ATF-33143
低噪声赝HEMT
在一个表面贴装塑料封装
数据表
描述
Avago的ATF - 33143是一款高动态范围，低噪音
PHEMT坐落在一个4引脚SC- 70 （ SOT- 343 ）表面贴装
塑料封装。
根据其功能的表现， ATF- 33143是理想的
的基站低噪声放大器，由于在第一或第二阶段
低噪声指数和增强的完美结合
线性
[1]
。该装置还适用于在应用中
无线LAN ， WLL / RLL ， MMDS等系统的需要
具有良好的拦截超低噪声系数在450 MHz
到10GHz的频率范围。
注意：
1.在同一PHEMT场效应管系列，更小几何尺寸ATF-
34143 ，也可以考虑对于较高增益的性能，
特别是在较高的频带（1.8千兆赫以上） 。
特点
无铅选项可用
低噪声系数
优异的均匀度在产品规格
1600微米的闸门宽度
低成本表面贴装小型塑料包装
SOT - 343 （ 4引线SC- 70 ）
可带盘式包装选项
特定网络阳离子
1.9 GHz的; 4V 80 mA（典型值）
0.5分贝噪声系数
15分贝相关的增益
1 dB增益压缩22 dBm的输出功率
33.5 dBm输出3
rd
为了拦截
表面贴装封装SOT- 343
应用
塔顶放大器，低噪声放大器和
驱动放大器GSM / TDMA / CDMA基站
引脚连接和封装标识
LNA的无线LAN ， WLL / RLL和MMDS
应用
通用离散PHEMT的其他超低
噪声应用
来源
3Px
漏
来源
门
注意：
俯视图。包装标识提供
定位和识别。
“ 3P ” =设备代码
“X” =日期代码字符。一个新的角色
分配给每一个月，一年。
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
ATF- 33143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX
T
CH
T
英镑
jc
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[4]
RF输入功率
通道温度
[5]
储存温度
热阻
[6]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5.5
-5
-5
I
dss[3]
600
20
160
-65 160
145
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC quiesent条件。
3. V
GS
= 0 V
4.源铅温度为25 ℃。减额
6毫瓦/ ° 对于T
L
> 60℃。
5.请参考故障率的可靠性
部，以评估可靠性的影响
运行上面的一个通道器件
温度为140℃ 。
使用150 ℃下测定6.热电阻
液晶测量方法。
产品的一致性分布图表
[8, 9]
500
+0.6 V
120
100
80
CPK = 1.7
标准= 0.05
400
I
DS
（MA ）
300
0V
标准-3
60
3性病
200
40
100
–0.6 V
20
0
0.2
0
0
2
4
V
DS
(V)
6
8
0.3
0.4
0.5
NF（ dB）的
0.6
0.7
0.8
图1.典型的脉冲I- V曲线
[7]
. (V
GS
= -0.2每步骤V）的
图2. NF @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 0.2 ，额定= 0.53 ， USL = 0.8
120
100
80
CPK = 2.3
标准= 0.2
100
CPK = 1.21
标准= 0.94
80
60
标准-3
3性病
60
标准-3
3性病
40
40
20
20
0
13
14
15
增益（dB ）
16
17
0
29
31
33
OIP3 （ dBm的）
35
37
图3. OIP3 @ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 30.0 ，额定= 33.3 ， USL = 37.0
图4.增益@ 2 GHz时， 24 V 80 mA的电流。
LSL = 13.5 ，额定= 14.8 ， USL = 16.5
注意事项：
7.在大信号条件下，V
GS
可摆动阳性和漏电流可能会超过我
DSS
。这些条件都可以接受，只要最大
P
DISS
和P
在MAX
收视率都没有超过。
8.分布数据样本大小是由9个不同的晶片取450样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
9.测量就生产测试板。该电路表示一个最佳噪声匹配和基于realizeable匹配之间的折衷
在生产测试的需求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
一个参数±1之间存在的10的概率为68.3 ％之间，在±2σ为95.4％和间±3σ为99.7 ％。
2
ATF- 33143直流电气规格
T
A
= 25℃时，在一个测试电路，用于典型的装置测量射频参数
符号
I
DSS [ 1 ]
V
P [1]
I
d
g
m[1]
I
GDO
I
GSS
参数和测试条件
饱和漏极电流
夹断电压
静态偏置电流
跨
栅漏漏电流
栅极漏电流
F = 2 GHz的
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.5 V，I
DS
= 10 I％
DSS
V
GS
= -0.5 V, V
DS
= 4 V
V
DS
= 1.5 V ，G
m
= I
DSS
/V
P
V
GD
= 5 V
V
GD
= V
GS
= -4 V
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 80毫安
V
DS
= 4 V，I
DS
= 60毫安
单位
mA
V
mA
mmho
μA
μA
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
175
-0.65
—
360
—
典型值。
[2]
237
-0.5
80
440
42
0.5
0.5
0.4
0.4
马克斯。
305
-0.35
—
—
1000
600
0.8
NF
噪声系数
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
13.5
G
a
相关的增益
[3]
15
15
21
21
16.5
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
5 dBm的噘/音
F = 900兆赫
5 dBm的噘/音
F = 2 GHz的
30
OIP3
输出3
rd
订单
截取点
