ATF- 53189绝对最大额定值
[1]
符号
V
ds
V
gs
V
gd
I
ds
I
gs
P
DISS
P
在MAX中。
T
ch
T
英镑
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mA
W
DBM
°C
°C
绝对
最大
7
-5 1.0
-5 1.0
300
20
1.0
+24
150
-65到150
热阻
[2,4]
θ
CH -B
= 70 ° C / W
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减额14.30毫瓦/°C，对于T
B
> 80℃。
4.通道至电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
ATF- 53189电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.0V和ID = 135毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
漏极至源极电流
跨
VDS = 4.0V ， IDS = 135毫安
VDS = 4.0V ， IDS = 8毫安
VDS = 4.0V ， VGS = 0V
VDS = 4.0V ，GM =
ΔIds / ΔVGS ;
-VGS
= VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.6V ， VGS2 = 0.55V
VDS = 0V ， VGS = -4V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
—
—
—
—
典型值。
0.65
0.30
3.70
650
马克斯。
—
—
—
—
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
收益
[1]
输出3
rd
阶截取点
[1]
输出1分贝压缩
[1]
功率附加效率
邻道泄漏
功率比
[1,2]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-10.0
—
—
14.0
—
36.0
—
—
—
—
—
—
—
-0.34
0.85
0.80
15.5
17.2
40.0
42.0
23.0
21.7
46.0
33.8
-54.0
-64.0
—
—
—
17.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注意事项：
1.测量在2 GHz采用图1所示的生产试验局。
2. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- PIN = -8 dBm的
- 渠道整合带宽= 3.84 MHz的
2
输入
输入匹配电路
Γ_mag=0.74
Γ_ang=-112.4°
DUT
输出匹配电路
Γ_mag=0.40
Γ_ang=-120.0°
产量
用于NF ，增益， OIP3 ， P1dB的， PAE的2 GHz的生产测试板图1.框图
和ACLR测量。该电路达到最佳的OIP3 ， P1dB为之间的权衡
VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
产品的一致性分布图表
[1,2]
150
150
Stdev=0.86
120
Stdev=0.08
120
频率
频率
90
90
-3性病
60
3性病
-3性病
60
3性病
30
30
0
36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
OIP3 （ dBm的）
0
.5
.6
.7
.8
.9
1
1.1
NF（ dBm的）
图2. OIP3 @ 2 GHz时， 4V 135毫安。
LSL = 36 dBm时，标称= 40 dBm的。
150
图3. NF @ 2 GHz时， 4V 135毫安。
USL = 1.30 dBm时，标称= 0.84 dBm的。
150
Stdev=0.22
120
频率
频率
Stdev=1.14
120
90
90
-3性病
60
3性病
-3性病
60
3性病
30
30
0
14.5
15
15.5
增益（dB ）
16
16.5
0
19
20
21
22
23
24
25
26
P1dB的（ DBM）
图4.增益@ 2 GHz时， 4V 135毫安。
LSL = 14 dBm时，额定= 15.5 dBm时，
USL = 17 dBm的。
图5的P1dB @ 2 GHz时， 4V 135毫安。
额定= 23 dBm的。
注意事项：
1.分配数据样本大小是从3个不同的晶片取500个样本。未来晶圆分配
该产品可具有标称值的上限和下限之间的任何地方。
2.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
伽玛负载和电源的最佳OIP3调整条件
该器件的最佳OIP3测量是采用莫里负载牵引系统，在4.0V决定，
135毫安quiesent偏见。
典型的反差系数的最佳OIP3
[1]
频率
（千兆赫）
0.9
2.0
3.9
5.8
伽马源
MAG
昂（度）
0.8179
0.7411
0.6875
0.5204
-143.28
-112.36
-94.23
-75.91
伽玛负载
MAG
昂（度）
0.0721
0.4080
0.4478
0.3525
124.08
119.91
174.74
-120.13
OIP3
（ dBm的）
42.0
41.6
41.3
36.9
收益
（ dB）的
17.2
15.6
11.2
5.6
P1dB
（ dBm的）
21.7
23.4
23.1
22.4
PAE
(%)
33.8
44.2
41.4
25.7
注意：
1.典型的描述是不包括在产品保修的附加产品性能信息。
400
350
300
IDS （毫安）
0.9V
0.8V
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
0.6V
0.5V
0.7V
6
7
VDS （ V）
图6.典型的IV曲线。
4
ATF- 53189典型性能曲线
（在25 ° C除非另有说明）
调整为最佳OIP3为VD = 4.0V ， IDS = 135 mA的电流。
45
45
45
40
40
40
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
30
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
30
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
OIP3 （ dBm的）
35
35
35
30
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
25
25
25
20
75
20
75
20
75
IDS （毫安）
IDS （毫安）
IDS （毫安）
图7. OIP3与IDS和VDS在900MHz 。
图8. OIP3与IDS和VDS在2 GHz 。
图9. OIP3与IDS和VDS为3.9 GHz的。
19
18
17
19
18
17
14
12
10
增益（dB ）
增益（dB ）
16
15
14
13
12
75
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
16
15
14
13
12
75
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
增益（dB ）
8
6
4
2
0
75
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
IDS （毫安）
IDS （毫安）
IDS （毫安）
图10.小信号增益与IDS和VDS
在900兆赫。
40
图11.小信号增益与IDS和VDS
在2 GHz 。
8
图12.小信号增益与IDS和VDS
在3.9 GHz的。
30
25
Gain_3V
Pout_3V
PAE_3V
60
50
40
30
20
10
0
-10
-6
-2
PIN （ DBM）
2
6
10
增益（dB ） &噘（ DBM）
35
6
20
15
10
5
0
-14
OIP3 （ dBm的）
增益（dB ）
30
4
25
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
2
3V
4V
5V
90
105
120
135
150
165
180
20
75
0
75
IDS （毫安）
IDS （毫安）
图13. OIP3与IDS和VDS 5.8 GHz的。
图14.小信号增益与IDS和VDS
在5.8 GHz的。
图15.小信号增益/噘/ PAE与
脚在VDS = 3V和频率= 900 MHz的。
注意：
偏置电流对上述图表是静态
条件。实际水平取决于可能增加
在RF驱动器的数量。
5
PAE （％）
QQ：2881677436 复制
