订购数量： ENA1526A
ATP213
三洋半导体
数据表
ATP213
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
4V DRIVE
无卤合规
大电流
修身包
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
60
±20
50
150
50
150
--55到150
37
25
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = 10V ， L = 100
μ
H， IAV = 25A
*2
L
≤
100
μ
H，单脉冲
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7057-001
ATP213-TL-H
6.5
0.5
1.5
0.4
4.6
2.6
0.4
产品&包装信息
包
： ATPAK
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
包装类型： TL
记号
ATP213
LOT号
4
7.3
9.5
4.6
6.05
TL
电气连接
2,4
0.55
0.7
0.5
1
0.8
2.3
2.3
3
0.6
1.7
2
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： ATPAK
1
0.1
3
http://semicon.sanyo.com/en/network
62012 TKIM / 80509PA TK IM TC- 00002021号A1526-1 / 7
ATP213
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 50A ， VGS = 0V
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 50A
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 20V ， F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 25A
ID = 25A ， VGS = 10V
ID = 13A ， VGS = 4.5V
ID = 7A ， VGS = 4V
评级
民
60
1
±10
1.2
55
12
15
17
3150
310
190
23
170
230
150
58
10.5
12.5
1.01
1.2
16
21
26
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VDD=30V
10V
0V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID=25A
RL=1.2Ω
VOUT
ATP213
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
ATP213-TL-H
包
ATPAK
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1526-2 / 7
QQ：2880707522 复制
