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安捷伦ATF- 58143低噪声

增强型

在赝HEMT

表面贴装塑料包装

数据表

特点

低噪声和高线性度

性能

增强型技术

[1]

卓越的均匀性，在产品

特定网络阳离子

描述

安捷伦科技公司

ATF- 58143是一种高动态

范围，低噪声E- PHEMT

容纳在一个4引线SC-70

（ SOT - 343 ）表面贴装塑料

封装。

高增益的组合，

高线性度和低噪声

使ATF- 58143理想

低噪声放大器，用于蜂窝/

PCS / WCDMA基站，

无线本地环路，和其它

要求低的应用

噪声和高线性性能

曼斯在450 MHz至6 GHz的

频率范围。

表面贴装封装

SOT-343

低成本表面贴装小

塑料封装SOT - 343 （ 4领先

SC- 70），带盘式包装

可用选项

提供无铅选项

特定网络阳离子

2 GHz的; 3V 30 mA（典型值）

引脚连接和

包装标志

30.5 dBm的输出3

rd

为了拦截

19 dBm的输出功率1分贝

0.5分贝的噪音图

来源

8Fx

漏

16.5分贝相关增益

应用

Q1 LNA蜂窝/ PCS / WCDMA

基站

Q1，Q2 LNA和预驱动器

放大器3-4千兆赫WLL

其它低噪声和高线性

在450 MHz至6 GHz的应用

注意：

1.增强型技术要求

正的Vgs ，从而省去了

与相关联的负栅极电压

传统的耗尽型器件。

来源

门

注意：

俯视图。包装标识规定的方向

和鉴定

“ 8楼” =器件代码

“X” =日期代码字符

确定每月生产。

注意事项：

请遵守注意事项

静电处理

敏感的设备。

ESD机模型（ A类）

ESD人体模型（ 0级）

参见安捷伦应用笔记A004R ：

静电放电危害及防治。

ATF- 58143绝对最大额定值

[1]

符号

V

DS

V

GS

V

GD

I

DS

P

DISS

P

在MAX中。

I

GS

T

CH

T

英镑

θ

jc

参数

漏源电压

[2]

栅源电压

[2]

门漏极电压

[2]

漏电流

[2]

总功耗

[3]

RF输入功率

门源电流

通道温度

储存温度

热阻

[4]

单位

V

mA

mW

DBM

mA

°C

° C / W

绝对

最大

5

-5 1

100

500

+13

5]

2

[5]

150

-65到150

162

注意事项：

上述中的任一项1.操作此装置的

这些参数可能会导致永久性的

损害。

2.假设DC静态条件。

3.源铅温度为25 ℃。减额

6.2毫瓦/°C，对于T

L

> 33 ℃。

使用测量4.热阻

150℃的液晶测量方法。

5.该设备可以处理13 dBm的RF输入

电源提供了我

GS

被限制为2毫安。我

GS

at

P

1dB

驱动电平偏置电路有关。看

有关其他信息，应用部分。

120

100

80

I

DS

（MA ）

60

40

20

0

1

2

3

4

5

6

7

V

DS

(V)

图1：典型的I -V曲线（V

GS

每步= 0.1V ）

产品的一致性分布图表

[6, 7]

-150

Cpk=2.735

Stdev=0.049

-125

-100

-75

-50

-25

0

0.3

0.4

0.5

0.6

NF（ dB）的

0.7

0.8

15

16

增益（dB ）

17

18

Cpk=1.953

Stdev=0.2610

Cpk=1.036

Stdev=0.509

28

29

30

31

32

33

34

OIP3 （ dBm的）

图2. NF @ 3V 30毫安。

USL = 0.9 ，额定= 0.5

图3.增益@ 3V 30毫安。

USL = 18.5 ， LSL = 15，额定= 16.5

图4. OIP3 @ 3V 30毫安。

LSL = 29 ，额定= 30.5

注意事项：

6.分布数据样本大小是从3个不同的晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方

间的上限和下限。

7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷

生产测试设备。电路损耗已解嵌，从实际测量。

2

ATF- 58143电气规格

T

A

= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数

符号

VGS

VTH

IDSS

Gm

IGSS

NF

参数和测试条件

运营栅极电压

阈值电压

饱和漏极电流

跨

栅极漏电流

噪声系数

[1]

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

F = 2 GHz的

F = 900兆赫

VDS = 3V ， IDS = 30毫安

VDS = 3V ， IDS = 4毫安

VDS = 3V ， VGS = 0V

VDS = 3V ， GM =

ΔIdss / ΔVGS ;

