ATF- 501P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
A
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 0.8
-5 1
1
12
3.5
30
150
-65到150
23
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减额43.5毫瓦/°C，对于T
B
> 69.5 ℃。
4.通道至电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
产品的一致性分布图表在2 GHz ， 4.5V ， 200毫安
[5,6]
800
700
600
IDS （毫安）
Vgs=0.7V
120
100
Vgs=0.65V
120
Cpk=1.76
Stdev=0.3
100
80
Cpk=1.51
Stdev=3.38
500
Vgs=0.6V
80
60
Vgs=0.55V
-3性病
3性病
400
300
200
100
0
0
1
2
3
VDS （ V）
4
5
6
60
40
20
0
45
-3性病
3性病
40
Vgs=0.5V
20
0
27.5
28
28.5
29
29.5
30
30.5
55
65
PAE （％）
75
85
P1dB的（ DBM）
图1.典型的IV曲线
（ VGS = 0.01V ）每一步。
100
图2. P1dB的。
图3. PAE 。
100
Cpk=1.61
Stdev=0.33
80
80
Cpk=1.1
Stdev=0.87
60
60
-3性病
40
3性病
40
-3性病
3性病
20
20
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
0
42
43
44
45
46
47
48
49
50
OIP3 （ dBm的）
图4.增益。
图5. OIP3 。
注意事项：
5.分布数据样本大小是从3个不同的晶片和3个不同的拍取300个样本。
分配给该产品的未来晶片可具有间的任何位置上与标称值
下限。
6.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 501P8电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 280毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
VDS = 4.5V ， IDS = 280毫安
VDS = 4.5V ， IDS = 32毫安
VDS = 4.5V ， VGS = 0V
VDS = 4.5V ，GM =
ΔIds / ΔVGS ;
-VGS
= VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V ， VGS2 = 0.5V
VDS = 0V ， VGS = -4.5V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
0.42
—
—
—
典型值。
0.55
0.33
5
1872
马克斯。
0.67
—
—
—
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
阶截取点
[1,2]
输出1分贝压缩
[1]
功率附加效率
[1]
邻道泄漏
功率比
[1,3]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-30
—
—
13.5
—
43
—
27.5
—
50
—
—
—
-0.8
1
—
15
16.6
45.5
42
29
27.3
65
49
63.9
64.1
—
—
—
16.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注意事项：
1.测量在2GHz下获得的采用图2中所描述的生产测试板的同时测量在从负载牵引调谐器获得的0.9GHz 。
2. I） 2 GHz的OIP3测试条件： F1 = 2.0千兆赫， F2 = 2.01 GHz和引脚= -5 dBm的每个音。
II ） 900 MHz的OIP3测试条件： F1 = 900兆赫， F2 = 910 MHz和每个音PIN = -5dBm 。
3. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 渠道整合带宽= 3.84 MHz的
4.使用合适的偏置，电路板，散热和降额设计，以确保最大通道温度不超标。
见绝对最大额定值和应用笔记的更多细节。
输入
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配
电路
Γ_mag=0.79
Γ_ang=-164°
（1.1 dB损耗）
DUT
产量
匹配
电路
Γ_mag=0.69
Γ_ang=-163°
（0.9 dB损耗）
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
在2 GHz用于NF ，增益， OIP3 ，的P1dB和PAE测量2 GHz的生产测试板图6.框图。该电路实现了
最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
1.8 nH的
1.2 pF的
RF输入
15 nH的
2.2
F
50 OHM
.02
110 OHM
.03
110 OHM
.03
50 OHM
.02
1.2 pF的
3.3 nH的
DUT
47 nH的
RF输出
15欧姆
2.2
F
门
供应
漏
供应
图的生产测试板3.简图。主要目的是显示15欧姆串联电阻器放置在
门的供应。传输线一端逐渐变细，三通交点，偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该设备的最佳的OIP3和P1dB的测量是采用负载牵引系统在4.5V确定
280毫安和4.5V 400毫安quiesent偏差分别为：
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
46.42
45.50
44.83
43.97
16.03
15.07
12.97
6.11
26.67
28.93
29.03
27.33
PAE
45.80
50.30
45.70
33.90
伽马源
