ATF-34143
低噪声赝HEMT
在一个表面贴装塑料封装
数据表
描述
Avago的ATF - 34143是一款高动态范围，低噪音
PHEMT坐落在一个4引脚SC- 70 （ SOT- 343 ）表面贴装
塑料封装。
根据其功能的表现， ATF- 34143是理想的
的基站的LNA由于出色的第一阶段
低噪声指数和高线性度的组合
[1]
。该
设备还适用于在无线局域网中的应用，
WLL / RLL ， MMDS等系统需要超低价
噪声系数具有良好的拦截，在450 MHz至10 GHz的
频率范围。
注意：
1.在同一PHEMT场效应管系列，大几何ATF- 33143
也可以被认为无论是对较高的线性性能
或更容易的电路设计为稳定在较低的频段
（ 800 - 900兆赫） 。
特点
无铅选项可用
低噪声系数
优异的均匀度在产品规格
800微米的闸门宽度
低成本表面贴装小型塑料包装
SOT - 343 （ 4引线SC- 70 ）
可带盘式包装选项
特定网络阳离子
1.9 GHz的; 4V 60 mA（典型值）
0.5分贝噪声系数
17.5分贝相关的增益
1 dB增益压缩20 dBm的输出功率
31.5 dBm输出3
rd
为了拦截
表面贴装封装 - SOT- 343
应用
塔顶放大器和低噪声放大器
用于GSM / TDMA / CDMA的基站
LNA的无线LAN ， WLL / RLL和MMDS
应用
引脚连接和封装标识
漏
来源
通用离散PHEMT的其他超低
噪声应用
来源
门
注意：
俯视图。包装标识提供
定位和识别。
“ 4P ” =设备代码
“X” =日期代码字符。一个新的角色
分配给每一个月，一年。
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
4Px
ATF- 34143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
D
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[5]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
DSS [3]
725
17
160
-65 160
165
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3. V
GS
= 0伏。
4.源铅温度为25 ℃。减额
6毫瓦/ ° 对于T
L
> 40℃。
使用150 ℃下测定5热阻
液晶测量方法。
6.在大信号条件下，V
GS
五月
摆动阳性和漏极电流可
超过我
DSS
。这些条件都可以接受
只要最大P
DISS
和P
在MAX
收视率都没有超过。
产品的一致性分布图表
[7]
250
+0.6 V
120
100
80
200
CPK = 1.37245
标准= 0.66
9晶圆
样本量= 450
I
DS
（MA ）
150
0V
标准-3
60
40
3性病
100
50
–0.6 V
20
0
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
29
30
31
32
OIP3 （ dBm的）
33
34
35
图1.典型的/脉冲I- V曲线
[6]
.
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
120
100
80
CPK = 2.69167
标准= 0.04
9晶圆
样本量= 450
图2. OIP3 @ 2 GHz的4 V，50 mA的电流。
LSL = 29.0 ，额定= 31.8 ， USL = 35.0
120
100
80
CPK = 2.99973
标准= 0.15
9晶圆
样本量= 450
标准-3
60
40
20
0
0
0.2
0.4
NF（ dB）的
3性病
60
40
20
0
0.6
0.8
16
16.5
标准-3
3性病
17
17.5
增益（dB ）
18
18.5
19
图3. NF @ 2 GHz的4 V，50 mA的电流。
LSL = 0.1 ，额定= 0.47 ， USL = 0.8
图4.增益@ 2 GHz的4 V，50 mA的电流。
LSL = 16.0 ，额定= 17.5 ， USL = 19.0
注意事项：
7.分布数据样本大小是由9个不同的晶片取450样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
8.测量就生产测试板。该电路表示一个最佳噪声匹配和基于realizeable匹配之间的折衷
在生产测试的需求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 34143电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
NF
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
噪声系数
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= -0.34 V, V
DS
= 4 V
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
V
GD
= 5 V
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
单位
mA
V
mA
mmho
μA
μA
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
90
-0.65
—
180
典型值。
[2]
118
-0.5
60
230
马克斯。
145
-0.35
—
—
500
—
30
0.5
0.5
0.4
300
0.8
G
a
相关的增益
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
16
17.5
17
21.5
19
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
F = 2 GHz的
+5 dBm的P
OUT
/音
F = 900兆赫
+5 dBm的P
OUT
/音
29
31.5
30
31
20
19
18.5
P
1dB
1分贝压缩
截取点
[3]
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
注意事项：
1.保证在晶圆探针水平
从450份样品尺寸来确定从9晶片2.典型值。
3.使用生产测试板。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.30
Γ_ang
= 56°
（ 0.4分贝损失）
DUT
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
