订购数量： ENA1646
ATP101
三洋半导体
数据表
ATP101
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
大电流。
修身包。
4.5V驱动器。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
--30
±20
-
-25
--75
30
150
--55到150
25
-
-13
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = -
-10V,
L=200
μ
H， IAV = - 13A
*2
L
≤
200
μ
H，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = - 30V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
评级
民
-
-30
-
-1
±10
典型值
最大
单位
V
μA
μA
标记： ATP101
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
12710PA TK IM TC- 00002233号A1646-1 / 4
ATP101
从接下页。
参数
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 10V ，ID = - 1毫安
VDS = - 10V ，ID = - 13A
ID = - 13A ， VGS = - 10V
ID = - 7A ， VGS = - 4.5V
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 15V ，V GS = - 10V ，ID = - 25A
VDS = - 15V ，V GS = - 10V ，ID = - 25A
VDS = - 15V ，V GS = - 10V ，ID = - 25A
IS = - 25A ， VGS = 0V
评级
民
--1.2
17
23
36
875
220
155
9.2
70
80
70
18.5
3.2
4.0
-
-0.99
--1.5
30
51
典型值
最大
-
-2.6
单位
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7057-001
6.5
0.5
1.5
0.4
4.6
2.6
0.4
4
7.3
1.7
2
0.5
1
0.8
2.3
2.3
3
9.5
0.55
0.7
0.6
4.6
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： ATPAK
开关时间测试电路
VIN
VDD = --15V
0V
--10V
0.1
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID = --13A
RL=1.15Ω
VOUT
P.G
ATP101
50Ω
S
6.05
第A1646-2 / 4
ATP101
--25
ID - VDS
--6
.0V
Tc=25
°
C
--30
ID - VGS
TC =
--25
°
C
75
°
25
°
C
C
VDS = --10V
单脉冲
V
--1
0.0V
--8
.0V
--4
.5
V
--4.0V
漏极电流ID -
--25
--20
漏极电流ID -
--20
--15
--16.
0
VGS = --3.5V
--15
--10
--10
25
°
C
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
IT15312
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--2
5
--3.0
--3.5
°
C
--5
TC =
7
--5
5
°
C
--4.0
--4.5
--5.0
漏极至源极电压VDS - V
80
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
80
RDS （ ON） - 锝
IT15313
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
70
60
50
40
30
20
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
Tc=25
°
C
单脉冲
单脉冲
70
60
50
40
30
20
10
0
--60
ID ↓
--7A
--13A
= --
， ID
4.5V
= --
V GS
7A
--13
,I
=
--10V
D
V GS =
A
10
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
5
|
y
fs
|
- ID
IT15314
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
外壳温度，TC -
°
C
IT15315
IS - VSD
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
VDS = --10V
3
2
VGS=0V
单脉冲
10
7
5
3
2
C
5
°
-2
-
=
Tc
°
C
75
源出电流，是 - 个
°
C
25
1.0
7
5
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2
--0.4
TC =
7
--0.6
--25
°
C
--0.8
5
°
C
25
°
C
--1.0
--1.2
--1.4
IT15317
漏极电流ID -
3
2
IT15316
3
2
SW时间 - ID
西塞，科斯，的Crss - VDS
二极管的正向电压， VSD - V
VDD = --15V
VGS = --10V
西塞，科斯，的Crss - pF的
TD （关闭）
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
100
7
5
3
2
1000
西塞
tf
tr
7
5
3
2
科斯
10
7
5
--0.1
2
3
5 7 --1.0
TD （上）
100
CRSS
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
7
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT15319
漏极电流ID -
IT15318
漏极至源极电压VDS - V
第A1646-3 / 4
ATP101
--10
--9
VGS - 的Qg
VDS = --15V
ID = --25A
漏极电流ID -
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
ASO
IDP = -
-75A
ID = -
-25A
PW≤10μs
1
0
μ
s
10
0
μ
s
1m
s
s
栅极 - 源极电压VGS - V
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
m
DC
op
0
10
操作
这个区域是
受限于R DS （ ON） 。
er
ATI
on
s
m
--0.1
--0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
总栅极电荷QG - 数控
35
PD - 锝
IT15320
120
漏极至源极电压VDS - V
EAS - TA
IT15321
允许功耗， PD - 含
30
25
20
15
10
5
0
雪崩能量降额因子 - ％
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT10478
外壳温度，TC -
°C
IT15322
环境温度，钽 -
°C
注意使用情况：由于ATP101是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
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超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
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采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
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