0.305 < -140
0.806 < -179.2
0.756 < -167
0.782 < -162
伽玛负载
0.577 < 162
0.511 < 164
0.589 < -168
0.524 < -153
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
39.29
41.79
42.37
42.00
20.90
14.72
11.25
5.63
30.49
30.60
30.24
28.26
PAE
41.00
45.30
39.70
25.80
伽马源
0.859 < 165
0.76 < -171
0.745 < -166
0.759 < -159
伽玛负载
0.757 < 179
0.691 < -168
0.694 < -161
0.708 < -149
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
49.15
48.18
47.54
45.44
16.85
14.72
12.47
8.05
27.86
29.36
29.10
28.49
PAE
44.20
48.89
46.83
37.02
伽马源
0.5852 < -135.80
0.7267 < -175.37
0.6155 < -171.71
0.7888 < -148.43
伽玛负载
0.4785 < 177.00
0.7338 < 179.56
0.5411 < -172.02
0.5247 < -145.84
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
41.78
43.28
42.46
42.94
21.84
14.83
11.90
7.70
31.23
31.03
30.66
29.56
PAE
49.97
44.78
41.00
33.06
伽马源
0.7765 < 168.50
0.8172 < -175.74
0.8149 < -163.78
0.8394 < -151.21
伽玛负载
0.7589 < -175.09
0.8011 < -165.75
0.8042 < -161.79
0.7826 < -149.00
4
ATF- 501P8典型性能曲线
（在25 ° C除非另有说明）
在4.5V 280毫安调整为最佳OIP3
55
4.5V
5.5V
3.5V
55
4.5V
5.5V
3.5V
35
50
50
30
45
45
P1dB的（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
25
4.5V
5.5V
3.5V
40
40
35
35
20
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图8. OIP3与IDQ和VDS在2 GHz 。
图9. OIP3与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图10. P1dB为与IDQ和VDS在2 GHz 。
35
25
4.5V
5.5V
3.5V
25
4.5V
5.5V
3.5V
20
30
20
P1dB的（ DBM）
增益（dB ）
15
增益（dB ）
IDQ （毫安）
15
25
4.5V
5.5V
3.5V
10
10
20
5
5
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图11. P1dB为与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图12.增益与IDQ和VDS在2 GHz 。
图13.增益与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
60
50
40
60
50
40
PAE （％）
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
PAE （％）
4.5V
5.5V
3.5V
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
4.5V
5.5V
3.5V
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图14. PAE与IDQ和VDS在2 GHz 。
图15. PAE与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
5
ATF- 501P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
A
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 0.8
-5 1
1
12
3.5
30
150
-65到150
23
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减额43.5毫瓦/°C，对于T
B
> 69.5 ℃。
4.通道至电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
产品的一致性分布图表在2 GHz ， 4.5V ， 200毫安
[5,6]
800
700
600
IDS （毫安）
Vgs=0.7V
120
100
Vgs=0.65V
120
Cpk=1.76
Stdev=0.3
100
80
Cpk=1.51
Stdev=3.38
500
Vgs=0.6V
80
60
Vgs=0.55V
-3性病
3性病
400
300
200
100
0
0
1
2
3
VDS （ V）
4
5
6
60
40
20
0
45
-3性病
3性病
40
Vgs=0.5V
20
0
27.5
28
28.5
29
29.5
30
30.5
55
65
PAE （％）
75
85
P1dB的（ DBM）
图1.典型的IV曲线
（ VGS = 0.01V ）每一步。
100
图2. P1dB的。
图3. PAE 。
100
Cpk=1.61
Stdev=0.33
80
80
Cpk=1.1
Stdev=0.87
60
60
-3性病
40
3性病
40
-3性病
3性病
20
20
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
0
42
43
44
45
46
47
48
49
50
