特点
频率范围5 GHz到6 GHz的
P
OUT
25 dBm的5.8 GHz的
增益通常30分贝
P
in
通常为0 dBm
V
CC
2.7V到3.8V
在掉电模式下的功耗通常< 1 μA
包装： QFN16 3毫米
×
3 mm
5.8 GHz的WDCT
功率放大器
ATR7040
好处
偏置控制延长电池时间
简单的输入和输出匹配
只有单电源所需的一个
没有高侧开关晶体管所需
1.描述
1.1
过程
这5 GHz的功率放大器（ PA ）是采用Atmel的硅锗（SiGe ）设计
过程，并提供了高效率。
1.2
电路
功率放大器， ATR7040 ，由三级放大器的同一个典型的输出功率
25 dBm的。输出级采用集电极开路的结构来实现。动力
起来，功率下降，输出电平偏置控制引脚6控制（V
CTL
).
4868C–DECT–05/06
3.绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个压力等级
该设备在这些或超出在这个业务部门所标明的任何其他条件，只有和功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
参数
电源电压
电源电流
结温
储存温度
输入射频功率
控制电压
注意：
符号
V
CC
I
cc
T
j
T
英镑
P
in
V
CTL
价值
5
400
150
-40到+125
10
2.5
单位
V
mA
°C
°C
DBM
V
该部分可能无法生存同时应用了所有的最大值。
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
4.热阻
参数
交界处的环境封装QFN16 ， 3
×
3,
塞焊在PCB上
符号
R
thJA
价值
40
单位
K / W
5.工作范围
参数
电源电压
工作频率范围
环境温度范围
符号
V
CC
f
in
T
AMB
价值
2.7 3.8
5100至5900
-25至+75
单位
V
兆赫
°C
4
ATR7040
4868C–DECT–05/06
ATR7040
6，电气特性
工作条件： V
CC
= 3.6V, V
CTL
= 1.5V ，输入频率为5.8 GHz时，输入功率为0 dBm ，脉冲模式，占空比10 ％ ，T
on
= 1毫秒，
T
AMB
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
号
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
1.10
1.11
1.12
参数
频带
电源电压
输入功率
饱和输出功率
输出功率偏差
控制电压范围
控制输入电流
输入回波损耗
隔离
功率附加效率
消耗电流
电流消耗
掉电模式
操作占空比
PA工作模式
掉电模式
PA在
随着外部匹配
V
CTL
≤
0.2V
在功率饱和，
P
in
= 0 dBm的
25 dBm的输出功率
V
CTL
≤
0.2V
在饱和输出功率
5
10
ISO
r
PAE
I
cc
I
cc
33
测试条件
依赖于外部
电路
V
cc
P
in
P
SAT
P
d
V
CTL
V
CTL
I
CTL
90
–7
35
35
250
1
100
–6
–2
1.0
针
符号
分钟。
5100
2.7
3.6
0
25
+2
1.7
0.2
典型值。
马克斯。
5900
3.8
单位
兆赫
V
DBM
DBM
dB
V
V
A
dB
dB
%
mA
A
%
7.应用电路
图7-1 。
应用电路
VCC
C6
弹头
8
7
6
5
L1
TRL2
C3
RFOUT
9
RFIN
TRL1 10
C1
11
12
4
3
2
1
C2
13
14
15
16
VCTL
VCC
5
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