特点
CORE
- ARM
皮质
-M3修订2.0以高达96 MHz的运行
- 存储器保护单元（ MPU ）
- 拇指
-2指令集
回忆
- 从64至256 KB的嵌入式闪存， 128位宽的存取，内存加速器，
双行
- 从16到48字节与银行的双嵌入式SRAM
- 16K字节ROM与嵌入式引导程序例程（ UART ， USB）和IAP例程
- 静态存储控制器（ SMC ） ： SRAM ， NOR ， NAND支持。 NAND闪存
控制器具有4 KB的RAM缓存和ECC
系统
- 用于单电源工作的嵌入式稳压器
- POR ， BOD和看门狗安全复位
- 石英谐振器或振荡器： 320 MHz的主，可选低功耗32.768
千赫的RTC或设备的时钟。
- 高精度8/12 MHz的工厂调整为4 MHz的默认内部RC振荡器
频率快速启动装置
- 慢速时钟内部RC振荡器适用于低功率器件的时钟永久时钟
模式
- 一个PLL的器件时钟，一个专用PLL为USB 2.0高速设备
- 多达19个外设DMA （ PDC ）通道和4通道DMA中心
低功耗模式
- 睡眠和备份模式，下至2.5 μA的备份模式。
- 备份域： VDDBU引脚， RTC ， 32备份寄存器
- 超低功耗RTC ： 0.6 μA
外设
- USB 2.0设备： 480 Mbps的4 KB的FIFO ，最多有7个双向端点，
专用DMA
- 多达4个USART （ ISO7816 ，红外线
，流量控制， SPI ，曼彻斯特的支持）和一个
UART
- 最多2个TWI （ I2C兼容） ， 1个SPI ，1个SSC （ I2S ） ， 1 HSMCI （ SDIO / SD / MMC）
- 3通道16位定时器/计数器（ TC ），用于捕获，比较和PWM
- 4路16位PWM （ PWMC ）
- 32位实时定时器（ RTT）和RTC与日历和闹钟功能
- 8通道12位1MSPS ADC差分输入模式和可编程增益
现阶段， 8通道10位ADC
I / O
- 最多96个I / O线和外部中断功能（边沿或电平敏感） ，
去抖动，毛刺滤波和上模系列终端电阻
- 三个32位并行输入/输出（ PIO ）
套餐
- 100引脚LQFP封装， 14 ×14毫米，间距0.5毫米
- 100球LFBGA ， 9 ×9毫米，间距0.8毫米
- 144引脚LQFP封装， 20 ×20毫米，间距0.5毫米
- 144球LFBGA ， 10 ×10毫米，间距0.8毫米
AT91ARM M3
皮质为主
处理器
ATSAM3U系列
初步
摘要
注意：
这是一个总结性文件。
完整的文档可
爱特梅尔网站www.atmel.com 。
6430BS–ATARM–01-Sep-09
1. SAM3U说明
爱特梅尔的SAM3U系列是闪存微控制器的基础上，高性成员
formance 32位ARM Cortex -M3 RISC处理器。它工作在96 MHz的最高速度
并具有高达256 KB的闪存和高达52 KB的SRAM中。该外设集
包括具有嵌入式收发器，高速MCI的高速USB设备端口
SDIO / SD / MMC卡，一个外部总线接口与NAND闪存控制器，最高支持4倍个USART
（ SAM3U1C / 2C / 4C有3个） ，同比增长2倍TWIs （ SAM3U1C / 2C / 4C有1 ） ，高达5倍的SPI
SAM3U1C / 2C / 4C有4个） ，以及4倍的PWM定时器，3个通用16位定时器，一个RTC ，
一个12位的ADC和一个10位ADC 。
该SAM3U架构是专门设计来维持高速的数据传输。它包括
一个多层总线矩阵以及多个SRAM组， PDC和DMA通道，可使它
并行运行的任务，最大限度地提高数据吞吐量。
它可以从1.62V至3.6V ，并配备100引脚和144引脚LQFP和BGA封装。
该SAM3U器件特别适于用于USB应用：数据记录器， PC外设
和任何高速桥（ USB到SDIO ， USB与SPI ， USB到外部总线接口） 。
1.1
配置摘要
该SAM3U系列不同的内存大小，封装和功能列表。
表1-1
总结
六个设备的配置。
表1-1 。
配置摘要
FL灰
组织SRAM
双平面
52
千字节
36
千字节
20
千字节
52
千字节
36
千字节
20
千字节
数
中的PIO
96
数
of
个USART
4
数
TWI的
2
FWUP ，
