安捷伦ATF- 541M4低噪声
增强型
在赝HEMT
微型无铅封装
数据表
特点
高线性度性能
单电源增强模式
技术
[1]
极低的噪声系数
卓越的均匀性,在产品
特定网络阳离子
800微米的闸门宽度
微型无铅封装
1.4毫米×1.2毫米× 0.7毫米
带盘式包装选项
可用的
特定网络阳离子
2 GHz的; 3V 60 mA(典型值)
引脚连接和
包装标志
来源
3脚
漏
引脚4
描述
安捷伦科技公司
ATF- 541M4是高线性度,
低噪声,单电源供电
E- PHEMT装在一个缩影
无铅封装。
该ATF- 541M4的小尺寸和
低调,使得它非常适合
混合模块的设计和
其他空间的约束装置。
该设备可以在应用程序中使用
阳离子如TMA和前
结束LNA的蜂窝/ PCS和
WCDMA基站, LNA和
驱动放大器无线
数据和802.11b无线局域网。
此外,该设备的出众
RF性能更高
频率使其成为理想的
候选高频
应用例如WLL ,
802.11 WLAN , 5-6 GHz的UNII
和HIPERLAN应用。
MINIPAK 1.4毫米×1.2毫米包装
Rx
35.8 dBm的输出3
rd
为了拦截
21.4 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
0.5分贝的噪音图
来源
销1
Rx
门
销2
17.5分贝相关的增益
应用
低噪声放大器和驱动程序
放大器蜂窝/ PCS和
WCDMA的基站
LNA和驱动放大器
WLAN, WLL / RLL和MMDS
应用
通用离散E- PHEMT
在超低噪声应用
在450 MHz至10 GHz的频率
范围
注意:
1.增强型技术要求
正的Vgs ,从而省去了
与相关联的负栅极电压
传统的耗尽型器件。
注意:
俯视图。包装标识规定的方向,
产品标识和日期代码。
“R” =设备类型代码
“X” =日期代码字符。不同的
字符被分配给每个月份和
年。
ATF- 541M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
[5]
总功耗
[3]
RF输入功率
[5]
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 1
-5 1
120
2
360
13
150
-65到150
212
注意事项:
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
4.7毫瓦/°C,对于T
L
> 74 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理13 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
有关其他信息,应用部分。
120
100
80
I
DS
(MA )
0.7V
0.6V
60
0.5V
40
20
0
0.4V
0.3V
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
图1:典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V)的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
320
320
CPK = 0.85
标准偏差= 1.14
CPK = 1.16
标准偏差= 0.30
240
300
250
200
CPK = 1.72
标准偏差= 0.072
240
标准-3
160
160
标准-3
3性病
150
100
3性病
80
80
50
0
0
29
32
35
OIP3 ( dBm的)
38
41
15
16
17
18
增益(dB )
19
20
0
0.3
0.5
0.7
NF( dB)的
0.9
1.1
图2. OIP3 @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 33.0 ,标称= 35.82
图3.增益@ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 15.5 ,额定= 17.5 , USL = 18.5
图4. NF @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
额定= 0.5 , USL = 0.9
注意事项:
6.分布数据样本大小是从6个不同晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。电路损耗已解嵌,从实际测量。
2
ATF- 541M4电气规格
T
A
= 25℃时,在一个测试电路,用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
收益
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 4毫安
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V , GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= 0.75 – 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -3V
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
单位
V
V
A
mmho
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
0.4
0.18
—
230
—
—
—
15.5
—
33
—
—
—
典型值。
0.58
0.36
0.28
398
—
0.5
0.5
17.5
18.1
35.8
35.9
21.4
22.1
马克斯。
0.75
0.52
5
560
200
0.9
—
18.5
—
—
—
—
—
注意事项:
采用图5所示的生产测试板上获得1测量。
输入
50 OHM
传输
线,包括
栅极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.11
Γ_ang
= 141°
(0.5 dB损耗)
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.314
Γ_ang
