2-18 GHz的低噪声
砷化镓场效应管
技术参数
ATF-13100
特点
低噪声系数：
1.1分贝一般在12 GHz的
高相关的增益：
9.5分贝一般在12 GHz的
高输出功率：
17.5 dBm的典型P
1分贝
在12GHz
此砷化镓场效应管器件具有
标称0.3微米栅长
与总门周边
250微米。探明黄金基础
金属化系统和氮化
钝化保证坚固耐用，
可靠的设备。
推荐安装
程序是死附着在
在300 ℃下使用阶段温度
金 - 锡预制件下形成
气。组件可以制成
有两种楔形或球焊
使用0.7密耳金线。另请参阅
“芯片使用”的应用
部分。
芯片大纲
D
S
G
S
描述
该ATF - 13100是一款高perfor-
曼斯砷化镓Schottky-
障栅场效应晶体管
芯片。该器件是专为
低噪音使用，宽带
放大器和振荡器的应用
在2-18千兆赫频率的系统蒸发散
范围内。
电气规格，T
A
= 25°C
符号
NF
O
参数和测试条件
[1]
最佳的噪声系数： V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 20毫安
F = 8.0 GHz的
F = 12.0 GHz的
F = 15.0 GHz的
F = 8.0 GHz的
F = 12.0 GHz的
F = 15.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分钟。
典型值。马克斯。
0.8
1.1
1.5
12.0
9.5
8.0
17.5
8.5
30
40
-3.0
55
50
-1.5
90
-0.8
1.2
G
A
增益@ NF
O
; V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 20毫安
9.0
P
1分贝
G
1分贝
g
m
I
DSS
V
P
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
DS
= 4 V，I
DS
= 40毫安
1分贝压缩增益; V
DS
= 4 V，I
DS
= 40毫安
跨导： V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流; V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
夹断电压： V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 1毫安
F = 12.0 GHz的dBm的
F = 12.0 GHz的
dB
mmho
mA
V
注意：
1.射频性能是通过组装和测试10个样本每片晶圆的决定。
5-33
5965-8694E
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