AUIPS7111S
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
汽车
（每AEC -Q100
)
点评：该系列芯片已经通过了汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格授予推而广之
的更高汽车的水平。
D2PAK-5L
MSL1 ， 260℃
（根据IPC / JEDEC J- STD- 020 ）
湿度敏感度等级
M3类（ 300V ）
（每AEC- Q100-003 ）
H2类（2,500 V）
ESD
人体模型
（每AEC- Q100-002 ）
一流的C4 （ 1000 V ）
带电器件模型
（每AEC- Q100-011 ）
II级， A级
IC闩锁测试
（每AEC- Q100-004 ）
符合RoHS
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
例外AEC -Q100标准要求标注在鉴定报告。
机器型号
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AUIPS7111S
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。 （ TJ = -40 ° C..150 ℃，
的Vcc = 8..50V除非另有规定） 。
符号
参数
分钟。
马克斯。
单位
V
V
mA
W
°C
VOUT
最大输出电压
VCC- Vin的最大值。最大的Vcc电压
售后不退，最大
最大反馈电流
最大功率耗散（内部受到热保护）
Pd
T环境= 25°C ， TJ = 150℃
第r = 50 ° C / W DPack 6cm足迹
TJ最大。
马克斯。存储&工作结温
VCC- 60 VCC + 0.3
-32
60
-50
10
-40
2.5
150
热特性
符号
Rth1
Rth2
Rth3
参数
热阻结到环境的DPAK标准的足迹
热阻结到环境的DPAK 6cm足迹
热阻结到外壳DPAK
典型值。
60
40
0.8
马克斯。
单位
° C / W
推荐工作条件
这些值给出了一个快速的设计。
符号
IOUT
Rifb
参数
连续输出电流， T环境= 85 ° C， TJ = 125°C
第r = 40° C / W ， DPAK 6cm足迹
分钟。
马克斯。
10
单位
A
k
1.5
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3
AUIPS7111S
静态电气特性
TJ = -40..150 ° C， VCC = 8..50V （除非另有说明）
符号
VCC操作。
RDS （ ON）
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
测试条件
Ids=10A
Vin=Vcc=28V,Vifb=Vgnd
VOUT = VGND ， TJ = 25°C
Id=10mA
的id = 10A见图2
Id=10mA
Isd=10A,
Vcc-Vin=7..32V
If=10A
Tj=-40°C..125°C
工作电压范围
8
50
V
通态电阻TJ = 25°C
6
7.5
m
通态电阻TJ = 150℃
12
15
ICC关闭
供应漏电电流
2
6
A
IOUT关闭
输出漏电流
2
6
V CLAMP1
VCC至VOUT钳位电压1
60
65
V CLAMP2
VCC至VOUT钳位电压2
66
V
Vih(2)
高电平输入阈值电压
5.5
6.8
Vil(2)
低电平输入阈值电压
3.5
5
RDS（ON） REV逆转态电阻TJ = 25°C
7
10
m
反向通态电阻， TJ = 150℃
13
18
Vf
正向体二极管的电压TJ = 25°C
0.75
0.8
V
正向体二极管的电压TJ = 125°C
0.6
0.65
凛
内部输入电阻
180
250
350
（ 2 ）输入阈值之间的输入引脚和标签直接测量。还有第6页看到
开关电气特性
VCC = 28V ，电阻负载= 3 ， TJ = 25°C
符号
Tdon
tr
tdoff
tf
参数
打开延迟时间设置为20 ％
从20％上升时间80 ％的Vcc的
关闭延迟时间
从80％下降时间到Vcc的20％
分钟。
25
8
50
5
典型值。
35
17
80
13
马克斯。
50
25
120
35
单位
s
测试条件
参见图。 1
s
保护特性
TJ = -40..150 ° C， VCC = 8..50V （除非另有说明）
符号
TSD
ISD
我的错
参数
在温度阈值
过流关断
IFB后的过电流或过
温度（锁定）
分钟。
150(3)
30
2.4
典型值。
165
45
4
马克斯。
单位
°C
A
mA
测试条件
见图。 3和图。 10
见图。 3和第7页
参见图。 3
60
6
电流传感特性
TJ = -40..150 ° C， VCC = 8..50V （除非另有说明）
符号
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
14500
+5
0.25
15
单位
%
A
A
测试条件
Iout=10A
Iout<10A
IOUT = 0A ， TJ = 25°C
比
我加载/ IFB电流比
Ratio_TC
我加载/售后不退随温度变化
我OFFSET
负载电流偏移
IFB泄漏
IFB漏电流
（ 3 ）通过设计保证
11000 13000
-5%
0
-0.25
0
0
6
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4
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