= -167°
(0.5 dB损耗)
50 OHM
传输
线,包括
漏极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
产量
用于噪声系数,增益, P1dB为, OIP3和OIP3测量2 GHz的生产测试板图5.框图。该电路代表
最佳噪声匹配,最大匹配的OIP3和相关的阻抗匹配电路损耗之间的折衷。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
符号
FMIN
参数和测试条件
最小噪声科幻gure
[2]
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.16
0.46
0.8
1.17
22.4
18.7
14.5
11.9
35
35.1
36.6
37.6
19.5
20.8
20.4
19.4
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Ga
相关的增益
[2]
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
P1dB
1分贝压缩
输出功率
[3]
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
注意事项:
2. FMIN和最小噪声系数相关联的增益( Ga)的值是基于对一组16个噪声系数测量在16个不同的阻抗制成
使用ATN NP5测试系统。从这些测量值的真FMIN和Ga的计算方法。请参考噪声参数的应用程序部分,更
信息。
3. P
1dB
而在洲际微波炉( ICM)测试夹具采用双存根调谐器和偏压T型接头制作OIP3测量。输入被调整为
最小噪声系数和输出被调整为最大的OIP3 。
3
ATF- 541M4典型性能曲线
0.60
0.26
0.24
0.55
0.22
FMIN ( dB)的
分贝/ dBm的
40
35
30
25
20
15
10
收益
OIP3
P1dB
FMIN ( dB)的
0.50
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.45
0.40
0.35
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0.10
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
I
ds
(MA )
图6. FMIN与我
ds
在2 GHz ,V
ds
= 3V
[1]
图7. FMIN与我
ds
在900兆赫,V
ds
= 3V
[1]
图8.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在2 GHz ,
V
ds
= 3V
[2]
.
30
40毫安
60毫安
80毫安
40
收益
OIP3
P1dB
2.5
35
2.0
25
分贝/ dBm的
25
1.0
80毫安
60毫安
40毫安
嘎(分贝)
30
FMIN ( dB)的
1.5
20
15
20
0.5
10
15
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
5
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
图9.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在900 MHz时,
V
ds
= 3V
[3]
.
图10. FMIN与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
图11.嘎与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
注意事项:
1. FMIN和最小噪声增益相关
图中( Ga)的值是根据一组
16日做出的噪声系数测量
使用ATN NP5 16个不同的阻抗
测试系统。从这些测量值的真
的fmin和Ga的计算方法。参考噪声
更多的参数,应用程序部分
信息。
使用生产获得2.测量
试验板描述在图5中。
3.输入调整为最低NF和输出
调整最大的OIP3使用
洲际微波炉( ICM )测试
夹具,双存根调谐器和偏压T型接头。
4
ATF- 541M4典型性能曲线,
持续
30
25
20
15
10
5
0
25°C
-40°C
85°C
45
40
35
OIP3 ( dBm的)
2.0
25°C
-40°C
85°C
1.5
NF( dB)的
25°C
-40°C
85°C
增益(dB )
30
25
20
15
10
1.0
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
频率(GHz )
频率(GHz )
图12.增益与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图13. OIP3与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图14. NF与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
23
22
21
20
19
18
17
25°C
-40°C
85°C
P1dB的( DBM)
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
图15的P1dB与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
ATF- 541M4输出反射系数参数调谐
为了获得最大的输出IP3
[1]
; V
DS
= 3V ,我
DS
= 60毫安
频率
(千兆赫)
0.9
2.0
3.9
5.8
伽玛
[2]
Out_Mag 。
( MAG )
0.006
0.314
0.321
0.027
伽玛
[2]
Out_Mag 。
(度)
23
-167
134
89
OIP3
( dBm的)
35.04
35.82
36.60
37.62
P1dB
( dBm的)
19.47
21.36
20.37
19.38
注意事项:
1.输入调整为最小的NF和输出调整为最大的OIP3
使用微波炉洲际( ICM )测试夹具,双存根
调谐器和偏压T型接头。
2.伽玛输出是匹配电路的反射系数呈现
到该装置的输出。
5