SHDN
引脚
是的
外部总线
接口
8位或16位，
4芯片选择，
24位地址
8位或16位，
4芯片选择
24位地址
8位或16位，
4芯片选择，
24位地址
8位，
2芯片选择，
8位地址
HSMCI
数据
SIZE
8位
设备
SAM3U4E
FL灰
2x 128
千字节
128
千字节
64
千字节
2 x 128
千字节
128
千字节
64
千字节
包
LQFP144
BGA144
LQFP144
BGA144
LQFP144
BGA144
LQFP100
BGA100
LQFP100
BGA100
LQFP100
BGA100
ADC
2 (8+ 8
频道）
2 (8+ 8
频道）
2 (8+ 8
频道）
2 (4+ 4
频道）
2 (4+ 4
频道）
2 (4+ 4
频道）
SAM3U2E
单一平面
96
4
2
是的
8位
SAM3U1E
单一平面
96
4
2
是的
8位
SAM3U4C
双平面
57
3
1
No
4位
SAM3U2C
单一平面
57
3
1
No
8位，
2芯片选择， 8- 4位
位地址
8位
2芯片选择，
8位地址
4位
SAM3U1C
单一平面
57
3
1
No
注意：
1. SRAM的大小考虑到NAND快闪存储器控制器（ NFC） ，可用于由所述的4千字节的RAM缓冲
如果不使用由NFC芯。
2
SAM3U系列
6430BS–ATARM–01-Sep-09
图2-1 。
SE
L
T
D
TDI
O
TM / T
S RA
TC / SW CE
K / SW
S
W IO
CL
K
JT
AG
TST
系统控制器
JTAG &串行线
HS UTMI
收发器
VD
D
VD
DO
主
SLAVE
II
TM
P M
P M
U
D D
SD SD
D
D
VBGDFSDFS
卫生署卫生署
V
IN
UT
6430BS–ATARM–01-Sep-09
在线仿真器
系统定时器计数器
2. SAM3U框图
PCK0-PCK2
电压
调节器
EBI
PLLA
UPLL
PMC
MPU
I / D
S
FL灰
独特
识别码
USB
设备
HS
NAND闪存
调节器
& ECC
XIN
XOUT
OSC
3-20 M
Cortex-M3处理器
最大频率96MHz的
DMA
N
V
I
C
NANDRDY
144针SAM3U4 / 2 / 1E框图
RC振荡器。
12/8/4 M
WDT
5层AHB总线矩阵
NAND闪存
SRAM
(4KBytes)
D0-D15
A0/NBS0
A1
A2-A20
VDDUTMI
SM
VDDCORE
BOD
只读存储器
16KBytes
外设
桥
建业
4-Channel
DMA
RC 32K
RTT
RTC
PDC
PDC
PWM
PDC
PDC
PDC
8
GPBREG
NCS0
NCS1
NRD
NWR0/NWE
NWR1/NBS1
NWAIT
A23
A21/NANDALE
A22/NANDCLE
NCS3
XIN32
XOUT32
OSC
32K
FL灰
2x128KBytes
1x128千字节
1个64K字节
SRAM0
32KBytes
16KBytes
8KBytes
SRAM1
16KBytes
16KBytes
外设
DMA
调节器
STATIC
内存
调节器
SHDN
FWUP
SUPC
VDDBU
POR
NRSTB
抹去
RSTC
PIOB
NRST
8-channel
12位ADC
10位ADC
TWI0
TWI1
UART
USART0
USART1
USART2
USART3
TC0
TC1
TC2
SPI
SSC
HSMCI
NCS2
NANDOE ， NANDWE
PIOA
PIOC
1
0
I
7 7
EF一
3
G
K1
S3 S3 K3 X3 D3 RI0 R0 R0
2 2 2
S3 K·S
L3
XD
S
VR TR AN -AD 12B -Tw
PC O为
UTX -CT -RT -SC -RD -TX DC
LK A B
DT WM WM
U
-TiO TIO -NP S M M
0 0 0 0 0
2B DD 12B D0
0 -Tw
1
T
P P
-
一-A WD K0
V·D
TS S K X（D）
0 A0 B0
0- 0-
S0
0 T C
AD
RT SC RD TX
H L
-A
LK IO IO
F-
2B
M WM
PC
G
W
1
E
N
R
