
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展更高的汽车
的水平。
TO-262
D
2
PAK
不适用
MSL1
M4级（ 425V ）
AEC-Q101-002
类H1C （ 2000V ）
AEC-Q101-001
带电器件
模型
C5级（ 1125V ）
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
ESD
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRF1405ZS/L
100000
OSS = C DS + C GD
10000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
ID = 75A
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 44V
VDS = 28V
C，电容（pF ）
国际空间站
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
10.00
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
100
100sec
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
1
10
1msec
10msec
100
1000
1.00
T J = 25°C
0.10
0.0
0.5
1.0
1.5
VGS = 0V
2.0
2.5
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
的nCE
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
