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安捷伦ATF- 541M4低噪声
增强型
在赝HEMT
微型无铅封装
数据表
特点
高线性度性能
单电源增强模式
技术
[1]
极低的噪声系数
卓越的均匀性,在产品
特定网络阳离子
800微米的闸门宽度
微型无铅封装
1.4毫米×1.2毫米× 0.7毫米
带盘式包装选项
可用的
特定网络阳离子
2 GHz的; 3V 60 mA(典型值)
引脚连接和
包装标志
来源
3脚
引脚4
描述
安捷伦科技公司
ATF- 541M4是高线性度,
低噪声,单电源供电
E- PHEMT装在一个缩影
无铅封装。
该ATF- 541M4的小尺寸和
低调,使得它非常适合
混合模块的设计和
其他空间的约束装置。
该设备可以在应用程序中使用
阳离子如TMA和前
结束LNA的蜂窝/ PCS和
WCDMA基站, LNA和
驱动放大器无线
数据和802.11b无线局域网。
此外,该设备的出众
RF性能更高
频率使其成为理想的
候选高频
应用例如WLL ,
802.11 WLAN , 5-6 GHz的UNII
和HIPERLAN应用。
MINIPAK 1.4毫米×1.2毫米包装
Rx
35.8 dBm的输出3
rd
为了拦截
21.4 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
0.5分贝的噪音图
来源
销1
Rx
销2
17.5分贝相关的增益
应用
低噪声放大器和驱动程序
放大器蜂窝/ PCS和
WCDMA的基站
LNA和驱动放大器
WLAN, WLL / RLL和MMDS
应用
通用离散E- PHEMT
在超低噪声应用
在450 MHz至10 GHz的频率
范围
注意:
1.增强型技术要求
正的Vgs ,从而省去了
与相关联的负栅极电压
传统的耗尽型器件。
注意:
俯视图。包装标识规定的方向,
产品标识和日期代码。
“R” =设备类型代码
“X” =日期代码字符。不同的
字符被分配给每个月份和
年。
ATF- 541M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
[5]
总功耗
[3]
RF输入功率
[5]
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 1
-5 1
120
2
360
13
150
-65到150
212
注意事项:
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
4.7毫瓦/°C,对于T
L
> 74 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理13 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
有关其他信息,应用部分。
120
100
80
I
DS
(MA )
0.7V
0.6V
60
0.5V
40
20
0
0.4V
0.3V
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
图1:典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V)的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
320
320
CPK = 0.85
标准偏差= 1.14
CPK = 1.16
标准偏差= 0.30
240
300
250
200
CPK = 1.72
标准偏差= 0.072
240
标准-3
160
160
标准-3
3性病
150
100
3性病
80
80
50
0
0
29
32
35
OIP3 ( dBm的)
38
41
15
16
17
18
增益(dB )
19
20
0
0.3
0.5
0.7
NF( dB)的
0.9
1.1
图2. OIP3 @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 33.0 ,标称= 35.82
图3.增益@ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 15.5 ,额定= 17.5 , USL = 18.5
图4. NF @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
额定= 0.5 , USL = 0.9
注意事项:
6.分布数据样本大小是从6个不同晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。电路损耗已解嵌,从实际测量。
2
ATF- 541M4电气规格
T
A
= 25℃时,在一个测试电路,用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
收益
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 4毫安
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V , GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= 0.75 – 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -3V
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
单位
V
V
A
mmho
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
0.4
0.18
230
15.5
33
典型值。
0.58
0.36
0.28
398
0.5
0.5
17.5
18.1
35.8
35.9
21.4
22.1
马克斯。
0.75
0.52
5
560
200
0.9
18.5
注意事项:
采用图5所示的生产测试板上获得1测量。
输入
50 OHM
传输
线,包括
栅极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.11
Γ_ang
= 141°
(0.5 dB损耗)
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.314
Γ_ang
