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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1537页 > ATF-10736-TR1
0.5 - 12 GHz的通用
砷化镓场效应管
技术参数
ATF-10736
特点
高相关的增益：
13.0分贝典型在4GHz
低偏置：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
高输出功率：
20.0 dBm的典型P
1分贝
在4GHz
低噪声系数：
1.2分贝典型在4GHz
性价比高陶瓷
微带套餐
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
该ATF - 10736是一款高perfor-
曼斯砷化镓Schottky-
障栅场效应晶体管
容纳在具有成本效益的
微带包。它的噪声
图使该器件拨款
在增益级吃的用
在经营低噪声放大器
在0.5-12 GHz的频率范围。
此砷化镓场效应管器件具有
标称0.3微米栅长
使用登机桥interconcnects
漏手指之间。总闸门
周是500微米。成熟的
基于黄金金属化系统
和氮化物钝化保证一
坚固耐用，可靠的设备。
36微-X包
电气规格，T
A
= 25°C
符号
NF
O
参数和测试条件
最佳的噪声系数： V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
mmho
mA
V
70
70
-4.0
12.0
分钟。
典型值。马克斯。
0.9
1.2
1.4
16.5
13.0
10.5
20.0
12.0
140
130
-1.3
180
-0.5
1.4
G
A
增益@ NF
O
; V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
P
1分贝
G
1分贝
g
m
I
DSS
V
P
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
1分贝压缩增益： V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
跨导： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压： V
DS
= 2 V，I
DS
= 1毫安
注意：
1.参考包装部分， “带盘式包装表面贴装半导体。 ”
5-29
5965-8698E
ATF- 10736绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
总功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
+
5
-4
-7
I
DSS
430
175
-65到+175
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
外壳温度
= 25°C.
3.减免为2.9毫瓦/ ℃，
T
例
> 25 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污
这个包难以向引线
焊接到电路。一个设备后
已被焊接到一个电路，它
可以被安全地存储到175 ℃。
5.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
用于测量部分
更多的信息。
热阻：
液晶尺寸：
θ
jc
= 350 ° C / W ;牛逼
CH
= 150°C
1μm的光斑尺寸
[5]
产品型号订购信息
产品型号
ATF-10736-TR1
ATF-10736-STR
设备每卷
1000
10
带尺寸
7"
条
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
ATF- 10736的噪声参数：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
NF
O
dB
0.8
0.9
1.2
1.4
1.7
Γ
选择
MAG
0.88
0.75
0.48
0.46
0.53
昂
41
85
159
-122
-71
R
N
/50
0.52
0.27
0.08
0.08
0.43
ATF- 10736的典型表现，T
A
= 25°C
18
15
G
A
30
25
30
25
味精
G
A
（ dB）的
2.0
1.5
12
9
6
20
20
味精
增益（dB ）
15
|S
21
|
2
增益（dB ）
15
10
5
0
0.5
NF
O
（ dB）的
|S
21
|
2
MAG
味精
1.0
0.5
0
2.0
NF
O
10
5
0
0.5
MAG
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.最佳的噪声系数和
相关增益与频率。
V
DS
= 2V ，我
DS
= 25毫安，T
A
= 25°C.
图2.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA的电流。
图3.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70 mA的电流。
5-30
典型的散射参数，
常见的来源，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.96
.92
.77
.59
.49
.43
.49
.57
.68
.73
.77
.82
.85
ANG 。
-20
-40
-76
-107
-136
-179
138
106
81
62
47
36
22
dB
15.4
15.2
13.8
12.5
11.2
10.0
8.6
7.3
5.6
4.2
3.0
1.0
-0.2
S
21
MAG 。
5.90
5.77
4.92
4.20
3.64
3.15
2.74
2.32
1.92
1.62
1.41
1.12
0.98
ANG 。
162
144
109
83
57
32
8
-13
-32
-50
-66
-81
-97
dB
-32.4
-26.7
-21.3
-20.0
-17.3
-15.5
-14.9
-14.8
-14.7
-14.8
-14.8
-14.6
-14.5
S
12
MAG 。
.024
.046
.086
.111
.137
.167
.179
.183
.185
.183
.182
.186
.189
S
22
ANG 。
77
66
52
40
24
9
-5
-18
-33
-40
-52
-67
-75
MAG 。
.50
.48
.39
.33
.26
.14
.05
.19
.33
.42
.46
.50
.51
ANG 。
-10
-21
-34
-45
-61
-65
22
60
57
46
38
27
15
