数据表
ATN3580系列：固定衰减器
特点
指定的平坦响应到40 GHz
●
回波损耗> 16分贝到40 GHz
●
可在1-10 ，12，15 ，20，30和40 dB的
●
功率处理能力为1 W CW
●
坚固的薄膜硅芯片
●
描述
该ATN3580系列衰减器芯片集成薄膜
在高电阻率硅芯片电阻，以实现精准
衰减，严密平整度和高回波损耗到40GHz 。该
设计采用了平衡TEE电阻的结构，以确保广大
带宽性能。薄膜技术的改进提供
电源在处理能力相比于传统的厚
薄膜印刷衰减。所有ATN3580衰减器芯片
对于在DC的衰减规定。此外，一个晶片探测
样品测试进行到40 GHz ，以确保满足
平整度规范。 Skyworks的测量表明，
典型的衰减随频率增加而增加，如
在图1中示出。
绝对最大额定值
特征
入射功率@ 25°C
工作温度
储存温度
价值
1W
-55 ° C至+175 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
性能保证仅在在规格表中列出的条件，是
下的绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。
超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久
损坏设备，并会导致保修失效。
注意事项：
虽然此设备被设计成如作为鲁棒
可能的话，静电放电（ ESD ）可能会损坏
此设备。此设备必须在任何时候都受到保护
从ESD 。静电荷可以很容易地产生电位
几千伏，对人体tials或
设备，它可以排出而不被发现。
行业标准的ESD防范措施，必须采用
在任何时候。
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
200141 Rev.A的 Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 2005年2月7日
1
数据表 ATN3580系列
电气规格在25℃
公称
衰减
（ dB）的
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
15
20
30
40
衰减
公差
@ DC （分贝）
± 0.15
± 0.15
± 0.25
± 0.25
± 0.25
± 0.25
± 0.25
± 0.35
± 0.35
± 0.35
± 0.50
± 0.50
± 1.10
± 1.60
± 1.60
平整度衰减
DC- 12 GHz的
（ dB）的
± 0.20
± 0.20
± 0.20
± 0.20
± 0.20
± 0.40
± 0.40
± 0.40
± 0.40
± 0.40
± 0.40
± 0.40
± 1.00
± 1.00
± 1.00
DC- 26.5 GHz的
（ dB）的
± 0.50
± 0.50
± 0.50
± 0.50
± 0.50
± 0.60
± 0.60
± 0.60
± 0.60
± 0.60
± 0.60
± 0.60
± 2.00
± 2.00
± 2.00
DC- 40 GHz的
（ dB）的
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 1.00
± 4.00
± 4.00
± 4.00
外形绘图
516-060
516-060
516-060
516-060
516-060
518-060
518-060
518-060
518-060
518-060
518-060
518-060
518-060
518-060
518-060
产品型号
ATN3580-01
ATN3580-02
ATN3580-03
ATN3580-04
ATN3580-05
ATN3580-06
ATN3580-07
ATN3580-08
ATN3580-09
ATN3580-10
ATN3580-12
ATN3580-15
ATN3580-20
ATN3580-30
ATN3580-40
回波损耗
ATN3580系列
DC- 7千兆赫（ dB）的
分钟。
22
DC- 12千兆赫（ dB）的
分钟。
20
DC - 26.5 GHz的（分贝）
分钟。
18
DC- 40千兆赫（ dB）的
分钟。
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数据表 ATN3580系列
典型性能数据
12.0
11.5
50
40
衰减（dB ）
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
0
10
20
30
40
回波损耗（分贝）
11.0
S
22
MAG 。
30
S
11
MAG 。
20
10
0
0
10
20
30
40
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1. ATN3580-10
衰减与频率的关系
图2. ATN3580-10
回波损耗与频率的关系
外形图
518-060
共面
电阻器
PADS MUST
接地
输入/输出
0.012 (0.30 mm)
0.010 （ 0.25mm）的典型。
0.030
(0.76 mm)
0.0045 (0.114 mm)
0.0035 (0.089 mm)
2个地方
见注3
2个地方
硅
0.0075 (0.190 mm)
0.0055 (0.140 mm)
IN
OUT
0.028
(0.71 mm)
516-060
0.0075 (0.191 mm)
0.0055 (0.140 mm)
输入/输出
0.002 (0.05 mm)
MIN 。 TYP 。
0.006 (0.15 mm)
0.004 (0.10 mm)
TYP 。 SQ 。
共面
电阻器，
PADS MUST
接地
0.032
0.029
(0.81 mm) (0.74 mm)
0.0055 (0.140 mm)
0.0045 (0.114 mm)
2个地方
见注3
2个地方
0.020
(0.51 mm)
0.026
(0.66 mm)
原理图ATT 。 PADS
硅
0.0075 (0.190 mm)
0.0055 (0.140 mm)
原理图ATT 。 PADS
IN
OUT
1.跨孵化=金触点区域。
在该图中未指定2维每衰减值而变化。
3.表示衰减值。
4.本DIM 。可以作为高衰减值highh 0.012 。
5.背面是金色的，不需要接地。
1.跨孵化=金触点区域。
在该图中未指定2维每衰减值而变化。
3.表示衰减值。
4.后表面是金，不需要接地。
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