ATF- 10136绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
漏电流
功耗
[2,3]
通道温度
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
+
5
-4
-7
I
DSS
430
175
-65到+175
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
外壳温度
= 25°C.
3.减免为2.9毫瓦/ ℃，
T
例
> 25 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污
这个包使得它的引线
难于焊接到电路。
后一装置已被焊接
成电路，它可能是安全的
存储高达175 ℃。
5.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
应用底漆为IIIA
更多的信息。
热阻：
液晶尺寸：
θ
jc
= 350 ° C / W ;牛逼
CH
= 150°C
1
m
光斑尺寸
[5]
产品型号订购信息
产品型号
ATF-10136-TR1
ATF-10136-STR
设备每卷
1000
10
带尺寸
7"
条
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件。 ”
ATF- 10136的噪声参数：
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25毫安
频率。
GHz的
0.5
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
NF
O
dB
0.35
0.4
0.4
0.5
0.8
1.1
Γ
选择
MAG
0.93
0.85
0.70
0.39
0.36
0.45
昂
12
24
47
126
-170
-100
R
N
/50
0.80
0.70
0.46
0.36
0.12
0.38
ATF- 10136的典型表现，T
A
= 25°C
18
15
G
A
（ dB）的
2.0
1.5
NF
O
（ dB）的
1.0
0.5
0
2.0
NF
O
G
A
16
14
G
A
30
G
A
（ dB）的
25
20
增益（dB ）
15
10
|S
21
|
2
MAG
味精
12
9
12
10
1.5
NF
O
（ dB）的
6
1.0
NF
O
0.5
0
5
0
0.5
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
0
10
20
30
I
DS
（MA ）
40
50
60
1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 12.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.最佳的噪声系数和
相关增益与频率。
V
DS
= 2V ，我
DS
= 25毫安，T
A
= 25°C.
图2.最佳的噪声系数和
相关增益与我
DS
.
V
DS
= 2V ， F = 4.0千兆赫。
图3.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA的电流。
5-24
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