安捷伦ATF- 551M4低噪声
增强型
在赝HEMT
微型无铅封装
数据表
特点
非常低的噪声指数和高
线性
单电源增强模式
技术
[1]
为3V优化
手术
描述
安捷伦科技公司ATF- 551M4
是一种高动态范围，超
低噪声，单电源供电
E- pHEMT制的GaAs FET封装在一个
超薄的微型无铅封装。
小装置组合
尺寸，超低噪音（下1分贝
FMIN从2到6 GHz ），高
线性度和低功率品牌
在ATF- 551M4理想的低噪声放大器或
在无线混合动力模块设计
在450 MHz至少接收器
10 GHz频段。
应用包括蜂窝/
PCS / WCDMA手机和数据
调制解调器卡，固定无线
在2.4 ， 3.5 GHz的基础设施
和UNII频段，如
以及2.4GHz的802.11b的5 GHz的
802.11a和HIPERLAN / 2
无线局域网PC卡。
MINIPAK 1.4毫米×1.2毫米包装
卓越的均匀性，在产品
特定网络阳离子
400微米的栅宽
薄型微型封装
1.4毫米×1.2毫米× 0.7毫米
带盘式包装选项
可用的
引脚连接和
包装标志
来源
3脚
漏
引脚4
Vx
特定网络阳离子
2 GHz的; 2.7V 10 mA（典型值）
24.1 dBm的输出3
rd
为了拦截
14.6 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
0.5分贝的噪音图
17.5分贝相关的增益
Vx
门
销2
来源
销1
注意：
俯视图。包装标识规定的方向，
产品标识和日期代码。
“V ” =设备类型代码
“X” =日期代码字符。不同的
字符被分配给每个月份和
年。
应用
低噪声放大器：
- 蜂窝/ PCS / WCDMA手工
集和调制解调器卡
- 的2.4 GHz ，3.5 GHz和UNII固定
无线基础设施
- 2.4GHz的802.11b无线局域网
- 5GHz的802.11a和HIPERLAN
无线局域网
通用离散E- PHEMT
其他超低噪声应用
注意：
1.安捷伦的增强模式E- pHEMT制
设备可用的第一个商业化
单电源的GaAs晶体管不
需要一个负栅极偏置电压为
操作。他们可以帮助简化设计
和降低接收机的成本和
在许多应用中的发射机
450MHz到10GHz的频率范围。
ATF- 551M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
[5]
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 1
-5 1
100
1
270
+10
150
-65到150
240
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
6毫瓦/ ° 对于T
L
> 40℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.设备可以安全地处理+ 10dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为1毫安。我
GS
at
P
1dB
RF驱动电平偏置电路有关。
有关其它应用部分
信息。
70
60
50
I
DS
（MA ）
0.7V
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
0.6V
0.5V
0.4V
0.3V
7
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
产品的一致性分布图表
[6]
180
150
120
标准-3
90
60
150
CPK = 1.64
标准偏差= 0.19
120
CPK = 2.85
标准偏差= 0.25
160
CPK = 2.46
标准偏差= 0.06
120
3性病
90
标准-3
80
3性病
60
30
0
30
40
0
15
16
17
增益（ dBm的）
18
19
22
23
24
OIP3
25
26
0
0.29
0.49
0.69
NF
0.89
1.09
图2.绘图能力的增益@ 2.7 V ，
10毫安。 LSL = 15.5 ，额定= 17.5 ，
USL = 18.5
图3.绘图能力的OIP3 @ 2.7 V ，
10毫安。 LSL = 22.0 ，额定= 24.1
图4.绘图能力为NF @ 2.7 V ，
10毫安。额定= 0.5 ， USL = 0.9
注意：
6.分布数据样本大小是从4个不同的晶片取398样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。就生产测试板测量。该电路代表最佳噪声匹配之间的权衡
并根据生产测试设备realizeable匹配。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 551M4电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
收益
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 2毫安
VDS = 2.7V ， VGS = 0V
VDS = 2.7V ，克=
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= 0.75 – 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -2.7V
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 3V ， IDS = 20毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 3V ， IDS = 20毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 3V ， IDS = 20毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 3V ， IDS = 20毫安
单位
V
V
A
mmho
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
0.3
0.18
—
110
—
—
—
15.5
—
22
—
—
—
典型值。
0.47
0.37
0.1
220
—
0.5
0.5
17.5
18.0
24.1
30.0
14.6
16.0
马克斯。
0.65
0.53
3
285
95
0.9
—
18.5
—
—
—
—
—
注意事项：
使用获得的测量1.生产测试板描述在图5的典型值是从398份样本量，从确定
4片。
输入
50Ω输入
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.3
Γ_ang
= 11°
（0.3 dB损耗）
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.3
Γ_ang
= 9°
（0.9 dB损耗）
50Ω输出
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
用于噪声系数，增益， P1dB为， OIP3和IIP3测量2 GHz的生产测试板图5.框图。该电路代表
最佳噪声匹配，最大匹配的OIP3和相关的阻抗匹配电路损耗之间的折衷。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
ATF- 551M4电气规格
（见注2和3中，所指示的）
符号
FMIN
参数和测试条件
最小噪声科幻gure
[2]
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.27
0.41
0.61
0.88
21.8
17.9
14.2
12.0
22.1
24.3
24.5
14.3
14.5
14.3
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Ga
相关的增益
[2]
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
1分贝压缩
输出功率
[3]
P1dB
注意事项：
2.值Fmin值是基于一组16在使用的ATN NP5测试系统16不同的阻抗制成的噪声系数的测量。从这些
FMIN测量计算。请参考噪声参数测量部分以获取更多信息。
上面和下面2 GHz的拍摄3.测量是使用双短线调谐器在输入调谐低噪声和双短线调谐器在作出
输出调整为最大的OIP3 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 551M4典型性能曲线
26
25
24
增益（dB ）
FMIN （ dB）的
23
22
21
20
19
18
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
2V
2.7V
3V
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
OIP3 （ dBm的）
2V
2.7V
3V
32
30
28
26
24
22
20
18
16
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
2V
2.7V
3V
图6.增益与我
ds
和V
ds
在900兆赫
[1]
.