安捷伦ATF- 541M4低噪声
增强型
在赝HEMT
微型无铅封装
数据表
特点
高线性度性能
单电源增强模式
技术
[1]
极低的噪声系数
卓越的均匀性,在产品
特定网络阳离子
800微米的闸门宽度
微型无铅封装
1.4毫米×1.2毫米× 0.7毫米
带盘式包装选项
可用的
特定网络阳离子
2 GHz的; 3V 60 mA(典型值)
引脚连接和
包装标志
来源
3脚
漏
引脚4
描述
安捷伦科技公司
ATF- 541M4是高线性度,
低噪声,单电源供电
E- PHEMT装在一个缩影
无铅封装。
该ATF- 541M4的小尺寸和
低调,使得它非常适合
混合模块的设计和
其他空间的约束装置。
该设备可以在应用程序中使用
阳离子如TMA和前
结束LNA的蜂窝/ PCS和
WCDMA基站, LNA和
驱动放大器无线
数据和802.11b无线局域网。
此外,该设备的出众
RF性能更高
频率使其成为理想的
候选高频
应用例如WLL ,
802.11 WLAN , 5-6 GHz的UNII
和HIPERLAN应用。
MINIPAK 1.4毫米×1.2毫米包装
Rx
35.8 dBm的输出3
rd
为了拦截
21.4 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
0.5分贝的噪音图
来源
销1
Rx
门
销2
17.5分贝相关的增益
应用
低噪声放大器和驱动程序
放大器蜂窝/ PCS和
WCDMA的基站
LNA和驱动放大器
WLAN, WLL / RLL和MMDS
应用
通用离散E- PHEMT
在超低噪声应用
在450 MHz至10 GHz的频率
范围
注意:
1.增强型技术要求
正的Vgs ,从而省去了
与相关联的负栅极电压
传统的耗尽型器件。
注意:
俯视图。包装标识规定的方向,
产品标识和日期代码。
“R” =设备类型代码
“X” =日期代码字符。不同的
字符被分配给每个月份和
年。
ATF- 541M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
[5]
总功耗
[3]
RF输入功率
[5]
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 1
-5 1
120
2
360
13
150
-65到150
212
注意事项:
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
4.7毫瓦/°C,对于T
L
> 74 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理13 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
有关其他信息,应用部分。
120
100
80
I
DS
(MA )
0.7V
0.6V
60
0.5V
40
20
0
0.4V
0.3V
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
图1:典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V)的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
320
320
CPK = 0.85
标准偏差= 1.14
CPK = 1.16
标准偏差= 0.30
240
300
250
200
CPK = 1.72
标准偏差= 0.072
240
标准-3
160
160
标准-3
3性病
150
100
3性病
80
80
50
0
0
29
32
35
OIP3 ( dBm的)
38
41
15
16
17
18
增益(dB )
19
20
0
0.3
0.5
0.7
NF( dB)的
0.9
1.1
图2. OIP3 @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 33.0 ,标称= 35.82
图3.增益@ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 15.5 ,额定= 17.5 , USL = 18.5
图4. NF @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
额定= 0.5 , USL = 0.9
注意事项:
6.分布数据样本大小是从6个不同晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。电路损耗已解嵌,从实际测量。
2
ATF- 541M4电气规格
T
A
= 25℃时,在一个测试电路,用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
收益
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 4毫安
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V , GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= 0.75 – 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -3V
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
单位
V
V
A
mmho
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
0.4
0.18
—
230
—
—
—
15.5
—
33
—
—
—
典型值。
0.58
0.36
0.28
398
—
0.5
0.5
17.5
18.1
35.8
35.9
21.4
22.1
马克斯。
0.75
0.52
5
560
200
0.9
—
18.5
—
—
—
—
—
注意事项:
采用图5所示的生产测试板上获得1测量。
输入
50 OHM
传输
线,包括
栅极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.11
Γ_ang
= 141°
(0.5 dB损耗)
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.314
Γ_ang