OIP3 （ dBm的）
图4.增益。
图5. OIP3 。
注意事项：
5.分布数据样本大小是从3个不同的晶片和3个不同的拍取300个样本。
分配给该产品的未来晶片可具有间的任何位置上与标称值
下限。
6.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 501P8电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 280毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
VDS = 4.5V ， IDS = 280毫安
VDS = 4.5V ， IDS = 32毫安
VDS = 4.5V ， VGS = 0V
VDS = 4.5V ，GM =
ΔIds / ΔVGS ;
-VGS
= VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V ， VGS2 = 0.5V
VDS = 0V ， VGS = -4.5V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
0.42
—
—
—
典型值。
0.55
0.33
5
1872
马克斯。
0.67
—
—
—
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
阶截取点
[1,2]
输出1分贝压缩
[1]
功率附加效率
[1]
邻道泄漏
功率比
[1,3]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-30
—
—
13.5
—
43
—
27.5
—
50
—
—
—
-0.8
1
—
15
16.6
45.5
42
29
27.3
65
49
63.9
64.1
—
—
—
16.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注意事项：
1.测量在2GHz下获得的采用图2中所描述的生产测试板的同时测量在从负载牵引调谐器获得的0.9GHz 。
2. I） 2 GHz的OIP3测试条件： F1 = 2.0千兆赫， F2 = 2.01 GHz和引脚= -5 dBm的每个音。
II ） 900 MHz的OIP3测试条件： F1 = 900兆赫， F2 = 910 MHz和每个音PIN = -5dBm 。
3. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 渠道整合带宽= 3.84 MHz的
4.使用合适的偏置，电路板，散热和降额设计，以确保最大通道温度不超标。
见绝对最大额定值和应用笔记的更多细节。
输入
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配
电路
Γ_mag=0.79
Γ_ang=-164°
（1.1 dB损耗）
DUT
产量
匹配
电路
Γ_mag=0.69
Γ_ang=-163°
（0.9 dB损耗）
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
在2 GHz用于NF ，增益， OIP3 ，的P1dB和PAE测量2 GHz的生产测试板图6.框图。该电路实现了
最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
1.8 nH的
1.2 pF的
RF输入
15 nH的
2.2
F
50 OHM
.02
110 OHM
.03
110 OHM
.03
50 OHM
.02
1.2 pF的
3.3 nH的
DUT
47 nH的
RF输出
15欧姆
2.2
F
门
供应
漏
供应
图的生产测试板3.简图。主要目的是显示15欧姆串联电阻器放置在
门的供应。传输线一端逐渐变细，三通交点，偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该设备的最佳的OIP3和P1dB的测量是采用负载牵引系统在4.5V确定
280毫安和4.5V 400毫安quiesent偏差分别为：
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
46.42
45.50
44.83
43.97
16.03
15.07
12.97
6.11
26.67
28.93
29.03
27.33
PAE
45.80
50.30
45.70
33.90
伽马源
0.305 < -140
0.806 < -179.2
0.756 < -167
0.782 < -162
伽玛负载
0.577 < 162
0.511 < 164
0.589 < -168
0.524 < -153
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
39.29
41.79
42.37
42.00
20.90
14.72
11.25
5.63
30.49
30.60
30.24
28.26
PAE
41.00
45.30
39.70
25.80
伽马源
0.859 < 165
0.76 < -171
0.745 < -166
0.759 < -159
伽玛负载
0.757 < 179
0.691 < -168
0.694 < -161
0.708 < -149
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
49.15
48.18
47.54
45.44
16.85
14.72
12.47
8.05
27.86
29.36
29.10
28.49
PAE
44.20
48.89
46.83
37.02
伽马源
0.5852 < -135.80
0.7267 < -175.37
0.6155 < -171.71
0.7888 < -148.43
伽玛负载
0.4785 < 177.00
0.7338 < 179.56
0.5411 < -172.02
0.5247 < -145.84
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
41.78
43.28
42.46
42.94
21.84
14.83
11.90
7.70
31.23
31.03
30.66
29.56
PAE
49.97
44.78
41.00
33.06
伽马源
0.7765 < 168.50