-VGS

= 0.75 – 0.7 = 0.05V

VGD = VGS = -3V

VDS = 3V ， IDS = 30毫安

VDS = 4V ， IDS = 30毫安

VDS = 3V ， IDS = 30毫安

VDS = 4V ， IDS = 30毫安

VDS = 3V ， IDS = 30毫安

VDS = 4V ， IDS = 30毫安

VDS = 3V ， IDS = 30毫安

VDS = 4V ， IDS = 30毫安

单位

V

A

mmho

A

dB

DBM

分钟。

0.4

0.18

—

230

—

15

—

29

—

典型值。

[2]

0.51

0.38

1

410

—

0.5

0.3

0.5

0.3

16.5

23.1

17.7

22.5

30.5

28.6

31.5

31.0

19

18

21

19

马克斯。

0.75

0.52

5

560

200

0.9

—

18.5

—

Ga

相关的增益

[1]

OIP3

输出3

rd

订单

截取点

[1]

P1dB

1分贝压缩

输出功率

[1]

注意事项：

采用图5所示的生产测试板上获得1测量。

2.典型值从500份样品尺寸来确定来自3的晶片。

28.2 + j9.4

51 – j3.3

RFIN

输入

匹配

产量

匹配

RFOUT

0.7分贝损失

0.6分贝损失

使用2 GHz的生产测试板图5.框图的噪声系数，相关的增益，

的P1dB和OIP3测量。该电路表示一个最佳的噪声之间的折衷

匹配和相关的阻抗匹配电路的损失。

3

C2

L1

C5

C1

C2

C3

C4

C5

ATF-58143

S

J2

C4

S

J1

G

C1

R1

AGILENT

技术

C3

R1

L1

J1

J2

J3

J4

： 2.7 pF的上限（ 0603 ）

： 1 pF的上限（ 0603 ）

：1200 pF的上限（ 0603 ）

： 120 pF的上限（ 0402 ）

：1200 pF的上限（ 0603 ）

： 49.9欧姆（ 0603 ）

： 56 NH（ 0603 ）

： 0欧姆，跳线（ 0805 ）

： 0欧姆，跳线（ 0402 ）

图6.特写生产试验局。

ATF- 58143典型性能曲线

0.7

0.8

0.7

0.6

0.5

增益（dB ）

3V

4V

A

0.5

0.4

0.3

0.2

3V

4V

19

18

17

16

15

14

13

12

0

10

20

30

40

50

60

70

0

10

20

30

40

50

60

70

IDS （毫安）

3V

4V

FMIN （ dB）的

0.4

0.3

FMIN （ dB）的

0.1

70

0

0.2

0

10

20

30

40

50

60

IDS （毫安）

图7. FMIN与IDS和VDS的调谐

最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。

25

24

23

图8. FMIN与IDS和VDS的调谐

最大的OIP3和FMIN在900MHz 。

42

37

32

27

22

17

12

图9.增益与IDS和VDS的调谐

最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。

40

35

OIP3 （ dBm的）

3V

4V

OIP3 （ dBm的）

增益（dB ）

22

21

20

19

18

0

10

20

30

40

50

60

70

IDS （毫安）

3V

4V

30

25

20

3V

4V

15

0

10

20

30

40

50

60

70

0

10

20

30

40

50

60

70

IDS （毫安）

图10.增益与IDS和VDS的调谐

最大的OIP3和FMIN在900MHz 。

图11. OIP3与IDS和VDS的调谐

最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。

图12. OIP3与IDS和VDS的调谐

最大的OIP3和FMIN在900MHz 。

4

ATF- 58143典型性能曲线，

持续

24

22

20

18

16

14

12

3V

4V

23

22

21

1.5

P1dB的（ DBM）

19

18

17

16

15

3V

4V

FMIN （ dB）的

0.5

25°C

-40°C

85°C

20

1.0

0

10

20

30

40

50

60

70

0

1

2

3

4

5

6

IDQ （毫安）

频率（GHz ）

0

10

20

30

40

50

60

70

IDQ （毫安）

图13. P1dB为与IDQ和VDS的调谐

[1]

最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。

30

图14的P1dB与IDQ和VDS的调谐

[1]

最大的OIP3和FMIN在900MHz 。

35

图15. FMIN与频率和温度。

调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。

20.0

19.5

25

30

19.0

P1dB的（ DBM）

25°C

-40°C

85°C

OPI3 （ dBm的）

增益（dB ）

20

25

18.5

18.0

17.5

17.0

16.5

16.0

25°C

-40°C

85°C

15

20

10

25°C

-40°C

85°C

15

5

0

1

2

3

4

5

6

频率（GHz ）

10

0

1

2

3

4

5

6

频率（GHz ）

0

1

2

3

4

5

6

频率（GHz ）

图16.增益与频率和温度。

调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。

图17. OIP3与频率和温度。

调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。

图18的P1dB与频率和温度。

调整为最大的OIP3和FMIN在3V 30毫安。

注意：

1.当绘制的P1dB ，漏极电流为

允许变化依赖于RF输入功率。

5