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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第907页 > ATF-10236-STR
0.5 - 12 GHz的低噪声
砷化镓场效应管
技术参数
ATF-10236
特点
低噪声系数：
0.8分贝典型在4GHz
低偏置：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
高相关的增益：
13.0分贝典型在4GHz
高输出功率：
20.0 dBm的
典型的P
1dB
在4GHz
性价比高陶瓷
微带套餐
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
的ATF- 10236是一种高性能的
砷化镓肖特基barrier-
栅场效应晶体管装在一个
成本效益微带包。其
低噪声指数使得该器件
适合于在第一次使用和
的低噪声放大器的第二级
在0.512 GHz的频率运行
范围内。
此砷化镓FET器件具有标称
使用登机桥0.3微米栅长
漏手指之间的互连。
总门周边是500微米。
探明黄金金属化基础
系统和氮化物钝化
保证坚固，可靠的设备。
36微-X包
电气规格，T
A
= 25°C
符号
NF
O
参数和测试条件
最佳的噪声系数： V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
mmho
mA
V
80
70
-3.0
12.0
分钟。
典型值。马克斯。
0.6
0.8
1.0
16.5
13.0
10.5
20.0
12.0
140
130
-1.3
180
-0.8
1.0
G
A
增益@ NF
O
; V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
P
1分贝
G
1分贝
g
m
I
DSS
V
P
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
1分贝压缩增益： V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
跨导： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压： V
DS
= 2 V，I
DS
= 1毫安
注意：
1.参考包装部分， “带盘式包装表面贴装半导体。 ”
5965-8697E
5-26
ATF- 10236绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
+
5
-4
-7
I
DSS
430
175
175
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
外壳温度
= 25°C.
3.减免为2.9毫瓦/ ℃，
T
例
> 25 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污
这个包使得它的引线
难于焊接到电路。
后一装置已被焊接
成电路，它可能是安全的
存储高达175 ℃。
5.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
用于测量部分
更多的信息。
热阻：
液晶尺寸：
θ
jc
= 350 ° C / W ;牛逼
CH
= 150°C
1μm的光斑尺寸
[5]
产品型号订购信息
产品型号
ATF-10236-TR1
ATF-10236-STR
设备每卷
1000
10
带尺寸
7"
条
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
ATF- 10236的噪声参数：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
NF
O
dB
0.45
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
Γ
选择
MAG
0.93
0.87
0.73
0.45
0.42
0.49
昂
18
36
74
148
-137
-80
R
N
/50
0.75
0.63
0.33
0.15
0.12
0.45
ATF- 10236的典型表现，T
A
= 25°C
18
15
G
A
（ dB）的
16
14
G
A
30
G
A
（ dB）的
25
20
增益（dB ）
味精
2.0
1.5
NF
O
（ dB）的
G
A
12
9
12
10
15
|S
21
|
2
1.5
NF
O
（ dB）的
1.0
0.5
0
2.0
NF
O
6
1.0
0.5
0
NF
O
10
5
0
0.5
MAG
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
0
10
20
30
I
DS
（MA ）
40
50
60
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.最佳的噪声系数和
相关增益与频率。
V
DS
= 2V ，我
DS
= 25毫安，T
A
= 25°C.
图2.最佳的噪声系数和
相关增益与我
DS
.
V
DS
= 2V ， F = 4.0千兆赫。
图3.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA的电流。
5-27
典型的散射参数，
常见的来源，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.97
.93
.77
.59
.48
.46
.53
.62
.71
.75
.78
.82
.84
ANG 。
-20
-41
-81
-114
-148
166
125
96
73
54
39
26
12
dB
15.1
14.9
13.6
12.2
10.9
9.6
8.5
6.9
4.9
3.3
2.1
0.3
-0.5
S
21
MAG 。
5.68
5.58
4.76
4.06
3.51
3.03
2.65
2.22
1.75
1.47
1.28
1.04
0.95
ANG 。
162
143
107
80
52
26
1
-20
-39
-55
-72
-86
-101
dB
-32.8
-26.0
-21.3
-18.4
-16.5
-15.3
-14.5
-14.4
-14.5
-14.7
-14.9
-14.9
-15.0
S
12
MAG 。
.023
.050
.086
.120
.149
.172
.189
.191
.189
.184
.180
.179
.177
S
22
ANG 。
76
71
51
35
18
3
-14
-28
-41
-46
-59
-71
-82
MAG 。
.47
.45
.36
.30
.23
.10
.09
.24
.37
.46
.51
.54
.54
ANG 。
-11
-23
-38
-51
-67
-67
48
55
51
42
34
26
17
可在设备型号部分的模型此设备。
36微-X封装尺寸
2.15
(0.085)
来源
4
漏
3
0.508
(0.020)
2.11 （ 0.083 ） DIA 。
门1
102
2
2.54
(0.100)
来源
1.45
±
0.25
(0.057
±
0.010)
0.15
±
0.05
(0.006
±
0.002)
0.56
(0.022)
4.57
±
0.25
0.180
±
0.010
注意事项：
1.尺寸以毫米（英寸）
2.公差：在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
