【2 - 16 GHz的低噪声砷化镓场效应管技术参数ATF-13336特点低噪声系数：一般在12 GH】,IC型号ATF-13336-STR,ATF-13336-STR PDF资料,ATF-13336-STR经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2 - 16 GHz的低噪声

砷化镓场效应管

技术参数

ATF-13336

特点

低噪声系数：

一般在12 GHz的1.4分贝

高相关的增益：

9.0分贝一般在12 GHz的

高输出功率：

17.5 dBm的典型P

1分贝

at

12 GHz的

性价比高陶瓷

微带套餐

带盘式包装

可用选项

[1]

描述

该ATF - 13336是一款高perfor-

曼斯砷化镓Schottky-

障栅场效应晶体管

容纳在具有成本效益的微

带包。其优质的噪音

图使该器件拨款

吃了适用于低噪声放大器的使用

在2-16 GHz的

频率范围。

此砷化镓场效应管器件具有

标称0.3微米栅长

与总门周边

250微米。探明黄金基础

金属化系统和氮化

钝化保证坚固耐用，

可靠的设备。

36微-X包

电气规格，T

A

= 25°C

符号

NF

O

参数和测试条件

最佳的噪声系数： V

DS

= 2.5 V，I

DS

= 20毫安

F = 8.0 GHz的

F = 12.0 GHz的

F = 14.0 GHz的

F = 8.0 GHz的

F = 12.0 GHz的

F = 14.0 GHz的

单位

dB

dB

dB

dB

dB

分钟。

典型值。马克斯。

1.2

1.4

1.6

11.5

9.0

7.5

17.5

8.5

25

40

-4.0

55

50

-1.5

90

-0.5

1.6

G

A

增益@ NF

O

: V

DS

= 2.5 V，I

DS

= 20毫安

8.0

P

1分贝

G

1分贝

g

m

I

DSS

V

P

功率输出@ 1 dB增益压缩：

V

DS

= 4 V，I

DS

= 40毫安

1分贝压缩增益： V

DS

= 4 V，I

DS

= 40毫安

跨导： V

DS

= 2.5 V, V

GS

= 0 V

饱和漏极电流： V

DS

= 2.5 V, V

GS

= 0 V

夹断电压： V

DS

= 2.5 V，I

DS

= 1毫安

F = 12.0 GHz的dBm的

F = 12.0 GHz的

dB

mmho

mA

V

注意：

1.参考包装节“带盘式包装表面贴装半导体” 。

5965-8724E

5-36

ATF- 13336绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

V

GD

I

DS

P

T

T

CH

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

栅 - 漏电压

漏电流

功耗

[2,3]

通道温度

储存温度

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

绝对

最大

[1]

+

5

-4

-6

I

DSS

225

175

-65到+175

注意事项：

如果可能发生1.永久伤害

任何超出这些限制。

2. T

外壳温度

= 25°C.

3.除鼠在只有2.5mW / ℃，

T

例

> 85 ℃。

4.存储超过+ 150 ° C可以玷污

这个包难以向引线

焊接到电路。一个设备后

已被焊接到一个电路，它

可以被安全地存储到175 ℃。

4.此技的小光斑尺寸

在一个较高的，虽然NIQUE结果

更精确地确定

θ

jc

比其他方法。看

用于测量部分

更多的信息。

热阻：

液晶尺寸：

θ

jc

= 400 ℃/瓦;牛逼

CH

= 150°C

1

m

光斑尺寸

[5]

产品型号订购信息

产品型号

ATF-13336-TR1

ATF-13336-STR

设备每卷

1000

10

带尺寸

7"

条

ATF- 13336的噪声参数：

V

DS

= 2.5 V，I

DS

= 20毫安

频率。

GHz的

4.0

6.0

8.0

12.0

14.0

NF

O

dB

0.8

1.1

1.2

1.4

1.6

Γ

选择

MAG

.63

.47

.40

.52

.57

昂

93

138

-153

-45

-2

R

N

/50

.27

.10

.20

.88

1.3

ATF- 13336的典型表现，T

A

= 25°C

16

14

G

A

14

12

G

A

（ dB）的

G

A

25

G

A

（ dB）的

20

味精

12

10

10

增益（dB ）

15

2.5

NF

O

（ dB）的

2.0

NF

O

2.0

NF

O

（ dB）的

1.5

1.0

0.5

0

6.0

8.0

10.0

NF

O

8

6

8

MAG

10

|S

21

|

2

1.5

1.0

5

12.0 14.0 16.0

0

10

20

30

I

DS

（MA ）

40

50

60

0

2.0

4.0

6.0

8.0 10.0 12.0 16.0

频率（GHz ）

频率（GHz ）

图1.最佳的噪声系数和

相关增益与频率。

V

DS

= 2.5V ，我

DS

能力= 20 mA ，T

A

= 25°C.

图2.最佳的噪声系数和

相关增益与我

DS

.

V

DS

= 2.5V ， F = 12.0 GHz的。

图3.插入功率增益，

最高可用增益和

最大稳定增益与频率。

V

DS

= 2.5 V，I

DS

= 20 mA的电流。

5-37

典型的散射参数，

共射，Z

O

= 50

,

T

A

= 25 ° C，V

DS

= 2.5 V，I

DS

= 20毫安

频率。

GHz的

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

11.0

12.0

13.0

14.0

15.0

16.0

S

11

MAG 。

.96

.88

.86

.79

.69

.60

.54

.56

.56

.58

.63

.65

.66

.70

.72

ANG 。

-51

-75

-96

-117

-142

-178

141

103

74

44

20

3

-7

-19

-34

dB

10.6

10.3

10.1

9.9

10.2

10.1

9.8

8.9

8.3

7.6

6.7

6.0

5.5

4.9

4.4

S

21

MAG 。

3.39

3.28

3.19

3.13

3.22

3.21

3.10

2.80

2.60

2.39

2.17

2.00

1.89

1.76

1.66

ANG 。

127

106

86

66

46

21

-4

-26

-48

-68

-90

-108

-126

-144

-175

dB

-27.1

-23.4

-22.6

-20.6

-18.9

-17.6

-17.3

-16.7

-16.5

-16.8

-17.5

-18.3

-18.9

-19.0

-19.2

S

12

MAG 。

.044

.060

.074

.093

.114

.132

.137

.147

.150

.145

.133

.121

.114

.112

.110

S

22

ANG 。

57

33

25

12

1

-18

-33

-48

-63

-78

-95

-107

-121

-129

-142

MAG 。

.61

.58

.57

.54

.49

.42

.31

.21

.09

.07

.16

.19

.19

.16

.14

ANG 。

-41

-51

-57

-65

-79

-97

-112

-121

-145

89

43

21

-4

-28

-32

可在设备型号部分的模型此设备。

36微-X封装尺寸

2.15

(0.085)

来源

4

漏

3

0.508

(0.020)

2.11 （ 0.083 ） DIA 。

门1

133

2

2.54

(0.100)

来源

1.45

±

0.25

(0.057

±

0.010)

0.15

±

0.05

(0.006

±

0.002)

0.56

(0.022)

4.57

±

0.25

0.180

±

0.010

注意事项：

1.尺寸以毫米（英寸）

2.公差：在.XXX =

±

0.005

毫米.XX =

±

0.13

5-38

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