ATF-54143
低噪声增强模式伪HEMT
在一个表面贴装塑料封装
数据表
描述
Avago的ATF- 54143是一款高动态范围，
低噪音，E - PHEMT坐落在一个4引脚SC- 70 （ SOT- 343 ）
表面贴装塑料封装。
的高增益，高线性度和低的组合
噪音使ATF- 54143适用于蜂窝/ PCS基地
站， MMDS，并在450 MHz 6的其他系统
GHz的频率范围内。
特点
高线性度性能
增强型技术
[1]
低噪声系数
优异的均匀度在产品规格
800微米的闸门宽度
低成本表面贴装小型塑料封装SOT-
343 （ 4引线SC- 70 ）
可带盘式包装选项
无铅可供选择。
表面贴装封装SOT- 343
特定网络阳离子
2 GHz的; 3V 60 mA（典型值）
36.2 dBm的输出3
rd
为了拦截
20.4 dBm的输出功率为1 dB增益压缩
0.5分贝噪声系数
16.6分贝相关增益
引脚连接和封装标识
4Fx
漏
来源
应用
门
来源
注意：
俯视图。包装标识提供了方向和鉴定
“ 4F ” =器件代码
“X” =日期代码字符
确定每月生产。
低噪声放大器，用于蜂窝/ PCS基站
LNA的WLAN， WLL / RLL和MMDS的应用
通用离散E- PHEMT其他超低
噪声应用
注意：
1.增强型技术需要积极的栅极电压，从而
省去了与相关联的负栅极电压
传统的耗尽型器件。
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 1A级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
ATF- 54143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX中。
（开模）
P
在MAX中。
（关闭模式）
I
GS
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[3]
RF输入功率（VDS = 3V ， IDS = 60毫安）
RF输入功率（VD = 0 ， IDS = 0A ）
门源电流
通道温度
储存温度
热阻
[4]
120
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
DBM
mA
°C
°C
° C / W
0.7V
绝对
最大
5
-5 1
-5 1
120
725
20
[5]
20
2
[5]
150
-65到150
162
注意事项：
在过量的这些参数中的任一项所述1.操作此装置的
可能会造成永久性的损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额6.2毫瓦/°C，对于T
L
> 33 ℃。
用150 ℃的液晶测量测量4.热阻
精神疾病的方法。
5.该设备可以处理+ 20dBm的RF输入提供电源I
GS
is
限制在2 mA 。我
GS
在P
1dB
驱动电平偏置电路有关。
有关其它信息，应用程序部分。
100
0.6V
80
I
DS
（MA ）
60
0.5V
40
20
0
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
0.4V
0.3V
图1：典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V）的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
160
CPK = 0.77
标准偏差= 1.41
200
CPK = 1.35
标准偏差= 0.4
160
120
160
CPK = 1.67
标准偏差= 0.073
120
120
80
标准-3
80
标准-3
3性病
80
3性病
40
40
40
0
30
32
34
36
OIP3 （ dBm的）
38
40
42
0
14
15
16
17
增益（dB ）
18
19
0
0.25
0.45
0.65
NF（ dB）的
0.85
1.05
图2. OIP3 @ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
LSL = 33.0 ，标称= 36.575
图3.增益@ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
USL = 18.5 ， LSL = 15，额定= 16.6
图4. NF @ 2千兆赫， 3 V，50 mA的电流。
USL = 0.9 ，额定= 0.49
注意事项：
6.分布数据样本大小是由9个不同的晶片取450样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
间的上限和下限的任何地方。
7.测量就生产测试板。该电路表示一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
根据生产测试设备。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 54143电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
Ga
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
栅极漏电流
噪声系数
[1]
相关的增益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 4毫安
VDS = 3V ， VGS = 0V
单位
V
V
μA
分钟。
0.4
0.18
—
230
—
—
—
15
—
33
—
—
—
典型值。
[2]
0.59
0.38
1
410
—
0.5
0.3
16.6
23.4
36.2
35.5
20.4
18.4
马克斯。
0.75
0.52
5
560
200
0.9
—
18.5
—
—
—
—
—
VDS = 3V ，GM = ΔIdss / ΔVGS ; mmho
ΔVGS = 0.75 - 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -3V
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
VDS = 3V ， IDS = 60毫安
μA
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
注意事项：
