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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1176页 > ATP203-TL-H
订购数量： ENA1318A
ATP203
三洋半导体
数据表
ATP203
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
4V DRIVE
无卤合规
大电流
修身包
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
30
±20
75
225
50
150
--55到150
52
38
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = 10V ， L = 50
μ
H， IAV = 38A
*2
L
≤
50
μ
H，单脉冲
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7057-001
ATP203-TL-H
6.5
0.5
1.5
0.4
4.6
2.6
0.4
产品&包装信息
包
： ATPAK
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
包装类型： TL
记号
ATP203
LOT号
4
7.3
9.5
4.6
6.05
TL
电气连接
2,4
0.55
0.7
0.5
1
0.8
2.3
2.3
3
0.6
1.7
2
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： ATPAK
1
0.1
3
http://semicon.sanyo.com/en/network
61312 TKIM / 91708PA TIIM TC- 00001570号A1318-1 / 7
ATP203
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 75A ， VGS = 0V
VDS = 15V ， VGS = 10V ， ID = 75A
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 10V ， F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 30V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 38A
ID = 38A ， VGS = 10V
ID = 19A ， VGS = 4.5V
评级
民
30
1
±10
1.2
13
22
6.3
9.5
2750
450
265
24
420
130
75
44
14
5.6
1.02
1.2
8.2
13.5
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
10V
0V
VIN
VDD=15V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID=38A
RL=0.39Ω
VOUT
ATP203
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
ATP203-TL-H
包
ATPAK
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1318-2 / 7
ATP203
75
ID - VDS
8.0V
100
ID - VGS
75
°
C
4.5
5.0
IT14001
140
160
IT14003
1.2
IT14005
6.0
V
70
65
60
4.5V
Tc=25
°
C
90
80
VDS=10V
漏极电流ID -
漏极电流ID -
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
16.0V 10.0V
4.0V
70
60
50
40
30
20
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
25
°
C
2.5
TC =
75
°
C
--25
°
C
3.0
3.5
4.0
VGS=3.5V
漏极至源极电压VDS - V
25
RDS （ ON） - VGS
IT14000
25
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS （ ON） - 锝
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
20
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
Tc=25
°
C
单脉冲
20
ID=19A
15
38A
15
10
10
=19A
5V ， I D
=4.
VGS
=38A
.0V ， I D
=10
V GS
5
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
栅极 - 源极电压VGS - V
7
|
y
fs
|
- ID
IT14002
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
外壳温度，TC -
°
C
IS - VSD
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
5
3
VDS=10V
25
°
C
VGS=0V
单脉冲
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
0.1
2
3
5 7 1.0
5
°
C
--2
TC =
75
°
C
源出电流，是 - 个
2
2
3
5 7 10
2
3
漏极电流ID -
1000
7
5 7 100
IT14004
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
5
°
C
25
°
C
0
0.2
0.4
0.6
--25
°
C
TC =
7
0.8
SW时间 - ID
7
5
3
西塞，科斯，的Crss - VDS
西塞
二极管的正向电压， VSD - V
TC =
--25
°
C
25
°
C
120
1.0
单脉冲
切换时间， SW时间 - NS
5
3
2
VDD=20V
VGS=10V
西塞，科斯，的Crss - pF的
f=1MHz
2
TD （关闭）
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
0.1
tf
科斯
CRSS
tr
TD （上）
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
IT14006
100
7
0
5
10
15
20
25
30
IT14007
漏极电流ID -
漏极至源极电压VDS - V
第A1318-3 / 7
ATP203
10
9
VGS - 的Qg
VDS=15V
ID=75A
漏极电流ID -
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=225A
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
ID=75A
1m
10
s
10
ms
0m
s
PW≤10μs
10
1
0
μ
0
μ
s
s
DC
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
op
a
er
TIO
n
0.1
0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7
总栅极电荷QG - 数控
60
PD - 锝
IT14008
120
漏极至源极电压VDS - V
EAS - TA
IT14009
允许功耗， PD - 含
雪崩能量降额因子 - ％
50
100
40
80
30
60
20
40
10
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT14011
外壳温度，TC -
°C
IT14010
环境温度，钽 -
°C
第A1318-4 / 7
ATP203
大坪特定网络阳离子
ATP203-TL-H
第A1318-5 / 7
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AHE2812D/CH-SLV
AIML-0805
AM687DL
AD9767ASTZ
A63G7332
AME8500CEETDA16
AT40498-50
AP1115AV18LA
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    ATP203-TL-H
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