= -167°
(0.5 dB损耗)
50 OHM
传输
线,包括
漏极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
产量
用于噪声系数,增益, P1dB为, OIP3和OIP3测量2 GHz的生产测试板图5.框图。该电路代表
最佳噪声匹配,最大匹配的OIP3和相关的阻抗匹配电路损耗之间的折衷。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
符号
FMIN
参数和测试条件
最小噪声科幻gure
[2]
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.16
0.46
0.8
1.17
22.4
18.7
14.5
11.9
35
35.1
36.6
37.6
19.5
20.8
20.4
19.4
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Ga
相关的增益
[2]
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
P1dB
1分贝压缩
输出功率
[3]
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
注意事项:
2. FMIN和最小噪声系数相关联的增益( Ga)的值是基于对一组16个噪声系数测量在16个不同的阻抗制成
使用ATN NP5测试系统。从这些测量值的真FMIN和Ga的计算方法。请参考噪声参数的应用程序部分,更
信息。
3. P
1dB
而在洲际微波炉( ICM)测试夹具采用双存根调谐器和偏压T型接头制作OIP3测量。输入被调整为
最小噪声系数和输出被调整为最大的OIP3 。
3
ATF- 541M4典型性能曲线
0.60
0.26
0.24
0.55
0.22
FMIN ( dB)的
分贝/ dBm的
40
35
30
25
20
15
10
收益
OIP3
P1dB
FMIN ( dB)的
0.50
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.45
0.40
0.35
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0.10
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
I
ds
(MA )
图6. FMIN与我
ds
在2 GHz ,V
ds
= 3V
[1]
图7. FMIN与我
ds
在900兆赫,V
ds
= 3V
[1]
图8.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在2 GHz ,
V
ds
= 3V
[2]
.
30
40毫安
60毫安
80毫安
40
收益
OIP3
P1dB
2.5
35
2.0
25
分贝/ dBm的
25
1.0
80毫安
60毫安
40毫安
嘎(分贝)
30
FMIN ( dB)的
1.5
20
15
20
0.5
10
15
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
5
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
图9.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在900 MHz时,
V
ds
= 3V
[3]
.
图10. FMIN与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
图11.嘎与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
注意事项:
1. FMIN和最小噪声增益相关
图中( Ga)的值是根据一组
16日做出的噪声系数测量
使用ATN NP5 16个不同的阻抗
测试系统。从这些测量值的真
的fmin和Ga的计算方法。参考噪声
更多的参数,应用程序部分
信息。
使用生产获得2.测量
试验板描述在图5中。
3.输入调整为最低NF和输出
调整最大的OIP3使用
洲际微波炉( ICM )测试
夹具,双存根调谐器和偏压T型接头。
4
ATF- 541M4典型性能曲线,
持续
30
25
20
15
10
5
0
25°C
-40°C
85°C
45
40
35
OIP3 ( dBm的)
2.0
25°C
-40°C
85°C
1.5
NF( dB)的
25°C
-40°C
85°C
增益(dB )
30
25
20
15
10
1.0
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
频率(GHz )
频率(GHz )
图12.增益与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图13. OIP3与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图14. NF与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
23
22
21
20
19
18
17
25°C
-40°C
85°C
P1dB的( DBM)
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
图15的P1dB与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
ATF- 541M4输出反射系数参数调谐
为了获得最大的输出IP3
[1]
; V
DS
= 3V ,我
DS
= 60毫安
频率
(千兆赫)
0.9
2.0
3.9
5.8
伽玛
[2]
Out_Mag 。
( MAG )
0.006
0.314
0.321
0.027
伽玛
[2]
Out_Mag 。
(度)
23
-167
134
89
OIP3
( dBm的)
35.04
35.82
36.60
37.62
P1dB
( dBm的)
19.47
21.36
20.37
19.38
注意事项:
1.输入调整为最小的NF和输出调整为最大的OIP3
使用微波炉洲际( ICM )测试夹具,双存根
调谐器和偏压T型接头。
2.伽玛输出是匹配电路的反射系数呈现
到该装置的输出。
5