典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.90
.79
.57
.43
.36
.35
.47
.65
.77
.83
.86
.87
.91
ANG 。
-32
-53
-96
-129
-163
156
110
78
58
44
30
16
1
dB
19.0
18.0
15.5
13.3
11.6
10.1
8.8
7.0
5.1
3.5
2.4
1.1
0.1
S
21
MAG 。
8.95
7.96
5.99
4.60
3.78
3.21
2.76
2.23
1.80
1.50
1.32
1.13
0.99
ANG 。
147
128
90
64
39
16
-11
-36
-56
-72
-88
-106
-123
dB
-34.9
-28.6
-22.5
-19.5
-17.3
-15.6
-14.5
-14.2
-14.1
-14.2
-14.5
-14.8
-15.3
S
12
MAG 。
.018
.037
.075
.106
.136
.166
.189
.196
.198
.195
.188
.182
.171
S
22
ANG 。
77
70
56
43
31
14
-5
-23
-38
-48
-64
-77
-91
MAG 。
.40
.38
.34
.31
.28
.22
.15
.28
.42
.51
.55
.60
.65
ANG 。
-7
-17
-38
-50
-51
-45
-4
35
37
33
26
18
7
可在设备型号部分的模型此设备。
5-31
36微-X封装尺寸
2.15
(0.085)
来源
4
漏
3
0.508
(0.020)
2.11 （ 0.083 ） DIA 。
门1
107
来源
1.45
±
0.25
(0.057
±
0.010)
2
2.54
(0.100)
0.15
±
0.05
(0.006
±
0.002)
0.56
(0.022)
4.57
±
0.25
0.180
±
0.010
注意事项：
1.尺寸以毫米（英寸）
2.公差：在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
5-32
0.5 - 12 GHz的通用
砷化镓场效应管
技术参数
ATF-10736
特点
高相关的增益：
13.0分贝典型在4GHz
低偏置：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
高输出功率：
20.0 dBm的典型P
1分贝
在4GHz
低噪声系数：
1.2分贝典型在4GHz
性价比高陶瓷
微带套餐
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
该ATF - 10736是一款高perfor-
曼斯砷化镓Schottky-
障栅场效应晶体管
容纳在具有成本效益的
微带包。它的噪声
图使该器件拨款
在增益级吃的用
在经营低噪声放大器
在0.5-12 GHz的频率范围。
此砷化镓场效应管器件具有
标称0.3微米栅长
使用登机桥interconcnects
漏手指之间。总闸门
周是500微米。成熟的
基于黄金金属化系统
和氮化物钝化保证一
坚固耐用，可靠的设备。
36微-X包
电气规格，T
A
= 25°C
符号
NF
O
参数和测试条件
最佳的噪声系数： V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
mmho
mA
V
70
70
-4.0
12.0
分钟。
典型值。马克斯。
0.9
1.2
1.4
16.5
13.0
10.5
20.0
12.0
140
130
-1.3
180
-0.5
1.4
G
A
增益@ NF
O
; V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
P
1分贝
G
1分贝
g
m
I
DSS
V
P
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
1分贝压缩增益： V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
跨导： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压： V
DS
= 2 V，I
DS
= 1毫安
注意：
1.参考包装部分， “带盘式包装表面贴装半导体。 ”
5-29
5965-8698E
ATF- 10736绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
总功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
+
5
-4
-7
I
DSS
430
175
-65到+175
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
外壳温度
= 25°C.
3.减免为2.9毫瓦/ ℃，
T
例
> 25 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污
这个包难以向引线
焊接到电路。一个设备后
已被焊接到一个电路，它
可以被安全地存储到175 ℃。
5.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
用于测量部分
更多的信息。
热阻：
液晶尺寸：
θ
jc
= 350 ° C / W ;牛逼
CH
= 150°C
1μm的光斑尺寸
[5]
产品型号订购信息
产品型号
ATF-10736-TR1
ATF-10736-STR
设备每卷
1000
10
带尺寸
7"
条
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
ATF- 10736的噪声参数：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
NF
O
dB
0.8
0.9
1.2
1.4
1.7
Γ
选择
MAG
0.88
0.75
0.48
0.46
0.53
昂
41
85
159
-122
-71
R
N
/50
0.52
0.27
0.08
0.08
0.43
ATF- 10736的典型表现，T
A
= 25°C
18
15
G
A
30
25
30
25
味精
G
A
（ dB）的
2.0
1.5
12
9
6
20
20
味精
增益（dB ）
15
|S
21
|
2
增益（dB ）
15
10
5
0
0.5
NF
O
（ dB）的
|S
21
|
2
MAG
味精
1.0
0.5
0
2.0
NF
O
10
5
0
0.5
MAG
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.最佳的噪声系数和
相关增益与频率。
V
DS
= 2V ，我
DS
= 25毫安，T
A
= 25°C.
