汽车级
PD - 95962
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
D
HEXFET
功率MOSFET
AUIRF1010EZ
AUIRF1010EZS
AUIRF1010EZL
60V
8.5m
84A
75A
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车应用和各种其他应用程序
阳离子。
D
G
D
S
TO-220AB
AUIRF1010EZ
G
2
PAK
D
AUIRF1010EZS
D
S
S
D
G
TO-262
AUIRF1010EZL
绝对最大额定值
G
门
D
漏
S
来源
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
I
DM
漏电流脉冲
P
D
@T
C
= 25°C最大功率耗散
线性降额因子
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
马克斯。
84
60
75
340
140
0.90
± 20
99
180
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
单位
A
c
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
c
i
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300
10磅在（ 1.1N m）的
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
k
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.11
–––
62
40
单位
° C / W
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
结到环境（ PCB安装，稳态）
j
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
03/23/10
AUIRF1010EZ/S/L
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
2.0
200
–––
–––
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.058 –––
6.8
8.5
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
––– -200
典型值。
58
19
21
19
90
38
54
4.5
7.5
2810
420
200
1440
320
510
马克斯。
86
28
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 51A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 51A
S
μA V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
单位
条件
NC I
D
= 51A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V
NS V
DD
= 30V
I
D
= 51A
R
G
= 7.95
V
GS
= 10V
nH的铅之间，
f
f
D
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至48V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
54
84
340
1.3
62
81
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
V
ns
nC
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 51A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 51A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
f
f
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.077mH ，
R
G
= 25, I
AS
= 51A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
I
SD
≤
51A ， di / dt的
≤
260A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同
充电时间为C
OSS
而V
DS
从上升
0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.077mH中，R
G
= 25,
I
AS
= 51A ，V
GS
=10V.
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2
www.irf.com
AUIRF1010EZ/S/L
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展更高的汽车
的水平。
TO-220AB
一流的M4
AEC-Q101-002
类H1C
AEC-Q101-001
带电器件模型
C3类
AEC-Q101-005
是的
不适用
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
ESD
符合RoHS
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRF1010EZ/S/L
100000
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
ID = 51A
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
1msec
10
100.00
10.00
T J = 175℃
1.00
T J = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
100
1
0.10
VGS = 0V
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
0.1
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
ANCE
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
