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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1488页 > ATF-511P8-TR1
安捷伦ATF- 511P8高线性度
增强型
[1]
在赝HEMT
2×2毫米
2
LPCC
[3]
数据表
特点
单电压操作
高线性和P1dB的
低噪声系数
描述
安捷伦科技公司
ATF- 511P8是单电压
高线性,低噪声
E- pHEMT制采用8引脚
JEDEC标准的无铅
塑料芯片载体( LPCC
[3]
)
封装。该器件是理想的
高线性,低噪声,
中等功率的放大器。其
工作频率范围是
从50兆赫到6千兆赫。
热效率的封装
措施仅2毫米×2毫米×
0.75毫米。它的背面
金属化提供了极好的
热耗散以及
可视化回流焊的证据。
该装置具有一个点的平均无故障时间
300多年来在安装
温度为+ 85°C 。所有
设备是100%的RF &直流测试。
注意:
1.增强模式技术,采用了
单正V
gs
,消除了需要
负栅极电压有关
传统的耗尽型器件。
2.请参阅可靠性数据表详细
MTTF数据。
3.符合JEDEC的参考大纲MO229
为DRP -N 。
优异4.线性图(轻组有机质)本质上是
OIP3通过直流偏置电源分。
引脚连接和
包装标志
引脚8
引脚7 (漏)
引脚6
5脚
卓越的均匀性,在产品
特定网络阳离子
引脚1 (来源)
引脚2 (门)
3脚
引脚4 (来源)
来源
(热/ RF GND)
小封装尺寸:
2.0× 2.0× 0.75毫米
点MTTF > 300年
[2]
MSL- 1和无铅
带盘式包装选项
可用的
底部视图
引脚1 (来源)
引脚2 (门)
3脚
引脚4 (来源)
引脚8
1Px
顶视图
引脚7 (漏)
引脚6
5脚
特定网络阳离子
2 GHz的; 4.5V 200 mA(典型值)
41.7 dBm的输出IP3
30 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
1.4分贝噪声系数
14.8分贝增益
12.1分贝轻组有机质
[4]
69 %的PAE
应用
前端LNA Q2和Q3的驱动程序或
预驱动放大器,用于蜂窝/
PCS和WCDMA无线
基础设施
驱动器放大器, WLAN,
WLL / RLL和MMDS的应用
通用离散E- PHEMT
其他高线性度应用
注意:
包装标识规定的方向和
鉴别:
“ 1P ” =器件代码
的“x” =日期代码表示的月份
制造。
ATF- 511P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
[4]
通道温度
储存温度
热阻
[5]
单位
V
V
V
A
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 1
-5 1
1
46
3
+30
150
-65到150
33
注意事项:
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会(包肚)温度T
B
为25℃ 。
减免30毫瓦/°C,对于T
B
> 50℃。
4.用10欧姆串联电阻在栅源
和3: 1的VSWR。
5.通道到电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
6.设备可以安全地处理+ 30dBm的RF输入
提供电源IGS限于46毫安。在IGS
P1dB的驱动电平偏置电路有关。
产品的一致性分布图表在2 GHz , 4.5V , 200毫安
[6,7]
1000
900
800
700
0.8 V
240
200
0.7 V
200
CPK = 1.66
标准偏差= 0.6
160
CPK = 3.24
标准偏差= 0.15
160
120
0.6 V
I
DS
(MA )
600
500
400
300
200
100
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
0.5 V
标准-3
3性病
120
标准-3
80
3性病
80
40
0
40
35
38
41
OIP3 ( dBm的)
44
47
0
28
29
P1dB的( DBM)
30
31
图1:典型的I -V曲线
(的Vgs =每步0.1) 。
图2. OIP3
LSL = 38.5 ,额定= 41.7 。
图3的P1dB
LSL = 28.5 ,标称= 30 。
150
CPK = 1.4
标准偏差= 0.31
160
CPK = 3.03
标准偏差= 1.85
120
120
90
标准-3
60
40
3性病
80
标准-3
3性病
30
0
13
14
15
增益(dB )
16
17
0
52
57
62
67
PAE (%)
72
77
82
图4.增益
LSL = 13.5 ,额定= 14.8 , USL = 16.5 。
图5. PAE
LSL = 52 ,额定= 68.9 。
注意事项:
6.分布数据的样本量是4个不同的晶圆和3个不同地段采取400个样本。
分配给该产品的未来晶片可具有间的任何位置上与标称值
下限。
7.测量是在生产测试板,它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 , P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌,从实际测量。
2
ATF- 511P8电气规格
T
A
= 25 ℃,直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 200毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
VDS = 4.5V , IDS = 200毫安
VDS = 4.5V , IDS = 32毫安
VDS = 4.5V , VGS = 0V
VDS = 4.5V ,GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V , VGS2 = 0.5V
VDS = 0V , VGS = -4.5V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
0.25
典型值。
0.51
0.28
16.4
2178
马克斯。
0.8
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
阶截取点
[1,2]
输出1分贝压缩
[1]
功率附加效率
邻道泄漏
功率比
[1,3]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-27