图2.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA的电流。
图3.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70 mA的电流。
5-30
典型的散射参数，
常见的来源，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.96
.92
.77
.59
.49
.43
.49
.57
.68
.73
.77
.82
.85
ANG 。
-20
-40
-76
-107
-136
-179
138
106
81
62
47
36
22
dB
15.4
15.2
13.8
12.5
11.2
10.0
8.6
7.3
5.6
4.2
3.0
1.0
-0.2
S
21
MAG 。
5.90
5.77
4.92
4.20
3.64
3.15
2.74
2.32
1.92
1.62
1.41
1.12
0.98
ANG 。
162
144
109
83
57
32
8
-13
-32
-50
-66
-81
-97
dB
-32.4
-26.7
-21.3
-20.0
-17.3
-15.5
-14.9
-14.8
-14.7
-14.8
-14.8
-14.6
-14.5
S
12
MAG 。
.024
.046
.086
.111
.137
.167
.179
.183
.185
.183
.182
.186
.189
S
22
ANG 。
77
66
52
40
24
9
-5
-18
-33
-40
-52
-67
-75
MAG 。
.50
.48
.39
.33
.26
.14
.05
.19
.33
.42
.46
.50
.51
ANG 。
-10
-21
-34
-45
-61
-65
22
60
57
46
38
27
15
典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.90
.79
.57
.43
.36
.35
.47
.65
.77
.83
.86
.87
.91
ANG 。
-32
-53
-96
-129
-163
156
110
78
58
44
30
16
1
dB
19.0
18.0
15.5
13.3
11.6
10.1
8.8
7.0
5.1
3.5
2.4
1.1
0.1
S
21
MAG 。
8.95
7.96
5.99
4.60
3.78
3.21
2.76
2.23
1.80
1.50
1.32
1.13
0.99
ANG 。
147
128
90
64
39
16
-11
-36
-56
-72
-88
-106
-123
dB
-34.9
-28.6
-22.5
-19.5
-17.3
-15.6
-14.5
-14.2
-14.1
-14.2
-14.5
-14.8
-15.3
S
12
MAG 。
.018
.037
.075
.106
.136
.166
.189
.196
.198
.195
.188
.182
.171
S
22
ANG 。
77
70
56
43
31
14
-5
-23
-38
-48
-64
-77
-91
MAG 。
.40
.38
.34
.31
.28
.22
.15
.28
.42
.51
.55
.60
.65
ANG 。
-7
-17
-38
-50
-51
-45
-4
35
37
33
26
18
7
可在设备型号部分的模型此设备。
5-31
36微-X封装尺寸
2.15
(0.085)
来源
4
漏
3
0.508
(0.020)
2.11 （ 0.083 ） DIA 。
门1
107
来源
1.45
±
0.25
(0.057
±
0.010)
2
2.54
(0.100)
0.15
±
0.05
(0.006
±
0.002)
0.56
(0.022)
4.57
±
0.25
0.180
±
0.010
注意事项：
1.尺寸以毫米（英寸）
2.公差：在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
5-32
0.5 - 12 GHz的通用
砷化镓场效应管
技术参数
ATF-10736
特点
高相关的增益：
13.0分贝典型在4GHz
低偏置：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
高输出功率：
20.0 dBm的典型P
1分贝
在4GHz
低噪声系数：
1.2分贝典型在4GHz
性价比高陶瓷
微带套餐
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
该ATF - 10736是一款高perfor-
曼斯砷化镓Schottky-
障栅场效应晶体管
容纳在具有成本效益的
微带包。它的噪声
图使该器件拨款
在增益级吃的用
在经营低噪声放大器
在0.5-12 GHz的频率范围。
此砷化镓场效应管器件具有
标称0.3微米栅长
使用登机桥interconcnects
漏手指之间。总闸门
周是500微米。成熟的
基于黄金金属化系统
和氮化物钝化保证一
坚固耐用，可靠的设备。
36微-X包
电气规格，T
A
= 25°C
符号
NF
O
参数和测试条件
最佳的噪声系数： V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
mmho
mA
V
70
70
-4.0
12.0
分钟。
典型值。马克斯。
0.9
1.2
1.4
16.5
13.0
10.5
20.0
12.0
140
130
-1.3
180
-0.5
1.4
G
A
增益@ NF
O
; V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
P
1分贝
G
1分贝
g
m
I
DSS
V
P
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
1分贝压缩增益： V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
跨导： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压： V
DS
= 2 V，I
DS
= 1毫安
注意：
1.参考包装部分， “带盘式包装表面贴装半导体。 ”
5-29
5965-8698E
ATF- 10736绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
总功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
+
5
-4
-7
I
DSS
430
175
-65到+175
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
外壳温度
= 25°C.