= -167°
(0.5 dB损耗)
50 OHM
传输
线,包括
漏极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
产量
用于噪声系数,增益, P1dB为, OIP3和OIP3测量2 GHz的生产测试板图5.框图。该电路代表
最佳噪声匹配,最大匹配的OIP3和相关的阻抗匹配电路损耗之间的折衷。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
符号
FMIN
参数和测试条件
最小噪声科幻gure
[2]
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
分钟。
典型值。
0.16
0.46
0.8
1.17
22.4
18.7
14.5
11.9
35
35.1
36.6
37.6
19.5
20.8
20.4
19.4
马克斯。
Ga
相关的增益
[2]
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
P1dB
1分贝压缩
输出功率
[3]
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
注意事项:
2. FMIN和最小噪声系数相关联的增益( Ga)的值是基于对一组16个噪声系数测量在16个不同的阻抗制成
使用ATN NP5测试系统。从这些测量值的真FMIN和Ga的计算方法。请参考噪声参数的应用程序部分,更
信息。
3. P
1dB
而在洲际微波炉( ICM)测试夹具采用双存根调谐器和偏压T型接头制作OIP3测量。输入被调整为
最小噪声系数和输出被调整为最大的OIP3 。
3
ATF- 541M4典型性能曲线
0.60
0.26
0.24
0.55
0.22
FMIN ( dB)的
分贝/ dBm的
40
35
30
25
20
15
10
收益
OIP3
P1dB
FMIN ( dB)的
0.50
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.45
0.40
0.35
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0.10
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
I
ds
(MA )
图6. FMIN与我
ds
在2 GHz ,V
ds
= 3V
[1]
图7. FMIN与我
ds
在900兆赫,V
ds
= 3V
[1]
图8.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在2 GHz ,
V
ds
= 3V
[2]
.
30
40毫安
60毫安
80毫安
40
收益
OIP3
P1dB
2.5
35
2.0
25
分贝/ dBm的
25
1.0
80毫安
60毫安
40毫安
嘎(分贝)
30
FMIN ( dB)的
1.5
20
15
20
0.5
10
15
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
5
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
图9.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在900 MHz时,
V
ds
= 3V
[3]
.
图10. FMIN与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
图11.嘎与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
注意事项:
1. FMIN和最小噪声增益相关
图中( Ga)的值是根据一组
16日做出的噪声系数测量
使用ATN NP5 16个不同的阻抗
测试系统。从这些测量值的真
的fmin和Ga的计算方法。参考噪声
更多的参数,应用程序部分
信息。
使用生产获得2.测量
试验板描述在图5中。
3.输入调整为最低NF和输出
调整最大的OIP3使用
洲际微波炉( ICM )测试
夹具,双存根调谐器和偏压T型接头。
4
ATF- 541M4典型性能曲线,
持续
30
25
20
15
10
5
0
25°C
-40°C
85°C
45
40
35
OIP3 ( dBm的)
2.0
25°C
-40°C
85°C
1.5
NF( dB)的
25°C
-40°C
85°C
增益(dB )
30
25
20
15
10
1.0
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
频率(GHz )
频率(GHz )
图12.增益与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图13. OIP3与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图14. NF与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
23
22
21
20
19
18
17
25°C
-40°C
85°C
P1dB的( DBM)
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
图15的P1dB与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
ATF- 541M4输出反射系数参数调谐
为了获得最大的输出IP3
[1]
; V
DS
= 3V ,我
DS
= 60毫安
频率
(千兆赫)
0.9
2.0
3.9
5.8
伽玛
[2]
Out_Mag 。
( MAG )
0.006
0.314
0.321
0.027
伽玛
[2]
Out_Mag 。
(度)
23
-167
134
89
OIP3
( dBm的)
35.04
35.82
36.60
37.62
P1dB
( dBm的)
19.47
21.36
20.37
19.38
注意事项:
1.输入调整为最小的NF和输出调整为最大的OIP3
使用微波炉洲际( ICM )测试夹具,双存根
调谐器和偏压T型接头。
2.伽玛输出是匹配电路的反射系数呈现
到该装置的输出。
5
安捷伦ATF- 541M4低噪声
增强型
在赝HEMT
微型无铅封装
数据表
特点