5-28
0.5 - 12 GHz的低噪声
砷化镓场效应管
技术参数
ATF-10236
特点
低噪声系数：
0.8分贝典型在4GHz
低偏置：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
高相关的增益：
13.0分贝典型在4GHz
高输出功率：
20.0 dBm的
典型的P
1dB
在4GHz
性价比高陶瓷
微带套餐
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
的ATF- 10236是一种高性能的
砷化镓肖特基barrier-
栅场效应晶体管装在一个
成本效益微带包。其
低噪声指数使得该器件
适合于在第一次使用和
的低噪声放大器的第二级
在0.512 GHz的频率运行
范围内。
此砷化镓FET器件具有标称
使用登机桥0.3微米栅长
漏手指之间的互连。
总门周边是500微米。
探明黄金金属化基础
系统和氮化物钝化
保证坚固，可靠的设备。
36微-X包
电气规格，T
A
= 25°C
符号
NF
O
参数和测试条件
最佳的噪声系数： V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
mmho
mA
V
80
70
-3.0
12.0
分钟。
典型值。马克斯。
0.6
0.8
1.0
16.5
13.0
10.5
20.0
12.0
140
130
-1.3
180
-0.8
1.0
G
A
增益@ NF
O
; V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
P
1分贝
G
1分贝
g
m
I
DSS
V
P
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
1分贝压缩增益： V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
跨导： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压： V
DS
= 2 V，I
DS
= 1毫安
注意：
1.参考包装部分， “带盘式包装表面贴装半导体。 ”
5965-8697E
5-26
ATF- 10236绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
+
5
-4
-7
I
DSS
430
175
175
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
外壳温度
= 25°C.
3.减免为2.9毫瓦/ ℃，
T
例
> 25 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污
这个包使得它的引线
难于焊接到电路。
后一装置已被焊接
成电路，它可能是安全的
存储高达175 ℃。
5.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
用于测量部分
更多的信息。
热阻：
液晶尺寸：
θ
jc
= 350 ° C / W ;牛逼
CH
= 150°C
1μm的光斑尺寸
[5]
产品型号订购信息
产品型号
ATF-10236-TR1
ATF-10236-STR
设备每卷
1000
10
带尺寸
7"
条
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
ATF- 10236的噪声参数：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
NF
O
dB
0.45
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
Γ
选择
MAG
0.93
0.87
0.73
0.45
0.42
0.49
昂
18
36
74
148
-137
-80
R
N
/50
0.75
0.63
0.33
0.15
0.12
0.45
ATF- 10236的典型表现，T
A
= 25°C
18
15
G
A
（ dB）的
16
14
G
A
30
G
A
（ dB）的
25
20
增益（dB ）
味精
2.0
1.5
NF
O
（ dB）的
G
A
12
9
12
10
15
|S
21
|
2
1.5
NF
O
（ dB）的
1.0
0.5
0
2.0
NF
O
6
1.0
0.5
0
NF
O
10
5
0
0.5
MAG
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
0
10
20
30
I
DS
（MA ）
40
50
60
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.最佳的噪声系数和
相关增益与频率。
V
DS
= 2V ，我
DS
= 25毫安，T
A
= 25°C.
图2.最佳的噪声系数和
相关增益与我
DS
.
V
DS
= 2V ， F = 4.0千兆赫。
图3.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA的电流。
5-27
典型的散射参数，
常见的来源，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.97
.93
.77
.59
.48
.46
.53
.62
.71
.75
.78
.82
.84
ANG 。
-20
-41
-81
-114
-148
166
125
96
73
54
39
26
12
dB
15.1
14.9
13.6
12.2
10.9
9.6
8.5
6.9
4.9
3.3
2.1
0.3
-0.5
S
21
MAG 。
5.68
5.58
4.76
4.06
3.51
3.03
2.65
2.22
1.75
1.47
1.28
1.04
0.95
ANG 。
162
143
107
80
52
26
1
-20
-39
-55
-72
-86
-101
dB
-32.8
-26.0
-21.3
-18.4
-16.5
-15.3
-14.5
-14.4
-14.5
-14.7
-14.9
-14.9
-15.0
S
12
MAG 。
.023
.050
.086
.120
.149
.172
.189
.191
.189
.184
.180
.179
.177
S
22
ANG 。
76
71
51
35
18
3
-14
-28
-41
-46
-59
-71
-82
MAG 。
.47
.45
.36
.30
.23
.10
.09
.24
.37
.46
.51
.54
.54
ANG 。
-11
-23
-38
-51
-67
-67
48
55
51
42
34
26
17
可在设备型号部分的模型此设备。
36微-X封装尺寸
2.15
(0.085)
来源
4
漏
3
0.508
(0.020)
2.11 （ 0.083 ） DIA 。
门1
102
2
2.54
(0.100)
来源
1.45
±
0.25
(0.057
±
0.010)
0.15
±
0.05
(0.006
±
0.002)
0.56
(0.022)
4.57
±
0.25
0.180
±
0.010
注意事项：
1.尺寸以毫米（英寸）
2.公差：在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
5-28
0.5 - 12 GHz的低噪声
砷化镓场效应管
技术参数
ATF-10236
特点
低噪声系数：
0.8分贝典型在4GHz