T
W P
TC牛逼牛逼
T
P
AD
VR
AD
AD
A7 A K
TK TF TD RD RF RK -D CD C
0
DA
SAM3U系列
3
图2-2 。
SE
L
TD
TDI
O
TM / TR
S A
TC / SW CE
K / SW
S
W IO
CL
K
J
TA
G
TST
系统控制器
JTAG &串行线
HS UTMI
收发器
VD
D
VD
DO
主
SLAVE
II
TM
P M
P M
U
D D
SD SD
D
D
VBGDFSDFS
卫生署卫生署
V
IN
UT
4
在线仿真器
SAM3U系列
电压
调节器
PCK0-PCK2
EBI
PLLA
PMC
系统定时器计数器
UPLL
Cortex-M3处理器
最大频率96MHz的
MPU
I / D
S
DMA
OSC
3-20 M
RC振荡器。
12/8/4 M
XIN
XOUT
N
V
I
C
USB
设备
HS
NAND闪存
调节器
& ECC
NANDRDY
100引脚SAM3U4 / 2 / 1C框图
WDT
5层AHB总线矩阵
D0-D7
A0
A1
A2-A7
NAND闪存
SRAM
(4KBytes)
VDDUTMI
SM
BOD
RC 32K
OSC
32K
8
GPBREG
FL灰
独特
识别码
VDDCORE
FL灰
2x128KBytes
1x128千字节
1个64K字节
只读存储器
16KBytes
外设
桥
建业
SRAM0
32KBytes
16KBytes
8KBytes
SRAM1
16KBytes
16KBytes
8KBytes
外设
DMA
调节器
4-Channel
DMA
NCS0
NCS1
NRD
NWE
XIN32
XOUT32
RTT
RTC
PDC
PDC
PDC
PWM
PDC
PDC
STATIC
内存
调节器
NANDALE
NANDCLE
FWUP
SUPC
POR
VDDBU
NRSTB
抹去
TWI
UART
RSTC
4-channel
12位ADC
10位ADC
USART0
USART1
USART2
TC0
TC1
TC2
SPI
SSC
HSMCI
NANDOE ， NANDWE
NRST
PIOA
PIOB
-
I
2 2 2 2 2 0 I0 0 0
EF一
3 3
摹D3 3 D CK
2 2 2
S3 K·S
TS S K X（D） CD-R SR TR MH ML
XD
VR AN
PC O为
TR -A 12B TW W
TX -C -RT -SC -RD -TX
LK A B
D D W W
T
U U
2B DD 12B D0
TIO TIO -NP S M M
0 0 0 0 0
1
T - -
P P
A -A
V
TS S K X（D）
D
0 A0 B0
0- 0-
0
S0
AD
RT SC RD TX
H L
-A
LK IO IO
F-
2B
M WM
G
PC
1
E
R
N
W P
TC牛逼牛逼
T
P
AD
VR
AD
AD
3 A K
TK TF TD RD RF RK -DA CD C
A0
D
6430BS–ATARM–01-Sep-09
SAM3U系列
3.信号说明
表3-1
给出了分类外设的信号名称的详细信息。
表3-1 。
信号名称
信号说明列表
功能
TYPE
电源
活跃
水平
电压
参考意见
VDDIO
VDDIN
VDDOUT
VDDUTMII
GNDUTMII
VDDBU
GNDBU
VDDPLL
GNDPLL
VDDANA
GNDANA
VDDCORE
GND
外设I / O线电源
稳压器输入
稳压器输出
USB UTMI +接口电源
USB UTMI +接口的接地
备份I / O线电源
地面备份
PLL A ， UPLL及OSC 3-20兆赫电源
PLL A ， UPLL及OSC 3-20兆赫地面
ADC模拟电源
ADC的模拟地
核心，存储器和外设芯片电源
供应
地
动力
动力
动力
动力
地
动力
地
动力
地
动力
地
动力
地
1.62V至3.6V
1.8V至3.6V
1.8V
3.0V至3.6V
1.62V至3.6V
1.62 V至1.95V
2.0V至3.6V
1.62V至1.95V
时钟，振荡器和PLL
XIN
XOUT
XIN32
XOUT32
VBG
PCK0 - PCK2
主振荡器输入
主振荡器输出
慢时钟振荡器输入
慢时钟振荡器输出
偏置电压参考