2 GHz的生产测试板图5.框图用于噪声系数，相关的增益，P1dB和OIP3测量。该电路表示一种折衷
之间的最佳噪声匹配和相关的阻抗匹配电路的损失。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 34143典型性能曲线
35
30
相关的增益（分贝）
噪声系数（dB ）
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
P
1dB
3V
4V
OIP3
20
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
15
10
5
3V
4V
3V
4V
120
140
0
0
20
40
60
电流（mA ）
80
100
120
0
20
40
60
电流（mA ）
80
100
120
I
DSQ
（MA ）
图6. OIP3和P
1dB
与我
DS
和V
DS
调整为NF @
4 V，50 mA的2千兆赫。
[1,2]
35
30
图7.相关增益与电流（I
d
）和电压
(V
D
）在2 GHz 。
[1,2]
25
20
相关的增益（分贝）
15
10
5
0
图8.噪声系数与电流（I
d
）和电压
(V
DS
）在2 GHz 。
[1,2]
0.7
0.6
噪声系数（dB ）
0.5
0.4
0.3
0.2
OIP3
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
3V
4V
P
1dB
3V
4V
0.1
120
0
0
20
40
60
电流（mA ）
80
3V
4V
100
120
0
20
40
60
电流（mA ）
80
100
100
120
图9. OIP3和P
1dB
与我
DS
和V
DS
调整为NF @
4 V，50 mA的900兆赫。
[1,2]
图10.相关增益与电流（I
d
）和电压
(V
D
）在900兆赫。
[1,2]
25
图11.噪声系数与电流（I
d
）和电压
(V
DS
）在900兆赫。
[1,2]
1.2
1.0
20
0.8
FMIN （ dB）的
0.6
0.4
0.2
0
60毫安
40毫安
20毫安
G
a
（ dB）的
15
10
60毫安
40毫安
20毫安
0
2.0
4.0
6.0
5
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图12. FMIN与频率和电流4 V.
注意事项：
图13相关的增益与频率和电流
在4 V.
1.测量就固定的色调生产测试板被调整为最佳增益匹配合理的噪声系数为4V ， 60毫安
偏见。该电路表示基于生产测试之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，并且可实现的匹配的折衷
板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2. P
1dB
测量与被动偏置进行。 Quicescent漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
被搭讪，
漏电流可能增加或减少取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备运行更接近类
B的输出功率接近P
1dB
。这导致更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。作为一个例子，在一个V
DS
= 4 V和I
DSQ
= 10 mA时，我
d
增大到62毫安作为P
1dB
的+19 dBm的
逼近。
4
ATF- 34143典型性能曲线，继续
25
85 C
25 C
-40 C
1.5
33
31
增益（分贝） ，的OP1dB和OIP3 （ dBm的）
29
的P1dB ， OIP3 （ dBm的）
35
30
25
20
15
10
5
0
2000
4000
频率（MHz）
6000
8000
0
0
20
40
60
80
100
120
140
收益
OP1dB
OIP3
NF
5.0
4.5
4.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
噪声系数（dB ）
3.5
20
G
a
（ dB）的
1.0
NF（ dB）的
27
25
23
21
19
OIP3
85 C
25 C
-40 C
P
1dB
15
0.5
10
0
2000
4000
频率（GHz ）
6000
0
8000
17
I
DSQ
（MA ）
图14. FMIN和G
a
与频率和温度
在V
DS
= 4 V，I
DS
= 60 mA的电流。
30
27
增益（分贝） ，的OP1dB和OIP3 （ dBm的）
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
收益
OP1dB
OIP3
NF
图15. P
1dB
， IP3与频率和温度在V
DS
= 4 V，I
DS
= 60 mA的电流。
[1]
25
20
噪声系数（dB ）
15
P
1dB
（ dBm的）
10
5
0
-5
3V
4V
图16. NF ，增益的OP1dB和OIP3与我
DS
在4 V和
3.9 GHz的调谐噪声系数。
[1]
25
20
15
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
P
1dB
（ dBm的）
10
5
0
-5
3V
4V
0
50
I
DS
（MA ）
100
150
0
50
I
DS
（MA ）
100
150
图17. NF ，增益的OP1dB和OIP3与我
DS
在4 V和
5.8 GHz的调谐噪声系数。
[1]
图18. P
1dB
与我
DS
有源偏置调谐的NF @ 4V ， 60
毫安在2 GHz 。
图19. P
1dB
与我
DS
有源偏置调谐的分NF @
4V， 60毫安在900兆赫。
注意：
1. P
1dB
测量与被动偏置进行。 Quicescent漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
被搭讪，
漏电流可能增加或减少取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备运行更接近类
B的输出功率接近P
1dB
。这导致更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。作为一个例子，在一个V
DS
= 4 V和I
DSQ
= 10 mA时，我
d
增大到62毫安作为P
1dB
的+19 dBm的
逼近。
5
ATF-34143
低噪声赝HEMT
在一个表面贴装塑料封装
数据表
描述
Avago的ATF - 34143是一款高动态范围，低噪音