0.8172 < -175.74
0.8149 < -163.78
0.8394 < -151.21
伽玛负载
0.7589 < -175.09
0.8011 < -165.75
0.8042 < -161.79
0.7826 < -149.00
4
ATF- 501P8典型性能曲线
（在25 ° C除非另有说明）
在4.5V 280毫安调整为最佳OIP3
55
4.5V
5.5V
3.5V
55
4.5V
5.5V
3.5V
35
50
50
30
45
45
P1dB的（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
25
4.5V
5.5V
3.5V
40
40
35
35
20
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图8. OIP3与IDQ和VDS在2 GHz 。
图9. OIP3与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图10. P1dB为与IDQ和VDS在2 GHz 。
35
25
4.5V
5.5V
3.5V
25
4.5V
5.5V
3.5V
20
30
20
P1dB的（ DBM）
增益（dB ）
15
增益（dB ）
IDQ （毫安）
15
25
4.5V
5.5V
3.5V
10
10
20
5
5
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图11. P1dB为与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图12.增益与IDQ和VDS在2 GHz 。
图13.增益与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
60
50
40
60
50
40
PAE （％）
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
PAE （％）
4.5V
5.5V
3.5V
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
4.5V
5.5V
3.5V
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图14. PAE与IDQ和VDS在2 GHz 。
图15. PAE与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
5
ATF- 501P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
A
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 0.8
-5 1
1
12
3.5
30
150
-65到150
23
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减额43.5毫瓦/°C，对于T
B
> 69.5 ℃。
4.通道至电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
产品的一致性分布图表在2 GHz ， 4.5V ， 200毫安
[5,6]
800
700
600
IDS （毫安）
Vgs=0.7V
120
100
Vgs=0.65V
120
Cpk=1.76
Stdev=0.3
100
80
Cpk=1.51
Stdev=3.38
500
Vgs=0.6V
80
60
Vgs=0.55V
-3性病
3性病
400
300
200
100
0
0
1
2
3
VDS （ V）
4
5
6
60
40
20
0
45
-3性病
3性病
40
Vgs=0.5V
20
0
27.5
28
28.5
29
29.5
30
30.5
55
65
PAE （％）
75
85
P1dB的（ DBM）
图1.典型的IV曲线
（ VGS = 0.01V ）每一步。
100
图2. P1dB的。
图3. PAE 。
100
Cpk=1.61
Stdev=0.33
80
80
Cpk=1.1
Stdev=0.87
60
60
-3性病
40
3性病
40
-3性病
3性病
20
20
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
0
42
43
44
45
46
47
48
49
50
OIP3 （ dBm的）
图4.增益。
图5. OIP3 。
注意事项：
5.分布数据样本大小是从3个不同的晶片和3个不同的拍取300个样本。
分配给该产品的未来晶片可具有间的任何位置上与标称值
下限。
6.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 501P8电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 280毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
VDS = 4.5V ， IDS = 280毫安
VDS = 4.5V ， IDS = 32毫安
VDS = 4.5V ， VGS = 0V
VDS = 4.5V ，GM =
ΔIds / ΔVGS ;
-VGS
= VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V ， VGS2 = 0.5V
VDS = 0V ， VGS = -4.5V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
0.42
—
—
—
典型值。
0.55
0.33
5
1872
马克斯。
0.67
—
—
—
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
阶截取点
[1,2]
输出1分贝压缩
[1]
功率附加效率
[1]
邻道泄漏
功率比
[1,3]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-30
—
—
13.5
—
43
—
27.5
—
50
—
—
—
-0.8
1
—
15
16.6
45.5
42
29
27.3
65
49
63.9
64.1
—
—
—