[3]
33.5
32
32.5
31
22
21
21
20
P
1dB
1分贝压缩
压缩动力
[3]
F = 900兆赫
注意事项：
1.保证在晶圆探测的水平。
从450份样品尺寸来确定从9晶片2.典型值。
采用图5所示的生产测试板上获得3测量。
输入
50 OHM
传输
线，包括
栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
匹配电路
G_mag = 0.20
G_ang = 124
（0.3 dB损耗）
DUT
50 OHM
传输
线，包括
漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
产量
2 GHz的生产测试板图5.框图用于噪声系数，相关的增益，P1dB和OIP3测量。该电路代表
最佳噪声匹配，并根据生产测试要求的可变现比赛之间的权衡。电路损耗已经去嵌入自
实际测量。
3
ATF- 33143典型性能曲线
40
40
2V
3V
4V
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
20
OIP3 ， IIP3 （ dBm的）
2V
3V
4V
30
30
20
10
10
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图6. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
在2 GHz 。
图7. OIP3 ， IIP3与偏见
[1]
在900兆赫。
25
25
20
20
P
1dB
（ dBm的）
15
P
1dB
（ dBm的）
2V
3V
4V
15
10
10
5
5
2V
3V
4V
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
120
图8. P
1dB
与偏见
[1,2]
在2 GHz 。
图9. P
1dB
与偏见
[1,2]
调整为NF @ 4V 80毫安
900MHz.
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
2V
3V
4V
16
15
G
a
14
22
21
1.2
1.0
0.8
G
a
0.6
NF
噪声系数（dB ）
20
13
12
11
10
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
19
18
17
16
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
NF
0.4
2V
3V
4V
0.4
0.2
0
120
0.2
120
图10. NF和G
a
与偏见
[1]
在2 GHz 。
图11. NF和G
a
与偏见
[1]
在900兆赫。
注意事项：
1.测量就固定调整生产测试板，在4V 80毫安调整与合理的噪声系数最佳增益匹配
偏见。该电路表示基于生产测试之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配和可实现的匹配权衡
板的要求。电路损耗已解嵌，从实际测量。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少取决于
频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备运行更接近B类功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的
P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）时相比，通过一个恒定电流源来驱动，典型的做法是用一个装置
有源偏置。
4
噪声系数（dB ）
G
a
（ dB）的
G
a
（ dB）的
ATF- 33143典型性能曲线，
持续
1.5
80毫安
60毫安
30
25
20
80毫安
60毫安
1.0
F
民
（ dB）的
G
a
（ dB）的
0.5
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
图12. F
民
与频率和电流4V 。
图13相关的增益与频率和
目前在4V 。
2.0
40
25C
-40C
85C
25
25C
-40C
85C
P
1dB
， OIP3 （ dBm的）
20
1.5
噪声系数（dB ）
35
G
a
（ dB）的
30
15
1.0
25
10
0.5
20
5
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
0
10
15
0
2000
4000
6000
8000
频率（MHz）
图14. F
民
和G
a
与频率和温度的
V
DS
= 4V ，我
DS
= 80 mA的电流。
35
3.5
P
1dB
OIP3
收益
NF
图15. P
1dB
， OIP3与频率和温度的
V
DS
= 4V ，我
DS
= 80 mA的电流。
35
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
3.0
OIP3 ，P
1dB
（DBM ） ，增益（dB ）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
I
DSQ
（MA ）
80
100
P
1dB
OIP3
收益
NF
3
噪声系数（dB ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
1
100
0
120
0
120
图16. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益与偏置
[1,2]
at
3.9 GHz的。
图17. OIP3 ，P
1dB
， NF和增益与偏置
[1,2]
at
5.8 GHz的。
注意事项：
1.测量就固定调谐测试夹具被调整为噪声系数为4V 80毫安偏见。该电路表示之间的折衷
最佳噪声匹配，最大增益匹配和基于生产测试要求实现的匹配。电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
2.静态漏电流，I
DSQ
被设置为零的射频驱动施加。由于P
1dB
接近时，这个漏电流可能增加或减少取决于
频率和直流偏置点。于I值越低
DSQ
设备运行更接近B类功率输出接近P
1dB
。这将导致更高的
P
1dB
和更高的PAE （功率附加效率）时相比，通过一个恒定电流源来驱动，典型的做法是用一个装置
有源偏置。
5
噪声系数（dB ）
QQ：2880707522 复制
