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TM
特点
输入频率范围为2.7 GHz至3.0 GHz的
P
OUT
通常情况下12 dBm的5.8 GHz的
P
IN
通常为0 dBm
V
CC
3.0V至3.9V
CW模式操作
包装: QFN16
好处
斜坡控制延长电池寿命
AC输入耦合节省外部电容
对于应用非常低BOM
2.9 GHz至
5.8 GHz的硅锗
频率
倍频器IC
ATR7039
初步
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
1.描述
5.8 - GHz的倍频器IC的设计与Atmel的硅锗
( SiGe)工艺,并提供一个高的转换增益。
该装置包括一个倍频器级,一个过滤器和一个驱动器放大器,其输出的
11 dBm的功率。使用一个集电极开路结构的输出级得以实现。
功率上升/下降和输出电平通过偏置控制引脚6和引脚7控制
(V
CTL
).
牧师4786E - DECT , 10月5日
图1-1 。
框图
VCC1
15
VCC2
13
ATR7039
RFIN
3
频率
滤波器
RFOUT
11
RFOUT
10
偏置控制
6
VCTL1
16
VCC_TL
7
VCTL2
2
ATR7039 [初步]
4786E–DECT–10/05
ATR7039 [初步]
2.引脚配置
图2-1 。
QFN16管脚
Vcc_ctl
VCC1
GND
VCC2
GND
NC
RFIN
GND
1
2
3
4
16 15 14 13
12
11
GND上
10
9
5 6 7 8
GND
VCTL1
VCTL2
GND
GND
RFOUT
RFOUT
GND
表2-1 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚说明
符号
GND
NC
RFIN
GND
GND
VCTL1
VCTL2
GND
GND
RFOUT
RFOUT
GND
VCC2
GND
VCC1
Vcc_ctl
功能
没有连接
RF输入
电/偏置控制电压至频率倍增级
电/偏置控制电压,以输出放大级
RF输出
RF输出
电源电压输出放大级
电源电压倍频阶段
电源电压偏置控制
3
4786E–DECT–10/05
3.绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个压力等级
该设备在这些或超出在这个业务部门所标明的任何其他条件,只有和功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
参数
供电电压,没有RF
电源电流
结温
储存温度
输入射频功率
符号
V
CC
I
CC
T
j
T
英镑
P
IN
价值
5
400
150
-40到+125
13
2.5
单位
V
mA
°C
°C
DBM
V
控制电压
V
CTL1,2
注意:
该部分可能无法生存的所有参数在最大同时应用!
4.热阻
参数
交界处的环境QFN16封装,
塞焊在PCB上
符号
R
thJA
价值
40
单位
K / W
5.工作范围
参数
电源电压
输入频率范围
输出频率范围
环境温度范围
符号
V
CC
f
in
f
OUT
T
AMB
价值
3.0 3.9
2700至3000
5400至6000
-25至+75
单位
V
兆赫
兆赫
°C
4
ATR7039 [初步]
4786E–DECT–10/05
ATR7039 [初步]
6,电气特性
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
1.10
2.0
输出功率偏差
输出功率
参数
输入功率
测量谐波
频率2f
测量谐波
频率3F
在测
基频
测量谐波
频率
操作倍
模式
掉电模式
输入和输出回波
随着外部匹配
损失
反向隔离
消耗电流
2f
为12dBm时的输出功率
测试条件
3
10, 11
10, 11
10, 11
10, 11
6
7
6, 7
3, 10,
11
3, 10,
11
13, 15,
16
13, 15,
16
ISO
r
I
CC
I
CC
30
符号
P2f
P3f
P1f
P
d
V
CTL1
V
CTL2
V
CTL1,2
–12
36
90
15
100
–2
1.4
1.7
0.2
–8
分钟。
典型值。
0
12
-8
待定
+2
马克斯。
10
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
V
V
V
dB
dB
mA
A
%
类型*
A
A
A
A
A
A
A
A
C
C
A
A
C
控制电压范围
电流消耗
V
CTL1,2
0.2V
掉电模式
占空比
* )类型是指: A = 100 %测试, B = 100 %相关测试,C =特点的样本, D =设计参数
5
4786E–DECT–10/05
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ATR7039-PEQG
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