16.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注意事项：
1.测量在2GHz下获得的采用图2中所描述的生产测试板的同时测量在从负载牵引调谐器获得的0.9GHz 。
2. I） 2 GHz的OIP3测试条件： F1 = 2.0千兆赫， F2 = 2.01 GHz和引脚= -5 dBm的每个音。
II ） 900 MHz的OIP3测试条件： F1 = 900兆赫， F2 = 910 MHz和每个音PIN = -5dBm 。
3. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 渠道整合带宽= 3.84 MHz的
4.使用合适的偏置，电路板，散热和降额设计，以确保最大通道温度不超标。
见绝对最大额定值和应用笔记的更多细节。
输入
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配
电路
Γ_mag=0.79
Γ_ang=-164°
（1.1 dB损耗）
DUT
产量
匹配
电路
Γ_mag=0.69
Γ_ang=-163°
（0.9 dB损耗）
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
在2 GHz用于NF ，增益， OIP3 ，的P1dB和PAE测量2 GHz的生产测试板图6.框图。该电路实现了
最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
1.8 nH的
1.2 pF的
RF输入
15 nH的
2.2
F
50 OHM
.02
110 OHM
.03
110 OHM
.03
50 OHM
.02
1.2 pF的
3.3 nH的
DUT
47 nH的
RF输出
15欧姆
2.2
F
门
供应
漏
供应
图的生产测试板3.简图。主要目的是显示15欧姆串联电阻器放置在
门的供应。传输线一端逐渐变细，三通交点，偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该设备的最佳的OIP3和P1dB的测量是采用负载牵引系统在4.5V确定
280毫安和4.5V 400毫安quiesent偏差分别为：
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
46.42
45.50
44.83
43.97
16.03
15.07
12.97
6.11
26.67
28.93
29.03
27.33
PAE
45.80
50.30
45.70
33.90
伽马源
0.305 < -140
0.806 < -179.2
0.756 < -167
0.782 < -162
伽玛负载
0.577 < 162
0.511 < 164
0.589 < -168
0.524 < -153
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
39.29
41.79
42.37
42.00
20.90
14.72
11.25
5.63
30.49
30.60
30.24
28.26
PAE
41.00
45.30
39.70
25.80
伽马源
0.859 < 165
0.76 < -171
0.745 < -166
0.759 < -159
伽玛负载
0.757 < 179
0.691 < -168
0.694 < -161
0.708 < -149
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
49.15
48.18
47.54
45.44
16.85
14.72
12.47
8.05
27.86
29.36
29.10
28.49
PAE
44.20
48.89
46.83
37.02
伽马源
0.5852 < -135.80
0.7267 < -175.37
0.6155 < -171.71
0.7888 < -148.43
伽玛负载
0.4785 < 177.00
0.7338 < 179.56
0.5411 < -172.02
0.5247 < -145.84
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
41.78
43.28
42.46
42.94
21.84
14.83
11.90
7.70
31.23
31.03
30.66
29.56
PAE
49.97
44.78
41.00
33.06
伽马源
0.7765 < 168.50
0.8172 < -175.74
0.8149 < -163.78
0.8394 < -151.21
伽玛负载
0.7589 < -175.09
0.8011 < -165.75
0.8042 < -161.79
0.7826 < -149.00
4
ATF- 501P8典型性能曲线
（在25 ° C除非另有说明）
在4.5V 280毫安调整为最佳OIP3
55
4.5V
5.5V
3.5V
55
4.5V
5.5V
3.5V
35
50
50
30
45
45
P1dB的（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
25
4.5V
5.5V
3.5V
40
40
35
35
20
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图8. OIP3与IDQ和VDS在2 GHz 。
图9. OIP3与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图10. P1dB为与IDQ和VDS在2 GHz 。
35
25
4.5V
5.5V
3.5V
25
4.5V
5.5V
3.5V
20
30
20
P1dB的（ DBM）
增益（dB ）
15
增益（dB ）
IDQ （毫安）
15
25
4.5V
5.5V
3.5V
10
10
20
5
5
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图11. P1dB为与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图12.增益与IDQ和VDS在2 GHz 。
图13.增益与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
60
50
40
60
50
40
PAE （％）