3.减免为2.9毫瓦/ ℃，
T
例
> 25 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污
这个包难以向引线
焊接到电路。一个设备后
已被焊接到一个电路，它
可以被安全地存储到175 ℃。
5.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
用于测量部分
更多的信息。
热阻：
液晶尺寸：
θ
jc
= 350 ° C / W ;牛逼
CH
= 150°C
1μm的光斑尺寸
[5]
产品型号订购信息
产品型号
ATF-10736-TR1
ATF-10736-STR
设备每卷
1000
10
带尺寸
7"
条
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
ATF- 10736的噪声参数：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
NF
O
dB
0.8
0.9
1.2
1.4
1.7
Γ
选择
MAG
0.88
0.75
0.48
0.46
0.53
昂
41
85
159
-122
-71
R
N
/50
0.52
0.27
0.08
0.08
0.43
ATF- 10736的典型表现，T
A
= 25°C
18
15
G
A
30
25
30
25
味精
G
A
（ dB）的
2.0
1.5
12
9
6
20
20
味精
增益（dB ）
15
|S
21
|
2
增益（dB ）
15
10
5
0
0.5
NF
O
（ dB）的
|S
21
|
2
MAG
味精
1.0
0.5
0
2.0
NF
O
10
5
0
0.5
MAG
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.最佳的噪声系数和
相关增益与频率。
V
DS
= 2V ，我
DS
= 25毫安，T
A
= 25°C.
图2.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA的电流。
图3.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70 mA的电流。
5-30
典型的散射参数，
常见的来源，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.96
.92
.77
.59
.49
.43
.49
.57
.68
.73
.77
.82
.85
ANG 。
-20
-40
-76
-107
-136
-179
138
106
81
62
47
36
22
dB
15.4
15.2
13.8
12.5
11.2
10.0
8.6
7.3
5.6
4.2
3.0
1.0
-0.2
S
21
MAG 。
5.90
5.77
4.92
4.20
3.64
3.15
2.74
2.32
1.92
1.62
1.41
1.12
0.98
ANG 。
162
144
109
83
57
32
8
-13
-32
-50
-66
-81
-97
dB
-32.4
-26.7
-21.3
-20.0
-17.3
-15.5
-14.9
-14.8
-14.7
-14.8
-14.8
-14.6
-14.5
S
12
MAG 。
.024
.046
.086
.111
.137
.167
.179
.183
.185
.183
.182
.186
.189
S
22
ANG 。
77
66
52
40
24
9
-5
-18
-33
-40
-52
-67
-75
MAG 。
.50
.48
.39
.33
.26
.14
.05
.19
.33
.42
.46
.50
.51
ANG 。
-10
-21
-34
-45
-61
-65
22
60
57
46
38
27
15
典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.90
.79
.57
.43
.36
.35
.47
.65
.77
.83
.86
.87
.91
ANG 。
-32
-53
-96
-129
-163
156
110
78
58
44
30
16
1
dB
19.0
18.0
15.5
13.3
11.6
10.1
8.8
7.0
5.1
3.5
2.4
1.1
0.1
S
21
MAG 。
8.95
7.96
5.99
4.60
3.78
3.21
2.76
2.23
1.80
1.50
1.32
1.13
0.99
ANG 。
147
128
90
64
39
16
-11
-36
-56
-72
-88
-106
-123
dB
-34.9
-28.6
-22.5
-19.5
-17.3
-15.6
-14.5
-14.2
-14.1
-14.2
-14.5
-14.8
-15.3
S
12
MAG 。
.018
.037
.075
.106
.136
.166
.189
.196
.198
.195
.188
.182
.171
S
22
ANG 。
77
70
56
43
31
14
-5
-23
-38
-48
-64
-77
-91
MAG 。
.40
.38
.34
.31
.28
.22
.15
.28
.42
.51
.55
.60
.65
ANG 。
-7
-17
-38
-50
-51
-45
-4
35
37
33
26
18
7
可在设备型号部分的模型此设备。
5-31
36微-X封装尺寸
2.15
(0.085)
来源
4
漏
3
0.508
(0.020)
2.11 （ 0.083 ） DIA 。
门1
107
来源
1.45
±
0.25
(0.057
±
0.010)
2
2.54
(0.100)
0.15
±
0.05
(0.006
±
0.002)
0.56
(0.022)
4.57
±
0.25
0.180
±
0.010
注意事项：
1.尺寸以毫米（英寸）
2.公差：在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
5-32
查看更多ATF-10736-TR1PDF信息
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A214B-SYG-S530-E2
AWT0904S6
AEDS-9621#210
AMIS49587C5871G
AME8501BEFTBE28
AH373E-PL
AME8501AEFTDE42
AT27LV256A-90TC
AAT3510IGV-4.40-B-C-T1
AM3GH-2415DZ
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    -
    -
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联系人：朱经理、张小姐
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