高线性度性能
单电源增强模式
技术
[1]
极低的噪声系数
卓越的均匀性,在产品
特定网络阳离子
800微米的闸门宽度
微型无铅封装
1.4毫米×1.2毫米× 0.7毫米
带盘式包装选项
可用的
特定网络阳离子
2 GHz的; 3V 60 mA(典型值)
引脚连接和
包装标志
来源
3脚
引脚4
描述
安捷伦科技公司
ATF- 541M4是高线性度,
低噪声,单电源供电
E- PHEMT装在一个缩影
无铅封装。
该ATF- 541M4的小尺寸和
低调,使得它非常适合
混合模块的设计和
其他空间的约束装置。
该设备可以在应用程序中使用
阳离子如TMA和前
结束LNA的蜂窝/ PCS和
WCDMA基站, LNA和
驱动放大器无线
数据和802.11b无线局域网。
此外,该设备的出众
RF性能更高
频率使其成为理想的
候选高频
应用例如WLL ,
802.11 WLAN , 5-6 GHz的UNII
和HIPERLAN应用。
MINIPAK 1.4毫米×1.2毫米包装
Rx
35.8 dBm的输出3
rd
为了拦截
21.4 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
0.5分贝的噪音图
来源
销1
Rx
销2
17.5分贝相关的增益
应用
低噪声放大器和驱动程序
放大器蜂窝/ PCS和
WCDMA的基站
LNA和驱动放大器
WLAN, WLL / RLL和MMDS
应用
通用离散E- PHEMT
在超低噪声应用
在450 MHz至10 GHz的频率
范围
注意:
1.增强型技术要求
正的Vgs ,从而省去了
与相关联的负栅极电压
传统的耗尽型器件。
注意:
俯视图。包装标识规定的方向,
产品标识和日期代码。
“R” =设备类型代码
“X” =日期代码字符。不同的
字符被分配给每个月份和
年。
ATF- 541M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
[5]
总功耗
[3]
RF输入功率
[5]
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 1
-5 1
120
2
360
13
150
-65到150
212
注意事项:
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
4.7毫瓦/°C,对于T
L
> 74 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理13 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
有关其他信息,应用部分。
120
100
80
I
DS
(MA )
0.7V
0.6V
60
0.5V
40
20
0
0.4V
0.3V
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
图1:典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V)的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
320
320
CPK = 0.85
标准偏差= 1.14
CPK = 1.16
标准偏差= 0.30
240
300
250
200
CPK = 1.72
标准偏差= 0.072
240
标准-3
160
160
标准-3
3性病
150
100
3性病
80
80
50
0
0
29
32
35
OIP3 ( dBm的)
38
41
15
16
17
18
增益(dB )
19
20
0
0.3
0.5
0.7
NF( dB)的
0.9
1.1
图2. OIP3 @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 33.0 ,标称= 35.82
图3.增益@ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 15.5 ,额定= 17.5 , USL = 18.5
图4. NF @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
额定= 0.5 , USL = 0.9
注意事项:
6.分布数据样本大小是从6个不同晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。电路损耗已解嵌,从实际测量。
2
ATF- 541M4电气规格
T
A
= 25℃时,在一个测试电路,用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
收益
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 4毫安
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V , GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= 0.75 – 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -3V
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
单位
V
V
A
mmho
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
0.4
0.18
230
15.5
33
典型值。
0.58
0.36
0.28
398
0.5
0.5
17.5
18.1
35.8
35.9
21.4
22.1
马克斯。
0.75
0.52
5
560
200
0.9
18.5
注意事项:
采用图5所示的生产测试板上获得1测量。
输入
50 OHM
传输
线,包括
栅极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.11
Γ_ang
= 141°
(0.5 dB损耗)
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.314
Γ_ang
= -167°
(0.5 dB损耗)
50 OHM
传输
线,包括
漏极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
产量
