安捷伦ATF- 331M4低噪声
在赝HEMT
微型无铅封装
数据表
特点
低噪声系数
卓越的均匀性，在产品
特定网络阳离子
1600微米的闸门宽度
微型无铅封装
1.4毫米×1.2毫米× 0.7毫米
描述
安捷伦科技公司
ATF- 331M4是高线性度，
低噪声pHEMT制装在一个
微型无引线封装。
该ATF- 331M4的小尺寸和
低调，使得它非常适合
混合动力模块的设计与
其他空间的约束装置。
根据它的功能perfor-
曼斯， ATF- 331M4是理想的
基体的第一或第二阶段
站LNA由于出色
低噪声系数组合
而线性增加
[1]
。该
设备也适用于应用程序
在无线局域网中的阳离子，
WLL / RLL ， MMDS，和其它
需要超低系统
噪声系数具有良好的拦截
在450兆赫至10千兆赫
频率范围。
注意：
1.在同一PHEMT场效应家庭，
更小的几何尺寸ATF- 34143也可
考虑更高的增益性能，
特别是在高频带中
（ 1.8 GHz和了） 。
MINIPAK 1.4毫米×1.2毫米包装
Px
带盘式包装选项
可用的
特定网络阳离子
2 GHz的; 4 V，50 mA（典型值）
0.6分贝噪声系数
15分贝相关的增益
引脚连接和
包装标志
来源
3脚
漏
引脚4
19 dBm的输出功率为1 dB增益
压缩
31 dBm的输出3
rd
为了拦截
应用
塔顶放大器，低噪声
放大器和驱动放大器，用于
GSM / TDMA / CDMA基站
LNA的WLAN， WLL / RLL ， MMDS
和无线数据基础设施
通用离散的PHEMT
其他超低噪声应用
Px
门
销2
来源
销1
注意：
俯视图。包装标识规定的方向，
产品标识和日期代码。
“P” =设备类型代码
“X” =日期代码字符。不同的
字符被分配给每个月份
和年份。
ATF- 331M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX中。
T
CH
T
英镑
θ
jc
参数
漏源电压
[2]
栅源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
[5]
储存温度
热阻
[6]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
diss[3]
400
20
160
-65 160
200
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3. V
GS
= 0 V
4.源铅温度为25 ℃。减额
5毫瓦/ ° 对于T
L
> 40℃。
5.请参考故障率的可靠性数据
片材，评估的可靠性的影响
上述通道的温度运行设备
为140℃ 。
使用150 ℃下测定6.热电阻
液晶测量方法。
500
+0.6 V
400
I
DS
（MA ）
300
0V
200
100
-0.6 V
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
图1.典型的脉冲I- V曲线
[7]
.
(V
GS
= -0.2每步骤V）的
注意：
7.在大信号条件下，V
GS
可摆动
正和漏极电流可能超过
I
DSS
。这些条件都可以接受的，只要
作为最大P
DISS
和P
在MAX
收视率
不超标。
产品的一致性分布图表
[8, 9]
100
CPK = 1.05
标准偏差= 0.07
80
120
150
CPK = 1.00
标准偏差= 1.07
120
100
80
CPK = 4.37
标准偏差= 1.11
60
标准-3
40
3性病
90
标准-3
60
40
3性病
60
标准-3
3性病
20
30
20
0
28
30
32
OIP3 （ dBm的）
34
36
13
14
15
增益（dB ）
16
17
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
NF（ dBm的）
0
图2. NF @ 2 GHz，拥有4伏60毫安。
LSL = 28.5 ，标称= 0.6 ， USL = 0.8 。
图3. OIP3 @ 2 GHz，拥有4伏60毫安。
LSL = 28.5 ，额定= 31.0 ， USL = 36.0
图4.增益@ 2 GHz，拥有4伏60毫安。
LSL = 13.5 ，额定= 15.0 ， USL = 16.5
注意事项：
8.分布数据样本大小是从4个不同的晶片349的样品。分配给该产品未来的晶片可具有在任何地方标称值
上下规格界限。
9.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试的需求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
ATF- 331M4 DC电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号参数和测试条件
IDSS
[1]
Vp
[1]
Id
Gm
[1]
Igdo
IGSS
NF
Ga
OIP3
P1dB
饱和漏极电流