PHEMT坐落在一个4引脚SC- 70 （ SOT- 343 ）表面贴装
塑料封装。
根据其功能的表现， ATF- 34143是理想的
的基站的LNA由于出色的第一阶段
低噪声指数和高线性度的组合
[1]
。该
设备还适用于在无线局域网中的应用，
WLL / RLL ， MMDS等系统需要超低价
噪声系数具有良好的拦截，在450 MHz至10 GHz的
频率范围。
注意：
1.在同一PHEMT场效应管系列，大几何ATF- 33143
也可以被认为无论是对较高的线性性能
或更容易的电路设计为稳定在较低的频段
（ 800 - 900兆赫） 。
特点
无铅选项可用
低噪声系数
优异的均匀度在产品规格
800微米的闸门宽度
低成本表面贴装小型塑料包装
SOT - 343 （ 4引线SC- 70 ）
可带盘式包装选项
特定网络阳离子
1.9 GHz的; 4V 60 mA（典型值）
0.5分贝噪声系数
17.5分贝相关的增益
1 dB增益压缩20 dBm的输出功率
31.5 dBm输出3
rd
为了拦截
表面贴装封装 - SOT- 343
应用
塔顶放大器和低噪声放大器
用于GSM / TDMA / CDMA的基站
LNA的无线LAN ， WLL / RLL和MMDS
应用
引脚连接和封装标识
漏
来源
通用离散PHEMT的其他超低
噪声应用
来源
门
注意：
俯视图。包装标识提供
定位和识别。
“ 4P ” =设备代码
“X” =日期代码字符。一个新的角色
分配给每一个月，一年。
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
4Px
ATF- 34143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
D
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻
[5]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
DSS [3]
725
17
160
-65 160
165
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3. V
GS
= 0伏。
4.源铅温度为25 ℃。减额
6毫瓦/ ° 对于T
L
> 40℃。
使用150 ℃下测定5热阻
液晶测量方法。
6.在大信号条件下，V
GS
五月
摆动阳性和漏极电流可
超过我
DSS
。这些条件都可以接受
只要最大P
DISS
和P
在MAX
收视率都没有超过。
产品的一致性分布图表
[7]
250
+0.6 V
120
100
80
200
CPK = 1.37245
标准= 0.66
9晶圆
样本量= 450
I
DS
（MA ）
150
0V
标准-3
60
40
3性病
100
50
–0.6 V
20
0
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
29
30
31
32
OIP3 （ dBm的）
33
34
35
图1.典型的/脉冲I- V曲线
[6]
.
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
120
100
80
CPK = 2.69167
标准= 0.04
9晶圆
样本量= 450
图2. OIP3 @ 2 GHz的4 V，50 mA的电流。
LSL = 29.0 ，额定= 31.8 ， USL = 35.0
120
100
80
CPK = 2.99973
标准= 0.15
9晶圆
样本量= 450
标准-3
60
40
20
0
0
0.2
0.4
NF（ dB）的
3性病
60
40
20
0
0.6
0.8
16
16.5
标准-3
3性病
17
17.5
增益（dB ）
18
18.5
19
图3. NF @ 2 GHz的4 V，50 mA的电流。
LSL = 0.1 ，额定= 0.47 ， USL = 0.8
图4.增益@ 2 GHz的4 V，50 mA的电流。
LSL = 16.0 ，额定= 17.5 ， USL = 19.0
注意事项：
7.分布数据样本大小是由9个不同的晶片取450样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
8.测量就生产测试板。该电路表示一个最佳噪声匹配和基于realizeable匹配之间的折衷
在生产测试的需求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 34143电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
NF
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
噪声系数
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= -0.34 V, V
DS
= 4 V
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
V
GD
= 5 V
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 30毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
单位
mA
V
mA
mmho
μA
μA
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
90
-0.65
—
180
典型值。
[2]
118
-0.5
60
230
马克斯。
145
-0.35
—
—
500
—
30
0.5
0.5
0.4
300
0.8
G
a
相关的增益
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
16
17.5
17
21.5
19
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
F = 2 GHz的
+5 dBm的P
OUT
/音
F = 900兆赫
+5 dBm的P
OUT
/音
29
31.5
30
31
20
19
18.5
P
1dB
1分贝压缩
截取点
[3]
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
注意事项：
1.保证在晶圆探针水平
从450份样品尺寸来确定从9晶片2.典型值。
3.使用生产测试板。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.30
Γ_ang
= 56°
（ 0.4分贝损失）
DUT