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
PAE （％）
4.5V
5.5V
3.5V
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
4.5V
5.5V
3.5V
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图14. PAE与IDQ和VDS在2 GHz 。
图15. PAE与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
5
ATF- 501P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
I
GS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
栅电流
总功耗
[3]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
A
mA
W
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
7
-5 0.8
-5 1
1
12
3.5
30
150
-65到150
23
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减额43.5毫瓦/°C，对于T
B
> 69.5 ℃。
4.通道至电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
产品的一致性分布图表在2 GHz ， 4.5V ， 200毫安
[5,6]
800
700
600
IDS （毫安）
Vgs=0.7V
120
100
Vgs=0.65V
120
Cpk=1.76
Stdev=0.3
100
80
Cpk=1.51
Stdev=3.38
500
Vgs=0.6V
80
60
Vgs=0.55V
-3性病
3性病
400
300
200
100
0
0
1
2
3
VDS （ V）
4
5
6
60
40
20
0
45
-3性病
3性病
40
Vgs=0.5V
20
0
27.5
28
28.5
29
29.5
30
30.5
55
65
PAE （％）
75
85
P1dB的（ DBM）
图1.典型的IV曲线
（ VGS = 0.01V ）每一步。
100
图2. P1dB的。
图3. PAE 。
100
Cpk=1.61
Stdev=0.33
80
80
Cpk=1.1
Stdev=0.87
60
60
-3性病
40
3性病
40
-3性病
3性病
20
20
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
0
42
43
44
45
46
47
48
49
50
OIP3 （ dBm的）
图4.增益。
图5. OIP3 。
注意事项：
5.分布数据样本大小是从3个不同的晶片和3个不同的拍取300个样本。
分配给该产品的未来晶片可具有间的任何位置上与标称值
下限。
6.测量是在生产测试板，它代表了最优之间的权衡做出
OIP3 ， P1dB为和VSWR 。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 501P8电气规格
T
A
= 25 ℃，直流偏压RF参数是的Vds = 4.5V和ID = 280毫安除非另有规定。
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
跨
VDS = 4.5V ， IDS = 280毫安
VDS = 4.5V ， IDS = 32毫安
VDS = 4.5V ， VGS = 0V
VDS = 4.5V ，GM =
ΔIds / ΔVGS ;
-VGS
= VGS1 - VGS2
VGS1 = 0.55V ， VGS2 = 0.5V
VDS = 0V ， VGS = -4.5V
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
偏移BW = 5兆赫
胶印BW = 10 MHz的
单位
V
V
A
mmho
分钟。
0.42
—
—
—
典型值。
0.55
0.33
5
1872
马克斯。
0.67
—
—
—
IGSS
NF
G
OIP3
P1dB
PAE
ACLR
栅极漏电流
噪声系数
[1]
收益
[1]
输出3
rd
阶截取点
[1,2]
输出1分贝压缩
[1]
功率附加效率
[1]
邻道泄漏
功率比
[1,3]
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
dBc的
dBc的
-30
—
—
13.5
—
43
—
27.5
—
50
—
—
—
-0.8
1
—
15
16.6
45.5
42
29
27.3
65
49
63.9
64.1
—
—
—
16.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
注意事项：
1.测量在2GHz下获得的采用图2中所描述的生产测试板的同时测量在从负载牵引调谐器获得的0.9GHz 。
2. I） 2 GHz的OIP3测试条件： F1 = 2.0千兆赫， F2 = 2.01 GHz和引脚= -5 dBm的每个音。
II ） 900 MHz的OIP3测试条件： F1 = 900兆赫， F2 = 910 MHz和每个音PIN = -5dBm 。
3. ACLR测试规范基于3GPP TS 25.141 V5.3.1 （ 2002-06 ）
- 测试模型1
- 活动通道： PCCPCH + SCH + CPICH + PICH + SCCPCH + 64 DPCH （ SF = 128 ）
- 频率= 2140 MHz的
- 引脚= -5 dBm的
- 渠道整合带宽= 3.84 MHz的
4.使用合适的偏置，电路板，散热和降额设计，以确保最大通道温度不超标。
见绝对最大额定值和应用笔记的更多细节。
输入
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配
电路
Γ_mag=0.79
Γ_ang=-164°
（1.1 dB损耗）
DUT
产量
匹配
电路
Γ_mag=0.69
Γ_ang=-163°
（0.9 dB损耗）
50 OHM
传输
线
漏极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
