订购数量： ENA1654
ATP302
三洋半导体
数据表
ATP302
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
雪崩性的保证。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
--60
±20
-
-70
--280
70
150
--55到150
197
-
-42
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = - 36V ， L = 100
μ
H， IAV = -
-42A
*2
L
≤
100
μ
H，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
条件
-1mA,
VGS=0V
ID = -
-60V,
VGS=0V
VDS = -
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
-10V,
ID = -
-1mA
VDS = -
-10V,
ID=--35A
VDS = -
-
-1.2
75
评级
民
-
-60
--10
±10
--2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
标记： ATP302
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
21710QA TK IM TC- 00002247号A1654-1 / 4
ATP302
从接下页。
参数
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
-35A,
VGS = -
-10V
ID = -
-35A,
VGS = -
-4.5V
ID = -
VDS = - 20V ， F = 1MHz的
VDS = - 20V ， F = 1MHz的
VDS = - 20V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 36V ， VGS = - 10V ， ID = - 70A
VDS = - 36V ， VGS = - 10V ， ID = - 70A
VDS = - 36V ， VGS = - 10V ， ID = - 70A
IS = - 70A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
10
13
5400
500
370
35
430
420
500
115
20
25
--1.0
--1.5
最大
13
18
单位
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7057-001
6.5
0.5
1.5
0.4
4.6
2.6
0.4
4
7.3
1.7
2
0.5
1
0.8
2.3
2.3
3
9.5
0.55
0.7
0.6
4.6
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： ATPAK
开关时间测试电路
VIN
VDD = --36V
0.1
雪崩电阻测试电路
0V
--10V
6.05
L
VIN
ID = --35A
RL=1.03Ω
D
VOUT
ATP302
G
0V
--10V
ATP302
50Ω
S
50Ω
VDD
≥50Ω
RG
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
第A1654-2 / 4
ATP302
--10
--9
VGS - 的Qg
VDS = --36V
ID = --70A
漏极电流ID -
栅极 - 源极电压VGS - V
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
ASO
IDP = --280A
ID = --70A
PW≤10μs
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
20
40
60
80
100
120
IT15346
10
1m
s
10
ms
10
0m
s
DC
10
0
μ
s
μ
s
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
op
ERA
TIO
n
--0.1
--0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
80
PD - 锝
漏极至源极电压VDS - V
120
EAS - TA
5 7 --100
IT15347
允许功耗， PD - 含
70
60
50
40
30
20
10
0
雪崩能量降额因子 - ％
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT10478
外壳温度，TC -
°C
IT15348
环境温度，钽 -
°C
注意使用情况：由于ATP302是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
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