用于噪声系数,增益, P1dB为, OIP3和OIP3测量2 GHz的生产测试板图5.框图。该电路代表
最佳噪声匹配,最大匹配的OIP3和相关的阻抗匹配电路损耗之间的折衷。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
符号
FMIN
参数和测试条件
最小噪声科幻gure
[2]
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 2 GHz的
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 4V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
分钟。
典型值。
0.16
0.46
0.8
1.17
22.4
18.7
14.5
11.9
35
35.1
36.6
37.6
19.5
20.8
20.4
19.4
马克斯。
Ga
相关的增益
[2]
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
P1dB
1分贝压缩
输出功率
[3]
F = 900千兆赫
F = 3.9 GHz的
F = 5.8 GHz的
注意事项:
2. FMIN和最小噪声系数相关联的增益( Ga)的值是基于对一组16个噪声系数测量在16个不同的阻抗制成
使用ATN NP5测试系统。从这些测量值的真FMIN和Ga的计算方法。请参考噪声参数的应用程序部分,更
信息。
3. P
1dB
而在洲际微波炉( ICM)测试夹具采用双存根调谐器和偏压T型接头制作OIP3测量。输入被调整为
最小噪声系数和输出被调整为最大的OIP3 。
3
ATF- 541M4典型性能曲线
0.60
0.26
0.24
0.55
0.22
FMIN ( dB)的
分贝/ dBm的
40
35
30
25
20
15
10
收益
OIP3
P1dB
FMIN ( dB)的
0.50
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.45
0.40
0.35
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0.10
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
I
ds
(MA )
图6. FMIN与我
ds
在2 GHz ,V
ds
= 3V
[1]
图7. FMIN与我
ds
在900兆赫,V
ds
= 3V
[1]
图8.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在2 GHz ,
V
ds
= 3V
[2]
.
30
40毫安
60毫安
80毫安
40
收益
OIP3
P1dB
2.5
35
2.0
25
分贝/ dBm的
25
1.0
80毫安
60毫安
40毫安
嘎(分贝)
30
FMIN ( dB)的
1.5
20
15
20
0.5
10
15
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
0
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
5
0
2
4
6
8
10
12
频率(GHz )
图9.增益, OIP3 &的P1dB与我
ds
调谐
对于最大的OIP3和Min NF在900 MHz时,
V
ds
= 3V
[3]
.
图10. FMIN与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
图11.嘎与频率的关系与我
ds
,
V
ds
= 3V
[1]
.
注意事项:
1. FMIN和最小噪声增益相关
图中( Ga)的值是根据一组
16日做出的噪声系数测量
使用ATN NP5 16个不同的阻抗
测试系统。从这些测量值的真
的fmin和Ga的计算方法。参考噪声
更多的参数,应用程序部分
信息。
使用生产获得2.测量
试验板描述在图5中。
3.输入调整为最低NF和输出
调整最大的OIP3使用
洲际微波炉( ICM )测试
夹具,双存根调谐器和偏压T型接头。
4
ATF- 541M4典型性能曲线,
持续
30
25
20
15
10
5
0
25°C
-40°C
85°C
45
40
35
OIP3 ( dBm的)
2.0
25°C
-40°C
85°C
1.5
NF( dB)的
25°C
-40°C
85°C
增益(dB )
30
25
20
15
10
1.0
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
频率(GHz )
频率(GHz )
图12.增益与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图13. OIP3与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
图14. NF与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
23
22
21
20
19
18
17
25°C
-40°C
85°C
P1dB的( DBM)
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
图15的P1dB与频率。与温度
在调整为最大的OIP3和Min NF
V
ds
= 3V ,我
ds
= 60毫安
[1]
.
ATF- 541M4输出反射系数参数调谐
为了获得最大的输出IP3
[1]
; V
DS
= 3V ,我
DS
= 60毫安
频率
(千兆赫)
0.9
2.0
3.9
5.8
伽玛
[2]
Out_Mag 。
( MAG )
0.006
0.314
0.321
0.027
伽玛
[2]
Out_Mag 。
(度)
23
-167
134
89
OIP3
( dBm的)
35.04
35.82
36.60
37.62
P1dB
( dBm的)
19.47
21.36
20.37
19.38
注意事项:
1.输入调整为最小的NF和输出调整为最大的OIP3
使用微波炉洲际( ICM )测试夹具,双存根
调谐器和偏压T型接头。
2.伽玛输出是匹配电路的反射系数呈现
到该装置的输出。
5
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