订购数量: ENA1551A
ATP204
三洋半导体
数据表
ATP204
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
4.5V驱动
无卤合规
大电流
修身包
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流( PW≤10μs )
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量(单脉冲) * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
Tc=25°C
条件
评级
30
±20
100
300
60
150
--55到150
235
50
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意:
*1
VDD = 15V , L = 100
μ
H, IAV = 50A
*2
L
≤
100
μ
H,单脉冲
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7057-001
ATP204-TL-H
6.5
0.5
1.5
0.4
4.6
2.6
0.4
产品&包装信息
包
: ATPAK
JEITA , JEDEC
:-
最小包装数量: 3000个/卷。
包装类型: TL
记号
ATP204
LOT号
4
7.3
9.5
4.6
6.05
TL
电气连接
2,4
0.55
0.7
0.5
1
0.8
2.3
2.3
3
0.6
1.7
2
0.4
1 :门
2 :排水
3 :源
4 :漏
三洋: ATPAK
1
0.1
3
http://semicon.sanyo.com/en/network
61312 TKIM / 91609PA TKIM TC- 00002081号A1551-1 / 7
ATP204
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 100A , VGS = 0V
VDS = 15V ,V GS = 10V ,ID = 100A
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 10V , F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 30V , VGS = 0V
VGS = ± 16V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 50A
ID = 50A , VGS = 10V
ID = 25A , VGS = 4.5V
评级
民
30
1
±10
1.2
100
4.3
6.5
4600
700
390
40
690
205
110
70
22
9.2
1.03
1.2
5.6
9.1
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
10V
0V
VIN
VDD=15V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID=50A
RL=0.3Ω
VOUT
ATP204
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
ATP204-TL-H
包
ATPAK
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1551-2 / 7