表面贴装镓
砷化镓场效应管的振荡器
技术参数
ATF-13786
特点
低成本表面贴装
塑料包装
高F
最大
:
60 GHz的典型
低相位噪声在10GHz ：
为-110dBc / Hz的@ 100 kHz的典型
在10 GHz的输出功率：
高达10 dBm的
带盘式包装
可用选项
25
描述
惠普的ATF - 13786是一种
低成本砷化镓
肖特基势垒栅场效应
晶体管装在一个表面
贴装塑料封装。这
设备是专为低使用
成本，表面贴装振荡器
工作在射频和
微波频率的范围内。该
ATF- 13786具有足够的增益
容易利用作为一个负的R细胞，
没有多余的增益，可导致
以不必要的振动和
模式跳跃。栅极结构
在这种制造中使用
相位噪声的设备结果
性能优于
大多数其他的MESFET 。这些
特性使该器件
特别适合于低
功率（ < +10 dBm的）商业
振荡器应用，例如是
在星展银行， TVRO ，和遇到的
微波系统的电视接收机，或
手持式收发器的工作
在900MHz ， 2.4GHz的，并
5.7 GHz的ISM频段。
85万塑料表面
贴装封装
引脚配置
4
来源
20
味精
137
门
漏
1
3
增益（dB ）
15
MAG
10
S
21
味精
2
来源
5
0
1
5
频率（GHz ）
10
20
插入功率增益，最大
可用增益和最大稳定
增益与频率。
V
DS
= 3 V，I
DS
= 40 mA的电流。
此砷化镓场效应管器件具有
标称0.3微米栅长
与总门周边
250微米。探明黄金基础
金属化系统和氮化
钝化保证坚固耐用，
可靠的设备。
5-43
5965-8721E
ATF- 13786绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对最大
[1]
4
-4
-6
I
DSS
225
150
-65到+150
注意事项：
1.操作此设备的上方
这些条件中的任何一个
可能会造成永久性的损害。
2. T
例
= 25
o
C（ΔT
例
是去定义网络
是在该温度
引脚2和4中的结束
他们接触的电路
板） 。
3.减免3.1毫瓦/
o
下
T
C
>60
o
C.
热阻
[2]
:
θ
jc
= 325 ° C / W
ATF- 13786电气规格，
T
C
= 25 ° C，V
DS
= 3 V，I
DS
= 40毫安
[4]
（除非另有说明）
符号
|S
21
|
2
P
1分贝
G
1分贝
PN
g
m
I
DSS
V
P
V
BDG
参数和测试条件
插入功率增益
功率为1 dB增益压缩
1分贝压缩增益
相位噪声（ 100 kHz偏置）
[5]
跨
饱和漏极电流
夹断电压
门 - 漏极耐压
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1毫安
I
DG
- 0.1毫安
单位
dB
DBM
dB
dBc的/赫兹
mS
mA
V
V
25
50
-2.0
6.5
15
6.5
分钟。
典型值。
6.0
16.5
7.5
-110
55
70
-1.5
7
100
-0.5
马克斯。
注意事项：
4.推荐的最大偏置条件为使用作为振荡器。
5.本产品的优越的相位噪声的效果因使用对噪声性能优化的栅极结构的。
10 GHz的并行典型表现产生了共鸣，轻轻地使用高Q介质谐振器耦合振子。
5-44
表面贴装镓
砷化镓场效应管的振荡器
技术参数
ATF-13786
特点
低成本表面贴装
塑料包装
高F
最大
:
60 GHz的典型
低相位噪声在10GHz ：
为-110dBc / Hz的@ 100 kHz的典型
在10 GHz的输出功率：
高达10 dBm的
带盘式包装
可用选项
25
描述
惠普的ATF - 13786是一种
低成本砷化镓
肖特基势垒栅场效应
晶体管装在一个表面
贴装塑料封装。这
设备是专为低使用
成本，表面贴装振荡器
工作在射频和
微波频率的范围内。该
ATF- 13786具有足够的增益
容易利用作为一个负的R细胞，
没有多余的增益，可导致
以不必要的振动和
模式跳跃。栅极结构
在这种制造中使用
相位噪声的设备结果
性能优于
大多数其他的MESFET 。这些
特性使该器件
特别适合于低
功率（ < +10 dBm的）商业
振荡器应用，例如是
在星展银行， TVRO ，和遇到的
微波系统的电视接收机，或
手持式收发器的工作
在900MHz ， 2.4GHz的，并
5.7 GHz的ISM频段。
85万塑料表面
贴装封装
引脚配置
4
来源
20
味精
137
门
漏
1
3
增益（dB ）
15
MAG
10
S
21
味精
2
来源
5
0
1
5
频率（GHz ）
10
20
插入功率增益，最大
可用增益和最大稳定
增益与频率。
V
DS
= 3 V，I
DS
= 40 mA的电流。
此砷化镓场效应管器件具有
标称0.3微米栅长
与总门周边
250微米。探明黄金基础
金属化系统和氮化
钝化保证坚固耐用，
可靠的设备。
5-43
5965-8721E
ATF- 13786绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对最大
[1]
4
-4
-6
I
DSS
225
150
-65到+150
注意事项：
1.操作此设备的上方
这些条件中的任何一个
可能会造成永久性的损害。
2. T
例
= 25
o
C（ΔT
例
是去定义网络
是在该温度
引脚2和4中的结束
他们接触的电路
板） 。
3.减免3.1毫瓦/
o
下
T
C
>60
o
C.