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
2 GHz的生产测试板图5.框图用于噪声系数，相关的增益，P1dB和OIP3测量。该电路表示一种折衷
之间的最佳噪声匹配和相关的阻抗匹配电路的损失。电路损耗已解嵌，从实际测量。
3
ATF- 34143典型性能曲线
35
30
相关的增益（分贝）
噪声系数（dB ）
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
P
1dB
3V
4V
OIP3
20
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
15
10
5
3V
4V
3V
4V
120
140
0
0
20
40
60
电流（mA ）
80
100
120
0
20
40
60
电流（mA ）
80
100
120
I
DSQ
（MA ）
图6. OIP3和P
1dB
与我
DS
和V
DS
调整为NF @
4 V，50 mA的2千兆赫。
[1,2]
35
30
图7.相关增益与电流（I
d
）和电压
(V
D
）在2 GHz 。
[1,2]
25
20
相关的增益（分贝）
15
10
5
0
图8.噪声系数与电流（I
d
）和电压
(V
DS
）在2 GHz 。
[1,2]
0.7
0.6
噪声系数（dB ）
0.5
0.4
0.3
0.2
OIP3
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
3V
4V
P
1dB
3V
4V
0.1
120
0
0
20
40
60
电流（mA ）
80
3V
4V
100
120
0
20
40
60
电流（mA ）
80
100
100
120
图9. OIP3和P
1dB
与我
DS
和V
DS
调整为NF @
4 V，50 mA的900兆赫。
[1,2]
图10.相关增益与电流（I
d
）和电压
(V
D
）在900兆赫。
[1,2]
25
图11.噪声系数与电流（I
d
）和电压
(V
DS
）在900兆赫。
[1,2]
1.2
1.0
20
0.8
FMIN （ dB）的
0.6
0.4
0.2
0
60毫安
40毫安
20毫安
G
a
（ dB）的
15
10
60毫安
40毫安
20毫安
0
2.0
4.0
6.0
5
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图12. FMIN与频率和电流4 V.
注意事项：
图13相关的增益与频率和电流
在4 V.
1.测量就固定的色调生产测试板被调整为最佳增益匹配合理的噪声系数为4V ， 60毫安
偏见。该电路表示基于生产测试之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，并且可实现的匹配的折衷
板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2. P
1dB
测量与被动偏置进行。 Quicescent漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
被搭讪，
漏电流可能增加或减少取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备运行更接近类
B的输出功率接近P
1dB
。这导致更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。作为一个例子，在一个V
DS
= 4 V和I
DSQ
= 10 mA时，我
d
增大到62毫安作为P
1dB
的+19 dBm的
逼近。
4
ATF- 34143典型性能曲线，继续
25
85 C
25 C
-40 C
1.5
33
31
增益（分贝） ，的OP1dB和OIP3 （ dBm的）
29
的P1dB ， OIP3 （ dBm的）
35
30
25
20
15
10
5
0
2000
4000
频率（MHz）
6000
8000
0
0
20
40
60
80
100
120
140
收益
OP1dB
OIP3
NF
5.0
4.5
4.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
噪声系数（dB ）
3.5
20
G
a
（ dB）的
1.0
NF（ dB）的
27
25
23
21
19
OIP3
85 C
25 C
-40 C
P
1dB
15
0.5
10
0
2000
4000
频率（GHz ）
6000
0
8000
17
I
DSQ
（MA ）
图14. FMIN和G
a
与频率和温度
在V
DS
= 4 V，I
DS
= 60 mA的电流。
30
27
增益（分贝） ，的OP1dB和OIP3 （ dBm的）
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
收益
OP1dB
OIP3
NF
图15. P
1dB
， IP3与频率和温度在V
DS
= 4 V，I
DS
= 60 mA的电流。
[1]
25
20
噪声系数（dB ）
15
P
1dB
（ dBm的）
10
5
0
-5
3V
4V
图16. NF ，增益的OP1dB和OIP3与我
DS
在4 V和
3.9 GHz的调谐噪声系数。
[1]
25
20
15
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
P
1dB
（ dBm的）
10
5
0
-5
3V
4V
0
50
I
DS
（MA ）
100
150
0
50
I
DS
（MA ）
100
150
图17. NF ，增益的OP1dB和OIP3与我
DS
在4 V和
5.8 GHz的调谐噪声系数。
[1]
图18. P
1dB
与我
DS
有源偏置调谐的NF @ 4V ， 60
毫安在2 GHz 。
图19. P
1dB
与我
DS
有源偏置调谐的分NF @
4V， 60毫安在900兆赫。
注意：
1. P
1dB
测量与被动偏置进行。 Quicescent漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
被搭讪，
漏电流可能增加或减少取决于频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备运行更接近类
B的输出功率接近P
1dB
。这导致更高的PAE （功率附加效率）相比，是受一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用有源偏置。作为一个例子，在一个V
DS
= 4 V和I
DSQ
= 10 mA时，我
d
增大到62毫安作为P
1dB
的+19 dBm的
逼近。
5
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