ATF-55143
低噪声增强模式伪HEMT
在一个表面贴装塑料封装
数据表
描述
Avago的ATF- 55143是一款高动态范围，
非常低的噪声，单电源E- PHEMT装在一个
4引脚SC- 70 （ SOT- 343 ）表面贴装塑料封装。
的高增益，高线性度和低的组合
噪音使ATF- 55143适用于蜂窝/ PCS手工
台，无线数据系统（ WLL / RLL ， WLAN和MMDS ）
和其它系统中的450MHz到6GHz的频率
范围内。
特点
高线性度性能
单电源增强模式技术
[1]
非常低的噪声音响gure
优异的均匀度在产品规格
400微米的栅宽
低成本表面贴装小型塑料封装SOT-
343 （ 4引线SC- 70 ）
可带盘式包装选项
无铅选项可用
表面贴装封装SOT- 343
特定网络阳离子
2 GHz的; 2.7V 10 mA（典型值）
24.2 dBm的输出3
rd
为了拦截
14.4 dBm的输出功率为1 dB增益压缩
0.6分贝噪声系数
17.7分贝相关增益
无铅选项可用
引脚连接和封装标识
5Fx
漏
来源
应用
低噪声放大器，用于蜂窝/ PCS手机
LNA的WLAN， WLL / RLL和MMDS的应用
通用离散E- PHEMT其他超低
噪声应用
注意：
1.增强型技术需要积极的栅极电压，从而
省去了与相关联的负栅极电压
传统的耗尽型器件。
来源
门
注意：
俯视图。包装标识提供了方向和鉴定
“ 5F ” =器件代码
“X” =日期代码字符识别本月生产。
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
ATF- 55143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
[5]
总功耗
[3]
RF输入功率
[5]
（VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安）
（VDS = 0V ， IDS = 0毫安）
通道温度
储存温度
热阻
[4]
ESD（人体模型）
ESD（机器型号）
单位
V
V
V
mA
mA
mW
DBM
DBM
°C
°C
° C / W
V
V
70
60
50
I
DS
（MA ）
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
绝对
最大
5
-5 1
-5 1
100
1
270
10
10
150
-65到150
235
200
25
0.7V
T
CH
T
英镑
jc
注意事项：
这些参数中的任何一个大于1的操作此设备可能
会造成永久性的损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额4.3毫瓦/°C，对于T
L
> 87℃ 。
用150 ℃的液晶测量测量4.热阻
精神疾病的方法。
5.设备只要能够安全地处理+ 10dBm的RF输入功率为我
GS
is
限制为1毫安。我
GS
在P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
有关其他信息，应用部分。
0.6V
0.5V
0.4V
0.3V
6
7
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
300
250
200
120
150
100
50
0
22
23
24
OIP3 （ dBm的）
25
26
40
标准-3
80
80
40
0
0.43
标准-3
3性病
120
3性病
CPK = 2.02
标准偏差= 0.36
200
CPK = 1.023
标准偏差= 0.28
160
240
200
160
CPK = 3.64
标准偏差= 0.031
0
15
16
17
增益（dB ）
18
19
0.53
0.63
0.73
0.83
0.93
NF（ dB）的
图2. OIP3 @ 2.7 V，10 mA的电流。
LSL = 22.0 ，额定= 24.2
图3.增益@ 2.7 V，10 mA的电流。
USL = 18.5 ， LSL = 15.5 ，额定= 17.7
图4. NF @ 2.7 V，10 mA的电流。
USL = 0.9 ，额定= 0.6
注意事项：
6.分布数据样本大小是从6个不同晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
间的上限和下限的任何地方。
7.测量就生产测试板。该电路表示一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
根据生产测试设备。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 55143电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
Ga
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
栅极漏电流
噪声系数
[1]
相关的增益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 2毫安
VDS = 2.7V ， VGS = 0V
VDS = 2.7V ，克=
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= 0.75 – 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -2.7V
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
VDS = 2.7V ， IDS = 10毫安
单位
V
V
μA
mmho
μA
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
0.3
0.18
—
110
—
—
—
15.5
—
22.0
—
—
—
典型值。
[2]
0.47
0.37
0.1
220
—
0.6
0.3
17.7
21.6
24.2
22.3
14.4
14.2
马克斯。
0.65
0.53
3
285
95
0.9
—
18.5
—
—
—
—
—
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
注意事项：
采用图5所示的生产测试板上获得1测量。
2.典型值从500份样品尺寸来确定从6晶片。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.4
Γ_ang
= 83°
（0.3 dB损耗）
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.5
Γ_ang
= -26°
（1.2 dB损耗）