可编程时钟输出
输入
产量
输入
产量
类似物
产量
关机，唤醒逻辑
推/拉
0 ：设备处于
备份模式
1 ：该设备运行
（不是在备份模式）
需要外部上拉
VDDIO
VDDBU
VDDPLL
SHDN
关机控制
产量
VDDBU
FWUP
强制唤醒输入
输入
低
串行线/ JTAG调试端口（ SWJ -DP ）
TCK / SWCLK
TDI
TDO / TRACESWO
TMS / SWDIO
JTAGSEL
测试时钟/串行时钟线
测试数据
测试数据输出/跟踪异步数据输出
测试模式选择/串行线输入/输出
JTAG选择
输入
输入
产量
输入
输入
高
VDDBU
VDDIO
没有上拉电阻
没有上拉电阻
没有上拉电阻
内部永久
下拉
5
6430BS–ATARM–01-Sep-09
特点
CORE
- ARM
皮质
-M3修订2.0以高达96 MHz的运行
- 存储器保护单元（ MPU ）
- 拇指
-2指令集
回忆
- 从64至256 KB的嵌入式闪存， 128位宽的存取，内存加速器，
双行
- 从16到48字节与银行的双嵌入式SRAM
- 16K字节ROM与嵌入式引导程序例程（ UART ， USB）和IAP例程
- 静态存储控制器（ SMC ） ： SRAM ， NOR ， NAND支持。 NAND闪存
控制器具有4 KB的RAM缓存和ECC
系统
- 用于单电源工作的嵌入式稳压器
- POR ， BOD和看门狗安全复位
- 石英谐振器或振荡器： 320 MHz的主，可选低功耗32.768
千赫的RTC或设备的时钟。
- 高精度8/12 MHz的工厂调整为4 MHz的默认内部RC振荡器
频率快速启动装置
- 慢速时钟内部RC振荡器适用于低功率器件的时钟永久时钟
模式
- 一个PLL的器件时钟，一个专用PLL为USB 2.0高速设备
- 多达17个外设DMA （ PDC ）通道和4通道DMA中心
低功耗模式
- 睡眠和备份模式，下至2.5 μA在备份模式
- 备份域： VDDBU引脚， RTC ， 32备份寄存器
- 超低功耗RTC ： 0.6 μA
外设
- USB 2.0设备： 480 Mbps的4 KB的FIFO ，最多有7个双向端点，
专用DMA
- 多达4个USART （ ISO7816 ，红外线
，流量控制， SPI ，曼彻斯特的支持）和一个
UART
- 最多2个TWI （ I2C兼容） ， 1个SPI ，1个SSC （ I2S ） ， 1 HSMCI （ SDIO / SD / MMC）
- 3通道16位定时器/计数器（ TC ），用于捕获，比较和PWM
- 4路16位PWM （ PWMC ）
- 32位实时定时器（ RTT）和RTC与日历和闹钟功能
- 8通道12位1MSPS ADC差分输入模式和可编程增益
现阶段， 8通道10位ADC
I / O
- 最多96个I / O线和外部中断功能（边沿或电平敏感） ，
去抖动，毛刺滤波和上模系列终端电阻
- 三个32位并行输入/输出（ PIO ）
套餐
- 100引脚LQFP封装， 14 ×14毫米，间距0.5毫米
- 100球LFBGA ， 9 ×9毫米，间距0.8毫米
- 144引脚LQFP封装， 20 ×20毫米，间距0.5毫米
- 144球LFBGA ， 10 ×10毫米，间距0.8毫米
AT91ARM
的Cortex M3为基础的
微控制器
ATSAM3U系列
初步
摘要
注意：
这是一个总结性文件。
完整的文档可
爱特梅尔网站www.atmel.com 。
6430CS–ATARM–09-Apr-10
1. SAM3U说明
爱特梅尔的SAM3U系列是闪存微控制器的基础上，高性成员
formance 32位ARM Cortex -M3 RISC处理器。它工作在96 MHz的最高速度
并具有高达256 KB的闪存和高达52 KB的SRAM中。该外设集
包括具有嵌入式收发器，高速MCI的高速USB设备端口
SDIO / SD / MMC卡，一个外部总线接口与NAND闪存控制器，最多4xUSARTs
（ SAM3U1C / 2C / 4C有3个），最高达2xTWIs （ SAM3U1C / 2C / 4C有1个），最高达5xSPIs
SAM3U1C / 2C / 4C有4个） ，以及4xPWM定时器， 3xgeneral目的， 16位定时器，一个RTC ，
一个12位的ADC和一个10位ADC 。