产量
在2 GHz用于NF ，增益， OIP3 ，的P1dB和PAE测量2 GHz的生产测试板图6.框图。该电路实现了
最佳的OIP3 ， P1dB为和VSWR之间的权衡。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
1.8 nH的
1.2 pF的
RF输入
15 nH的
2.2
F
50 OHM
.02
110 OHM
.03
110 OHM
.03
50 OHM
.02
1.2 pF的
3.3 nH的
DUT
47 nH的
RF输出
15欧姆
2.2
F
门
供应
漏
供应
图的生产测试板3.简图。主要目的是显示15欧姆串联电阻器放置在
门的供应。传输线一端逐渐变细，三通交点，偏置线和寄生值未示出。
伽玛负载和电源的最佳OIP3和P1dB的调整条件
该设备的最佳的OIP3和P1dB的测量是采用负载牵引系统在4.5V确定
280毫安和4.5V 400毫安quiesent偏差分别为：
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
46.42
45.50
44.83
43.97
16.03
15.07
12.97
6.11
26.67
28.93
29.03
27.33
PAE
45.80
50.30
45.70
33.90
伽马源
0.305 < -140
0.806 < -179.2
0.756 < -167
0.782 < -162
伽玛负载
0.577 < 162
0.511 < 164
0.589 < -168
0.524 < -153
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 280毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 280毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
39.29
41.79
42.37
42.00
20.90
14.72
11.25
5.63
30.49
30.60
30.24
28.26
PAE
41.00
45.30
39.70
25.80
伽马源
0.859 < 165
0.76 < -171
0.745 < -166
0.759 < -159
伽玛负载
0.757 < 179
0.691 < -168
0.694 < -161
0.708 < -149
典型的反差系数的最佳OIP3为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大OIP3
OIP3
收益
P1dB
49.15
48.18
47.54
45.44
16.85
14.72
12.47
8.05
27.86
29.36
29.10
28.49
PAE
44.20
48.89
46.83
37.02
伽马源
0.5852 < -135.80
0.7267 < -175.37
0.6155 < -171.71
0.7888 < -148.43
伽玛负载
0.4785 < 177.00
0.7338 < 179.56
0.5411 < -172.02
0.5247 < -145.84
典型的反差系数在最佳的P1dB为4.5V 400毫安
频率（千兆赫）
0.9
2.0
2.4
3.9
在4.5V 400毫安优化，最大的P1dB
OIP3
收益
P1dB
41.78
43.28
42.46
42.94
21.84
14.83
11.90
7.70
31.23
31.03
30.66
29.56
PAE
49.97
44.78
41.00
33.06
伽马源
0.7765 < 168.50
0.8172 < -175.74
0.8149 < -163.78
0.8394 < -151.21
伽玛负载
0.7589 < -175.09
0.8011 < -165.75
0.8042 < -161.79
0.7826 < -149.00
4
ATF- 501P8典型性能曲线
（在25 ° C除非另有说明）
在4.5V 280毫安调整为最佳OIP3
55
4.5V
5.5V
3.5V
55
4.5V
5.5V
3.5V
35
50
50
30
45
45
P1dB的（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
25
4.5V
5.5V
3.5V
40
40
35
35
20
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
30
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图8. OIP3与IDQ和VDS在2 GHz 。
图9. OIP3与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图10. P1dB为与IDQ和VDS在2 GHz 。
35
25
4.5V
5.5V
3.5V
25
4.5V
5.5V
3.5V
20
30
20
P1dB的（ DBM）
增益（dB ）
15
增益（dB ）
IDQ （毫安）
15
25
4.5V
5.5V
3.5V
10
10
20
5
5
15
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图11. P1dB为与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
图12.增益与IDQ和VDS在2 GHz 。
图13.增益与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
60
50
40
60
50
40
PAE （％）
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
PAE （％）
4.5V
5.5V
3.5V
30
20
10
0
200 240 280 320 360 400 440 480 520 560 600 640
4.5V
5.5V
3.5V
IDQ （毫安）
IDQ （毫安）
图14. PAE与IDQ和VDS在2 GHz 。
图15. PAE与IDQ和VDS 0.9 GHz的。
5
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