13.5
38.5
28.5
52
-2
1.4
1.2
14.8
17.8
41.7
43
30
29.6
68.9
68.6
-58.9
-62.7
16.5
注意事项:
使用生产测试板获得1测量图6描述和PAE在P1dB的条件下进行测试。
2. I) 2 GHz的OIP3测试条件: F1 = 2.0千兆赫, F2 = 2.01 GHz和引脚= -5 dBm的每个音。
II ), 900 MHz的OIP3测试条件: F1 = 900兆赫, F2 = 910 MHz和引脚= -5 dBm的每个音。
3. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 ( 2002-06 )
- 测试模型1
- 活动通道: PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH ( SF = 128 )
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 渠道整合带宽= 3.84 MHz的
4.使用适当的偏置电压,主板,散热器和降额设计,以确保最大通道温度不超标。见绝对最大额定值和
应用指南以获取更多详细信息。
输入
50 OHM
传输
线
栅极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.69
Γ_ang
= -164°
(1.1 dB损耗)
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.65
Γ_ang
= -163°
(0.9 dB损耗)
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
产量
用于NF ,增益, OIP3 , P1dB为和PAE和ACLR测量的2 GHz的生产测试板图6.框图。该电路实现了
最佳的OIP3 , P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌,从实际测量。
3
1.8 nH的
1.2 pF的
50 OHM
.02
λ
15 nH的
15欧姆
2.2
F
2.2
F
110 OHM
.03
λ
110 OHM
.03
λ
50 OHM
.02
λ
2.7 nH的
1.2 pF的
RF输入
DUT
47 nH的
RF输出
DC电源
DC电源
图生产测试板7简图。主要目的是显示15欧姆串联电阻器放置在
门的供应。传输线一端逐渐变细,三通交点,偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该设备的最佳的OIP3和P1dB的测量是采用负载牵引系统在4.5V确定
200毫安quiesent偏差:
最佳OIP3
频率
(千兆赫)
0.9
2.0
2.4
3.9
伽马源
MAG
0.776
0.872
0.893
0.765
152
-171
-162
-132
伽玛负载
MAG
0.549
0.683
0.715
0.574
-178
-179
-174
-144
OIP3
( dBm的)
43.3
43.1
42.8
41.7
收益
( dB)的
17.94
15.06
14.03
9.47
P1dB
( dBm的)
29.63
30.12
29.90
29.02
PAE
(%)
63.8
66.8
64.5
52
最佳的P1dB
频率
(千兆赫)
0.9
2.0
2.4
3.9
伽马源
MAG
0.773
0.691
0.797
0.602
153
147
164
-163
伽玛负载
MAG
0.784
0.841
0.827
0.794
-173
-166
-166
-155
OIP3
( dBm的)
38.0
36.4
36.2
35.4
收益
( dB)的
19.28
10.34
8.43
7.03
P1dB
( dBm的)
31.9
31.4
31.2
31
PAE
(%)
54.23
38.15
37.38
32.72
4
ATF- 511P8典型性能曲线
(在25 ° C除非另有说明)
在4.5V 200毫安调整为最佳OIP3
50
45
40
50
45
30
40
35
OIP3 ( dBm的)
OIP3 ( dBm的)
35
30
25
20
15
10
50
150
250
350
4.5 V
4V
3V
35
30
25
20
15
4.5 V
4V
3V
P1dB的( DBM)
25
20
4.5 V
4V
3V
15
450
550
10
10
50
150
250
350
450
550
50
150
250
350
450
550
IDS (毫安)
IDQ (毫安)
IDS (毫安)
图8. OIP3与我
DS
和V
DS
在2 GHz 。
图9. OIP3与我
DS
和V
DS
在900兆赫。
图10的P1dB与我
dq
和V
DS
在2 GHz 。
35
17
16
15
20
19
18
30
P1dB的( DBM)
25
增益(dB )
增益(dB )
14
13
12
11
10
4.5 V
4V
3V
17
16
15
14
13
4.5 V
4V
3V
20
4.5 V
4V
3V
15
10
50
150
250
350
450
550
IDQ (毫安)
50
150
250
350
450
550
50
150
250
350
450
550
IDS (毫安)
IDS (毫安)
图11.主场迎战的P1dB
IDQ
和V
DS
在900兆赫。
图12.增益与我
DS
和V
DS
在2 GHz 。
图13.增益与我
DS
和V
DS
在900兆赫。
80
70
60
80
70
60
50
45
40
35
30
25
20
0.5
-40
°C
25
°C
85
°C
PAE (%)
40
30
20
10
0
50
150
250
350
450
550
IDQ (毫安)
4.5 V
4V
3V
PAE (%)
50
40
30
20
10
0
50
150
250
350
450
550
IDQ (毫安)
4.5 V
4V
3V
OIP3 ( dBm的)
50
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
图14. PAE与我
dq
和V
DS
在2 GHz 。
注意:
偏置电流对上述图表是静态
条件。实际水平可以增加或
减少取决于RF驱动器的数量。
图15. PAE与我
dq
和V
DS
在900兆赫。
图16. OIP3与温度和频率。
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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