该SAM3U架构是专门设计来维持高速的数据传输。它包括
一个多层总线矩阵以及多个SRAM组， PDC和DMA通道，可使它
并行运行的任务，最大限度地提高数据吞吐量。
它可以从1.62V至3.6V ，并配备100引脚和144引脚LQFP和BGA封装。
该SAM3U器件特别适于用于USB应用：数据记录器， PC外设
和任何高速桥（ USB到SDIO ， USB与SPI ， USB到外部总线接口） 。
1.1
配置摘要
该SAM3U系列不同的内存大小，封装和功能列表。
表1-1
总结
六个设备的配置。
表1-1 。
配置摘要
FL灰
组织SRAM
双平面
52
千字节
36
千字节
20
千字节
52
千字节
36
千字节
20
千字节
数
中的PIO
96
数
of
个USART
4
数
TWI的
2
FWUP ，
SHDN
引脚
是的
外部总线
接口
8位或16位，
4芯片选择，
24位地址
8位或16位，
4芯片选择
24位地址
8位或16位，
4芯片选择，
24位地址
8位，
2芯片选择，
8位地址
HSMCI
数据
SIZE
8位
设备
SAM3U4E
FL灰
2x128
千字节
128
千字节
64
千字节
2 x 128
千字节
128
千字节
64
千字节
包
LQFP144
BGA144
LQFP144
BGA144
LQFP144
BGA144
LQFP100
BGA100
LQFP100
BGA100
LQFP100
BGA100
ADC
2 (8+ 8
频道）
2 (8+ 8
频道）
2 (8+ 8
频道）
2 (4+ 4
频道）
2 (4+ 4
频道）
2 (4+ 4
频道）
SAM3U2E
单一平面
96
4
2
是的
8位
SAM3U1E
单一平面
96
4
2
是的
8位
SAM3U4C
双平面
57
3
1
FWUP
4位
SAM3U2C
单一平面
57
3
1
FWUP
8位，
2芯片选择， 8- 4位
位地址
8位
2芯片选择，
8位地址
4位
SAM3U1C
单一平面
57
3
1
FWUP
注意：
1. SRAM的大小考虑到NAND快闪存储器控制器（ NFC） ，可用于由所述的4千字节的RAM缓冲
如果不使用由NFC芯。
2
SAM3U系列
6430CS–ATARM–09-Apr-10
SAM3U系列
3.信号说明
表3-1
给出了分类外设的信号名称的详细信息。
表3-1 。
信号名称
信号说明列表
功能
TYPE
电源
活跃
水平
电压
参考意见
VDDIO
VDDIN
VDDOUT
VDDUTMII
GNDUTMII
VDDBU
GNDBU
VDDPLL
GNDPLL
VDDANA
GNDANA
VDDCORE
GND
外设I / O线电源
稳压器输入
稳压器输出
USB UTMI +接口电源
USB UTMI +接口的接地
备份I / O线电源
地面备份
PLL A ， UPLL及OSC 3-20兆赫电源
PLL A ， UPLL及OSC 3-20兆赫地面
ADC模拟电源
ADC的模拟地
核心，存储器和外设芯片电源
供应
地
动力
动力
动力
动力
地
动力
地
动力
地
动力
地
动力
地
1.62V至3.6V
1.8V至3.6V
1.8V
3.0V至3.6V
1.62V至3.6V
1.62 V至1.95V
2.0V至3.6V
1.62V至1.95V
时钟，振荡器和PLL
XIN
XOUT
XIN32
XOUT32
VBG
PCK0 - PCK2
主振荡器输入
主振荡器输出
慢时钟振荡器输入
慢时钟振荡器输出
偏置电压参考
可编程时钟输出
输入
产量
输入
产量
类似物
产量
关机，唤醒逻辑
推/拉
0 ：设备处于
备份模式
1 ：该设备运行
（不是在备份模式）
需要外部上拉
VDDIO
VDDBU
VDDPLL
SHDN
关机控制
产量
VDDBU
FWUP
强制唤醒输入
输入
低
串行线/ JTAG调试端口（ SWJ -DP ）
TCK / SWCLK
TDI
TDO / TRACESWO
TMS / SWDIO
JTAGSEL
测试时钟/串行时钟线
测试数据
测试数据输出/跟踪异步数据输出
测试模式选择/串行线输入/输出
JTAG选择
输入
输入
产量
输入
输入
高
VDDBU
VDDIO
没有上拉电阻
没有上拉电阻
没有上拉电阻
内部永久
下拉
5
6430CS–ATARM–09-Apr-10
QQ：2881677436 复制
