【订购数量： ENA1654AATP302三洋半导体数据表ATP302特点P沟道MOSFET硅通用开关】,IC型号ATP302-TL-H,ATP302-TL-H PDF资料,ATP302-TL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1654A

ATP302

三洋半导体

数据表

ATP302

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 10米

（典型值）。

4.5V驱动

输入电容西塞= 5400pF （典型值）。

无卤合规

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

雪崩能量（单脉冲） * 1

雪崩电流* 2

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

EAS

IAV

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

Tc=25°C

条件

评级

--60

±20

-70

--280

150

-55到+150

197

--42

单位

°C

注意：

VDD = - 36V ， L = 100

H， IAV = -

-42A

≤

100

H，单脉冲

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7057-001

ATP302-TL-H

6.5

0.5

1.5

0.4

4.6

2.6

0.4

产品&包装信息

包

： ATPAK

JEITA ， JEDEC

最小包装数量： 3000个/卷。

包装类型： TL

记号

ATP302

LOT号

7.3

9.5

4.6

6.05

电气连接

2,4

0.55

0.7

0.5

0.8

2.3

0.6

1.7

0.4

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

4 ：漏

三洋： ATPAK

0.1

http://semicon.sanyo.com/en/network

62712 TKIM / 21710QA TKIM TC- 00002247 No.A1654-1 / 7

ATP302

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = - 70A ， VGS = 0V

VDS = - 36V ， VGS = - 10V ， ID = - 70A

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

条件

-1mA,

VGS=0V

ID = -

-60V,

VGS=0V

VDS = -

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

-10V,

ID = -

-1mA

VDS = -

-10V,

ID=--35A

VDS = -

-35A,

VGS = -

-10V

ID = -

-35A,

VGS = -

-4.5V

ID = -

评级

民

--60

--10

±10

--1.2

5400

500

370

430

420

500

115

--1.0

--1.5

-2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

--10V

VIN

VDD = --36V

雪崩电阻测试电路

VIN

ID = --35A

RL=1.03Ω

VOUT

ATP302

--10V

ATP302

50Ω

VDD

≥50Ω

PW=10μs

D.C.≤1%

P.G

订购信息

设备

ATP302-TL-H

包

ATPAK

航运

3,000pcs./reel

备忘录

无铅和无卤素

No.A1654-2/7

ATP302

--140

--120

ID - VDS

Tc=25

--140

ID - VGS

TC =

--1.5

--2.0

--2.5

漏极电流ID -

--100

--80

--60

--40

--20

漏极电流ID -

--100

--80

--60

--40

--20

--0.2 --0.4

--0.6 --0.8 --1.0 --1.2

--1.4 --1.6

--1.8 --2.0

IT15338

--0.5

--1.0

--2

VGS = --3.0V

--3.0

--3.5

--4.0

--4.5

--5.0

IT15339

125

150

IT15341

--1.2

--1.4

IT15343

.0V

--8

.0V

--6

漏极至源极电压VDS - V

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - 锝

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

--2

单脉冲

ID = --50A

单脉冲

Tc=75

--25

35A

= --

5V,

--4.

--35

0V,

= --1

VGS

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--50

--25

100

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT15340

--100

--10

--1.0

--0.1

--0.01

--0.001

外壳温度，TC -

IS - VSD

正向转移导纳，

-- S

VDS = --10V

100

1.0

--0.1

VGS=0V

单脉冲

5 7 --1.0

5 7 --10

5 7 --100

IT15342

--0.2

--0.4

TC =

--0.6

--25

-2

源出电流，是 - 个

--0.8

--1.0

漏极电流ID -

SW时间 - ID

切换时间， SW时间 - NS

1000

VDD = --36V

VGS = --10V

TD （关闭）

10000

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

f=1MHz

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

100

--0.1

5 7 --1.0

科斯

CRSS

TD （上）

5 7 --10

5 7 --100

IT15344

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT15345

--4.

--120

漏极电流ID -

漏极至源极电压VDS - V

No.A1654-3/7

VDS = --10V

ATP302

--10

--9

VGS - 的Qg

VDS = --36V

ID = --70A

漏极电流ID -

栅极 - 源极电压VGS - V

--100

--10

--1.0

ASO

IDP = --280A

ID = --70A

PW≤10μs

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

100

120

IT15346

操作

这个区域是

受限于RDS （ ON）。

ERA

TIO

--0.1

Tc=25°C

单脉冲

5 7 --1.0

5 7 --10

总栅极电荷QG - 数控

PD - 锝

漏极至源极电压VDS - V

120

EAS - TA

5 7 --100

IT15347

允许功耗， PD - 含

雪崩能量降额因子 - ％

100

120

140

160

100

125

150

175

IT10478

外壳温度，TC -

°C

IT15348

环境温度，钽 -

°C

No.A1654-4/7

ATP302

大坪特定网络阳离子

ATP302-TL-H

No.A1654-5/7

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