低偏置：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
高相关的增益：
13.0分贝典型在4GHz
高输出功率：
20.0 dBm的
典型的P
1dB
在4GHz
性价比高陶瓷
微带套餐
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
的ATF- 10236是一种高性能的
砷化镓肖特基barrier-
栅场效应晶体管装在一个
成本效益微带包。其
低噪声指数使得该器件
适合于在第一次使用和
的低噪声放大器的第二级
在0.512 GHz的频率运行
范围内。
此砷化镓FET器件具有标称
使用登机桥0.3微米栅长
漏手指之间的互连。
总门周边是500微米。
探明黄金金属化基础
系统和氮化物钝化
保证坚固，可靠的设备。
36微-X包
电气规格，T
A
= 25°C
符号
NF
O
参数和测试条件
最佳的噪声系数： V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
mmho
mA
V
80
70
-3.0
12.0
分钟。
典型值。马克斯。
0.6
0.8
1.0
16.5
13.0
10.5
20.0
12.0
140
130
-1.3
180
-0.8
1.0
G
A
增益@ NF
O
; V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
P
1分贝
G
1分贝
g
m
I
DSS
V
P
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
1分贝压缩增益： V
DS
= 4 V，I
DS
= 70毫安
跨导： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
饱和漏极电流： V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压： V
DS
= 2 V，I
DS
= 1毫安
注意：
1.参考包装部分， “带盘式包装表面贴装半导体。 ”
5965-8697E
5-26
ATF- 10236绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
+
5
-4
-7
I
DSS
430
175
175
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
外壳温度
= 25°C.
3.减免为2.9毫瓦/ ℃，
T
例
> 25 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污
这个包使得它的引线
难于焊接到电路。
后一装置已被焊接
成电路，它可能是安全的
存储高达175 ℃。
5.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
用于测量部分
更多的信息。
热阻：
液晶尺寸：
θ
jc
= 350 ° C / W ;牛逼
CH
= 150°C
1μm的光斑尺寸
[5]
产品型号订购信息
产品型号
ATF-10236-TR1
ATF-10236-STR
设备每卷
1000
10
带尺寸
7"
条
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
ATF- 10236的噪声参数：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
NF
O
dB
0.45
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
Γ
选择
MAG
0.93
0.87
0.73
0.45
0.42
0.49
昂
18
36
74
148
-137
-80
R
N
/50
0.75
0.63
0.33
0.15
0.12
0.45
ATF- 10236的典型表现，T
A
= 25°C
18
15
G
A
（ dB）的
16
14
G
A
30
G
A
（ dB）的
25
20
增益（dB ）
味精
2.0
1.5
NF
O
（ dB）的
G
A
12
9
12
10
15
|S
21
|
2
1.5
NF
O
（ dB）的
1.0
0.5
0
2.0
NF
O
6
1.0
0.5
0
NF
O
10
5
0
0.5
MAG
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
0
10
20
30
I
DS
（MA ）
40
50
60
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.最佳的噪声系数和
相关增益与频率。
V
DS
= 2V ，我
DS
= 25毫安，T
A
= 25°C.
图2.最佳的噪声系数和
相关增益与我
DS
.
V
DS
= 2V ， F = 4.0千兆赫。
图3.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA的电流。
5-27
典型的散射参数，
常见的来源，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
S
11
MAG 。
.97
.93
.77
.59
.48
.46
.53
.62
.71
.75
.78
.82
.84
ANG 。
-20
-41
-81
-114
-148
166
125
96
73
54
39
26
12
dB
15.1
14.9
13.6
12.2
10.9
9.6
8.5
6.9
4.9
3.3
2.1
0.3
-0.5
S
21
MAG 。
5.68
5.58
4.76
4.06
3.51
3.03
2.65
2.22
1.75
1.47
1.28
1.04
0.95
ANG 。
162
143
107
80
52
26
1
-20
-39
-55
-72
-86
-101
dB
-32.8
-26.0
-21.3
-18.4
-16.5
-15.3
-14.5
-14.4
-14.5
-14.7
-14.9
-14.9
-15.0
S
12
MAG 。
.023
.050
.086
.120
.149
.172
.189
.191
.189
.184
.180
.179
.177
S
22
ANG 。
76
71
51
35
18
3
-14
-28
-41
-46
-59
-71
-82
MAG 。
.47
.45
.36
.30
.23
.10
.09
.24
.37
.46
.51
.54
.54
ANG 。
-11
-23
-38
-51
-67
-67
48
55
51
42
34
26
17
可在设备型号部分的模型此设备。
36微-X封装尺寸
2.15
(0.085)
来源
4
漏
3
0.508
(0.020)
2.11 （ 0.083 ） DIA 。
门1
102
2
2.54
(0.100)
来源
1.45
±
0.25
(0.057
±
0.010)
0.15
±
0.05
(0.006
±
0.002)
0.56
(0.022)
4.57
±
0.25
0.180
±
0.010
注意事项：
1.尺寸以毫米（英寸）
2.公差：在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
5-28
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AM29LV160BT80RFC
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