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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1692页 > ATP404-TL-H
订购数量： ENA1405A
ATP404
三洋半导体
数据表
ATP404
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS （ ON） 1 = 5.5米
Ω
（典型值）。
4.5V驱动
输入电容西塞= 6400pF （典型值）。
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
60
±20
95
380
70
150
-
-55到+150
214
48
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = 30V ， L = 100
μ
H， IAV = 48A
*2
L
≤
100
μ
H，单脉冲
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7057-001
ATP404-TL-H
6.5
0.5
1.5
0.4
4.6
2.6
0.4
产品&包装信息
包
： ATPAK
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
包装类型： TL
记号
ATP404
LOT号
4
7.3
9.5
4.6
6.05
TL
电气连接
2,4
0.55
0.7
0.5
1
0.8
2.3
2.3
3
0.6
1.7
2
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： ATPAK
1
3
0.1
http://semicon.sanyo.com/en/network
61312 TKIM / 12109QA MSIM TC- 00001833号A1405-1 / 7
ATP404
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 95A ， VGS = 0V
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 95A
VDS = 20V ， F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 48A
ID = 48A ， VGS = 10V
ID = 48A ， VGS = 4.5V
评级
民
60
10
±10
1.2
100
5.5
7.5
6400
490
380
53
请参阅特定网络版测试电路。
640
380
520
120
25
25
0.95
1.2
7.2
10.5
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
10V
0V
VIN
VDD=30V
雪崩电阻测试电路
L
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID=48A
RL=0.625Ω
VOUT
10V
0V
≥50Ω
ATP404
50Ω
VDD
ATP404
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
ATP404-TL-H
包
ATPAK
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1405-2 / 7
ATP404
200
ID - VDS
8.0
V
180
160
V
6.0
漏极电流ID -
180
160
漏极电流ID -
140
120
100
80
60
40
20
0
4.5V
140
120
100
80
60
40
20
VGS=3.0V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
IT14377
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
25
°
C
3.0
TC =
75
°
C
--25
°
C
3.5
4.0
4.5
25
°
7
C
5
°
C
5.0
5.5
IT14378
125
150
IT14380
1.2
1.4
IT14382
漏极至源极电压VDS - V
14
10
.0V
RDS （ ON） - VGS
截止电压， VGS （关闭） - V
16
RDS （ ON） - 锝
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
12
10
8
6
4
2
0
2
3
4
5
6
7
8
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
ID=48A
单脉冲
14
12
10
8
6
4
2
0
--50
Tc=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
=
VGS
48
I =
5V ，D
4.
A
=1
VGS
A
=48
， ID
0.0V
9
10
IT14379
--25
0
25
50
75
100
栅极 - 源极电压VGS - V
3
|
y
fs
|
- ID
外壳温度，TC -
°
C
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
IS - VSD
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
0.1
VDS=10V
VGS=0V
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
0
0.2
0.4
TC =
7
25
°
C
5
°
C
75
0.6
--25
°
C
=
Tc
--2
C
5
°
°
C
源出电流，是 - 个
°
C
25
0.8
1.0
漏极电流ID -
3
2
IT14381
2
SW时间 - ID
西塞，科斯，的Crss - VDS
二极管的正向电压， VSD - V
TC =
--25
°
C
西塞
Tc=25
°
C
200
ID - VGS （关闭）
VDS=10V
单脉冲
VDD=30V
VGS=10V
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
10000
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
IT14383
西塞，科斯，的Crss - pF的
7
5
3
2
TD （关闭）
tf
tr
1000
7
5
3
2
0
5
10
15
TD （上）
科斯
CRSS
20
25
30
IT14384
漏极电流ID -
漏极至源极电压VDS - V
第A1405-3 / 7
ATP404
10
9
VGS - 的Qg
VDS=30V
ID=95A
漏极电流ID -
栅极 - 源极电压VGS - V
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=380A
PW≤10μs
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100
150
IT14385
ID=95A
10m
s
10
1m
10
μ
s
100
μ
s
s
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
DC
0ms
op
er
ATI
o
n
0.1
7
5
3
Tc=25
°
C
2
单脉冲
0.01
2 3
5 7 1.0
0.1
2
3
5 7 10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
80
PD - 锝
漏极至源极电压VDS - V
120
EAS - TA
5 7 100
IT14386
允许功耗， PD - 含
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
雪崩能量降额因子 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT10478
外壳温度，TC -
°C
IT14387
环境温度，钽 -
°C
第A1405-4 / 7
ATP404
大坪特定网络阳离子
ATP404-TL-H
第A1405-5 / 7
查看更多ATP404-TL-HPDF信息
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A1280A-1PQG160C
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联系人：朱
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