采用图5所示的生产测试板上获得1测量。
从450份样品尺寸测量从9晶片2的典型值。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.30
Γ_ang
= 150°
（0.3 dB损耗）
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.035
Γ_ang
= -71°
（ 0.4分贝损失）
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
2 GHz的生产测试板图5.框图用于噪声系数，相关的增益，P1dB和OIP3测量。该电路代表
最佳噪声匹配和相关的阻抗匹配电路损耗之间的折衷。电路损耗已解嵌实际测量
求。
3
ATF- 54143典型性能曲线
0.7
0.6
0.5
0.4
FMIN （ dB）的
0.5
FMIN （ dB）的
0.3
0.2
0.3
3V
4V
19
18
17
增益（dB ）
3V
4V
0.6
16
15
14
13
12
3V
4V
0.4
0.1
0
0
20
40
60
80
0.2
0
20
40
60
80
100
I
ds
（MA ）
100
0
20
40
60
80
100
I
ds
（MA ）
I
ds
（MA ）
图6. FMIN与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
25
24
23
图7. FMIN与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和Min NF频率为900MHz 。
42
37
32
图8.增益与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
40
35
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
增益（dB ）
22
21
20
19
18
0
20
40
60
80
100
I
ds
（MA ）
3V
4V
30
27
22
17
12
0
20
40
60
80
100
I
ds
（MA ）
3V
4V
25
3V
4V
20
15
0
20
40
60
80
100
I
ds
（MA ）
图9.增益随我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在900MHz 。
24
22
20
18
16
14
12
0
20
40
I
dq
60
（MA ）
[1]
80
100
3V
4V
图10. OIP3与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
23
22
21
图11. OIP3与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在900MHz 。
35
30
25
增益（dB ）
20
15
25 C
-40 C
85 C
P1dB的（ DBM）
P1dB的（ DBM）
20
19
18
17
16
15
0
20
40
I
dq
60
（MA ）
[1]
80
100
3V
4V
10
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图12的P1dB与我
dq
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
图13的P1dB与我
dq
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在900MHz 。
图14.增益与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
注意事项：
1. I
dq
代表静态漏电流不RF驱动器应用。在我低值
ds
射频驱动器的应用将导致我
d
增加
基本上P1dB的逼近。
在2GHz或更高2. FMIN值基于测量而2GHz以下的Fmins已被推断出来。值Fmin值是基于
上一组16个在用的ATN NP5测试系统16不同的阻抗制成的噪声系数的测量。从这些测量值的真
FMIN计算。请参考噪声参数的应用程序部分获取更多信息。
4
ATF- 54143典型性能曲线，继续
2
25 C
-40 C
85 C
45
40
35
P1dB的（ DBM）
25 C
-40 C
85 C
21
20.5
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
25 C
-40 C
85 C
1.5
OIP3 （ dBm的）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
FMIN （ dB）的
30
25
20
15
1.0
0.5
0
10
图15. FMIN
[2]
与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
1.4
1.2
1.0
FMIN （ dB）的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率（GHz ）
60毫安
40毫安
80毫安
图16. OIP3与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
图17的P1dB与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
图18. FMIN
[1]
与频率的关系，我
ds
在3V 。
ATF- 54143反射系数的参数调整为最大输出IP3 ，V
DS
= 3V ，我
DS
= 60毫安
频率
（千兆赫）
0.9
2.0
3.9
5.8
ΓOut_Mag 。
[1]
（ MAG ）
0.017
0.026
0.013
0.025
ΓOut_Ang 。
[2]
（度）
115
-85
173
102
OIP3
（ dBm的）
35.54
36.23
37.54
35.75
P1dB
（ dBm的）
18.4
20.38
20.28
18.09
注意：
1.伽玛输出是提供给该装置的输出匹配电路的反射系数。
在2GHz或更高2. FMIN值基于测量而2GHz以下的Fmins已被推断出来。值Fmin值是基于
上一组16个在用的ATN NP5测试系统16不同的阻抗制成的噪声系数的测量。从这些测量值的真
FMIN计算。请参考噪声参数的应用程序部分获取更多信息。
5
QQ：2881677436 复制