捏-O FF电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
噪声系数
相关的增益
输出3
rd
订单
截取点
[3]
1分贝压缩
输出功率
[3]
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2千兆赫， 5 dBm的噘/音
F = 900兆赫， 5 dBm的噘/音
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
VDS = 1.5 V， VGS = 0V
VDS =智能决策支持1.5 V， IDS = 10 ％
VGS = -0.51 V， VDS = 4V
VDS = 1.5 V ，通用汽车的Idss = / VP
VGD = -5V
VGD = VGS = -4V
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
VDS = 4 V， IDS = 60毫安
单位
mA
V
mA
mmho
A
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
175
-0.65
—
360
—
—
—
—
13.5
—
28.5
—
—
—
典型值。
[2]
237
-0.5
60
440
—
42
0.6
0.5
15
21
31
30.8
19
18
马克斯。
305
-0.35
—
—
1000
600
0.8
—
16.5
—
—
—
—
—
注意事项：
1.保证在晶圆探针水平
2.典型的值是从349份样品大小为4的晶片来确定。
采用图5所示的生产测试板上获得3测量。
输入
50Ω输入
输电线路
INCLUDING
栅极偏置牛逼
（0.3 dB损耗）
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.13
Γ_ang
= 113°
（0.3 dB损耗）
DUT
50Ω输出
输电线路
INCLUDING
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
2 GHz的生产测试板图5.框图用于噪声系数，相关的增益，P1dB和OIP3测量。该电路
代表一个最佳噪声匹配，并根据生产测试要求的可实现的匹配之间的一个折衷。电路损耗过
解嵌，从实际测量。
3
ATF- 331M4典型性能曲线，
持续
1.6
1.4
1.2
增益（dB ）
增益（dB ）
FMIN （ dB）的
30
25
25
85°C
25°C
-40°C
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
20
15
10
10
5
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
5
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
0
0.5
15
1.0
图12. FMIN与频率的关系，在4 V，50 mA的电流。
图13相关的增益与频率的关系
在4V 60毫安。
35
OIP3 ， P1dB为（DBM ） ，增益（dB ）
图14. FMIN &嘎与频率和温度。
VD = 4V ， IDS = 60 mA的电流。
3.5
OIP3 ， P1dB为（DBM ） ，增益（dB ）
35
30
的P1dB ， OIP3 （ dBm的）
35
30
25
20
15
10
5
0
P1dB
OIP3
收益
NF
3.5
3.0
噪声系数（dB ）
30
25
20
15
10
5
0
3.0
噪声FIUGRE （ dB）的
P1dB
OIP3
2.5
收益
NF
25
20
15
10
5
0
85°C
25°C
-40°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
20
40
60
80
0
20
40
60
80
0
100
频率（GHz ）
I
DSQ
（MA ）
I
DSQ
（MA ）
图15的P1dB ， OIP3与频率和
温度在VD = 4V ， IDS = 60 mA的电流。
图16. OIP3 ， P1dB为， NF和增益随
BIAS
[1,2]
在3.9 GHz的。
图17. OIP3 ， P1dB为， NF在5.8千兆赫。
注意事项：
1.测量就固定调整
生产测试板被调整为
合理的噪声优化增益匹配
图在4V 60毫安偏见。该电路
代表一个最佳之间的折衷
噪声匹配，最大增益匹配和
基于生产测试变现比赛
板的要求。电路损耗过
解嵌，从实际测量。
2.静态漏电流， Idsq ，被设置为零
RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，在
漏电流可能增加或减少
取决于频率和直流偏置点。在
Idsq的较低值的装置正在运行
接近B类为输出功率的方法
P1dB的。这将导致更高的P1dB和更高
相比PAE （功率附加效率）
到由一个恒定驱动的元件
电流源作为典型的做法是用活性
偏置。
5
噪声系数（dB ）
20
1.5
QQ：2881677436 复制