热阻
[2]
:
θ
jc
= 325 ° C / W
ATF- 13786电气规格，
T
C
= 25 ° C，V
DS
= 3 V，I
DS
= 40毫安
[4]
（除非另有说明）
符号
|S
21
|
2
P
1分贝
G
1分贝
PN
g
m
I
DSS
V
P
V
BDG
参数和测试条件
插入功率增益
功率为1 dB增益压缩
1分贝压缩增益
相位噪声（ 100 kHz偏置）
[5]
跨
饱和漏极电流
夹断电压
门 - 漏极耐压
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1毫安
I
DG
- 0.1毫安
单位
dB
DBM
dB
dBc的/赫兹
mS
mA
V
V
25
50
-2.0
6.5
15
6.5
分钟。
典型值。
6.0
16.5
7.5
-110
55
70
-1.5
7
100
-0.5
马克斯。
注意事项：
4.推荐的最大偏置条件为使用作为振荡器。
5.本产品的优越的相位噪声的效果因使用对噪声性能优化的栅极结构的。
10 GHz的并行典型表现产生了共鸣，轻轻地使用高Q介质谐振器耦合振子。
5-44
表面贴装镓
砷化镓场效应管的振荡器
技术参数
ATF-13786
特点
低成本表面贴装
塑料包装
高F
最大
:
60 GHz的典型
低相位噪声在10GHz ：
为-110dBc / Hz的@ 100 kHz的典型
在10 GHz的输出功率：
高达10 dBm的
带盘式包装
可用选项
25
描述
惠普的ATF - 13786是一种
低成本砷化镓
肖特基势垒栅场效应
晶体管装在一个表面
贴装塑料封装。这
设备是专为低使用
成本，表面贴装振荡器
工作在射频和
微波频率的范围内。该
ATF- 13786具有足够的增益
容易利用作为一个负的R细胞，
没有多余的增益，可导致
以不必要的振动和
模式跳跃。栅极结构
在这种制造中使用
相位噪声的设备结果
性能优于
大多数其他的MESFET 。这些
特性使该器件
特别适合于低
功率（ < +10 dBm的）商业
振荡器应用，例如是
在星展银行， TVRO ，和遇到的
微波系统的电视接收机，或
手持式收发器的工作
在900MHz ， 2.4GHz的，并
5.7 GHz的ISM频段。
85万塑料表面
贴装封装
引脚配置
4
来源
20
味精
137
门
漏
1
3
增益（dB ）
15
MAG
10
S
21
味精
2
来源
5
0
1
5
频率（GHz ）
10
20
插入功率增益，最大
可用增益和最大稳定
增益与频率。
V
DS
= 3 V，I
DS
= 40 mA的电流。
此砷化镓场效应管器件具有
标称0.3微米栅长
与总门周边
250微米。探明黄金基础
金属化系统和氮化
钝化保证坚固耐用，
可靠的设备。
5-43
5965-8721E
ATF- 13786绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对最大
[1]
4
-4
-6
I
DSS
225
150
-65到+150
注意事项：
1.操作此设备的上方
这些条件中的任何一个
可能会造成永久性的损害。
2. T
例
= 25
o
C（ΔT
例
是去定义网络
是在该温度
引脚2和4中的结束
他们接触的电路
板） 。
3.减免3.1毫瓦/
o
下
T
C
>60
o
C.
热阻
[2]
:
θ
jc
= 325 ° C / W
ATF- 13786电气规格，
T
C
= 25 ° C，V
DS
= 3 V，I
DS
= 40毫安
[4]
（除非另有说明）
符号
|S
21
|
2
P
1分贝
G
1分贝
PN
g
m
I
DSS
V
P
V
BDG
参数和测试条件
插入功率增益
功率为1 dB增益压缩
1分贝压缩增益
相位噪声（ 100 kHz偏置）
[5]
跨
饱和漏极电流
夹断电压
门 - 漏极耐压
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
F = 10 GHz的
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1毫安
I
DG
- 0.1毫安
单位
dB
DBM
dB
dBc的/赫兹
mS
mA
V
V
25
50
-2.0
6.5
15
6.5
分钟。
典型值。
6.0
16.5
7.5
-110
55
70
-1.5
7
100
-0.5
马克斯。
注意事项：
4.推荐的最大偏置条件为使用作为振荡器。
5.本产品的优越的相位噪声的效果因使用对噪声性能优化的栅极结构的。
10 GHz的并行典型表现产生了共鸣，轻轻地使用高Q介质谐振器耦合振子。
5-44
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