图7. FMIN与我
ds
和V
ds
在900兆赫
[2]
.
图8. OIP3与我
ds
和V
ds
在900兆赫
[1]
.
7
6
5
P1dB的（ DBM）
2V
2.7V
3V
18
17
16
15
14
13
12
11
10
35
9
0
5
10
15
20
25
2V
2.7V
3V
IIP3 （ dBm的）
4
3
2
1
0
-1
-2
0
5
10
15
20
25
30
30
35
I
ds
（MA ）
I
dq
（MA ）
图9. IIP3与我
ds
和V
ds
在900兆赫
[1]
.
图10的P1dB与我
dq
和V
ds
在900兆赫
[1]
.
注意事项：
1.测量频率为900MHz采用的ICM灯具具有双重短线调谐器的输入端调整为低噪声和双短线调谐器的制作
输出调整为最大的OIP3 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2.值Fmin值是基于一组16在使用的ATN NP5测试系统16不同的阻抗制成的噪声系数的测量。从这些
FMIN测量计算。请参考噪声参数测量部分以获取更多信息。
3. P1dB的测量与被动偏置进行。静态漏电流， Idsq ，置零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，在
漏电流可能增加或点。在Idsq的值越低，该设备附近运行到B类功率输出接近的P1dB 。这导致
更高的P1dB和更高的PAE （功率附加效率）时相比，通过一个恒定电流源来驱动，典型的做法是用一个装置
有源偏置。作为一个例子，在一个VDS = 2.7V和Idsq = 5毫安，标识加15mA时为14.5 dBm的P1dB的逼近。
4
ATF- 551M4典型性能曲线，
持续
20
0.6
0.5
0.4
增益（dB ）
18
FMIN （ dB）的
0.3
0.2
16
2V
2.7V
3V
36
19
32
OIP3 （ dBm的）
2V
2.7V
3V
28
17
24
0.1
0
20
2V
2.7V
3V
15
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
16
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
I
ds
（MA ）
图11.增益与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
图12. FMIN与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[2]
.
图13. OIP3与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
18
16
14
17
16
15
IIP3 （ dBm的）
12
的P1dB （分贝）
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
2V
2.7V
3V
14
13
12
11
10
2V
2.7V
3V
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
I
dq
（MA ）
图14. IIP3与我
ds
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
图15的P1dB与我
dq
和V
ds
在2 GHz
[1]
.
注意事项：
1.测量在2 GHz的偏压2.7V ， 10毫安是在一个固定的调整生产测试板被调整为最佳的OIP3比赛与制作
合理的噪声系数。该电路代表之间的最佳噪声匹配，最大OIP3匹配以及基于变现匹配的权衡
生产测试板的要求。测量结果比2.7V采取其他以及10 mA偏置是使用双短线调谐器的输入端调整为做
低噪声和双短线调谐器在调谐为最大的OIP3的输出。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2.值Fmin值是基于一组16在使用的ATN NP5测试系统16不同的阻抗制成的噪声系数的测量。从这些
FMIN测量计算。请参考噪声参数测量部分以获取更多信息。
3. P1dB的测量与被动偏置进行。静态漏电流， Idsq ，置零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，在
漏电流可能增加或点。在Idsq的值越低，该设备附近运行到B类功率输出接近的P1dB 。这导致
更高的P1dB和更高的PAE （功率附加效率）时相比，通过一个恒定电流源来驱动，典型的做法是用一个装置
有源偏置。作为一个例子，在一个VDS = 2.7V和Idsq = 5毫安，标识加15mA时为14.5 dBm的P1dB的逼近。
5
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