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
用于噪声系数，相关的增益， P1dB为， OIP3和IIP3测量2 GHz的生产测试板图5.框图。该电路表示之间的折衷
最佳噪声匹配，最大匹配的OIP3和相关的阻抗匹配电路损耗。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 55143典型性能曲线
30
1.2
1.0
0.8
27
25
23
21
19
17
15
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
25
20
0.6
0.4
15
10
2V ， 10毫安
2.7V ， 10毫安
0.2
0
2V ， 10毫安
2.7V ， 10毫安
OIP3 （ dBm的）
增益（dB ）
FMIN （ dB）的
2V ， 10毫安
2.7V ， 10毫安
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图6.增益与偏置频率。
[1]
图7. FMIN与频率和偏差。
图8. OIP3与偏置频率。
[1]
15
16
21
20
10
14
P1dB的（ DBM）
IIP3 （ dBm的）
19
12
5
增益（dB ）
18
17
0
2V ， 10毫安
2.7V ， 10毫安
10
2V ， 10毫安
2.7V ， 10毫安
16
15
2V
2.7V
3V
-5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
8
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
图9. IIP3与偏置频率。
[1]
图10. P1dB为与偏置频率。
[1,2]
图11.增益与我
ds
和V
ds
在2 GHz 。
[1]
0.60
0.55
0.50
35
33
31
16
14
12
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
2V
2.7V
3V
27
25
23
21
19
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
2V
2.7V
3V
IIP3 （ dBm的）
FMIN （ dB）的
0.45
OIP3 （ dBm的）
29
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
2V
2.7V
3V
图12. FMIN与我
ds
和V
ds
在2 GHz 。
图13. OIP3与我
ds
和V
ds
在2 GHz 。
[1]
图14. IIP3与我
ds
和V
ds
在2 GHz 。
[1]
注意事项：
1.测量在2 GHz的是在一个固定的调整生产测试板被调整为最佳的OIP3配以合理的噪声系数做
在2.7 V以及10 mA偏置。该电路代表之间的最佳噪声匹配，最大OIP3匹配以及基于变现匹配的权衡
生产测试板的要求。上面和下面2 GHz的采取测量是使用双短线调谐器在输入调谐用于制成
低噪声和双短线调谐器在调谐为最大的OIP3的输出。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2. P1dB的测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P1dB的逼近，
漏电流可能增加或减少取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
，设备运行接近类
B的输出功率接近的P1dB 。这导致更高的P1dB和更高的PAE （功率附加效率）相比，一个装置，其
由恒流源作为典型的做法是用有源偏置驱动。作为一个例子，在一个V
DS
= 2.7V和我
DSQ
= 5毫安，我
d
增加到15毫安
为14.5 dBm的P1dB为一个逼近。
4
ATF- 55143典型性能曲线，继续
17
16
15
P1dB的（ DBM）
增益（dB ）
25
24
0.35
0.30
23
FMIN （ dB）的
2V
2.7V
3V
14
13
12
11
10
0
5
10
15
20
25
30
35
I
dq
（MA ）
2V
2.7V
3V
22
21
20
0.25
0.20
2V
2.7V
3V
0.15
19
18
0
5
10
15
20
25
30
0.10
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
I
ds
（MA ）
[1]
图15的P1dB与我
dq
和V
ds
在2 GHz 。
[1,2]
图16.增益与我
ds
和V
ds
在900兆赫。
图17. FMIN与我
ds
和V
ds
在900兆赫。
32
30
28
OIP3 （ dBm的）
IIP3 （ dBm的）
7
6
5
P1dB的（ DBM）
17
16
15
14
13
12
11
2V
2.7V
3V
2V
2.7V
3V
26
24
22
20
18
16
0
5
10
15
20
25
30
35
I
ds
（MA ）
2V
2.7V
3V
4
3
2
1
0
-1
-2
0
5
10
15
20
25
10
9
35
0
5
10
15
20
25
30
30
35
I
ds
（MA ）
I
dq
（MA ）
图18. OIP3与我
ds
和V
ds
在900兆赫。
[1]
图19. IIP3与我
ds
和V
ds
在900兆赫。
[1]
图20. P1dB为与我
dq
和V
ds
at
900兆赫。
[1,2]
注意事项：
1.测量在2 GHz的是在一个固定的调整生产测试板被调整为最佳的OIP3配以合理的噪声系数做
在2.7 V以及10 mA偏置。该电路代表之间的最佳噪声匹配，最大OIP3匹配以及基于变现匹配的权衡
生产测试板的要求。上面和下面2 GHz的采取测量是使用双短线调谐器在输入调谐用于制成
低噪声和双短线调谐器在调谐为最大的OIP3的输出。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2. P1dB的测量与被动偏置进行。静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P1dB的逼近，
漏电流可能增加或减少取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
，设备运行接近类
B的输出功率接近的P1dB 。这导致更高的P1dB和更高的PAE （功率附加效率）相比，一个装置，其
由恒流源作为典型的做法是用有源偏置驱动。作为一个例子，在一个V
DS
= 2.7V和我
DSQ
= 5毫安，我
d
增加到15毫安
为14.5 dBm的P1dB为一个逼近。
5
QQ：2881677436 复制
