飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V2300N
启5 ， 4/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 900毫安，
P
OUT
= 300瓦， F = 220 MHz的
功率增益 - 25.5分贝
漏极效率 - 68 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 220兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V2300NR1
MRF6V2300NBR1
10-
-600兆赫， 300 W， 50 V
横向N-
声道
单
-ENDED
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V2300NR1
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V2300NBR1
部分单
-ENDED
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--0.5, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
（ TOP VIEW ）
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.24
单位
° C / W
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度83 ° C， 300瓦CW
图1.引脚连接
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007--2008 ， 2010。保留所有权利。
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 900 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
F = 27MHz的
F = 450 MHz的
F = 27MHz的
F = 450 MHz的
F = 27MHz的
F = 450 MHz的
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.88
120
268
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.63
2.6
0.28
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
I
GSS
—
—
110
—
—
—
—
—
2.5
50
—
10
mA
μAdc
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300 W， F = 220 MHz的CW
G
ps
η
D
IRL
G
ps
η
D
IRL
24
66
—
—
—
—
—
—
—
25.5
68
--16
31.4
21.7
61.5
59.1
--17.4
--24.4
27
—
--9
—
—
—
—
—
—
dB
%
dB
dB
%
dB
典型的表演
（飞思卡尔在27 MHz和450 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300瓦CW
注意： MRF6V2300N和MRF6V2300NB高功率器件和特殊注意事项
必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这
超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263
（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）
启动前系统设计
to
确保这些设备的正确安装。
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B3
B1
V
BIAS
+
C1
+
C2
+
C3
C4
C5
C6
C7
R1
B2
L2
C17
C18
C19
+
C20
V
供应
L1
C8
RF
输入
C9
C10 C11 R2
Z3
Z4
Z5
R3
Z6
Z7
Z8
Z9
C14
C15
C16
RF
产量
Z10
C23
C21
C22
Z11
Z1
C12
Z2
C13
DUT
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
0.352 “× 0.082 ”微带
1.567 “× 0.082 ”微带
0.857 “× 0.082 ”微带
0.276 “× 0.220 ”微带
0.434 “× 0.220 ”微带
0.298 “× 0.630 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
PCB
0.085 “× 0.170 ”微带
2.275 “× 0.170 ”微带
0.945 “× 0.170 ”微带
0.443 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图2. MRF6V2300NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图 - 220兆赫
表6. MRF6V2300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值 - 220兆赫
部分
B1, B2
B3
C1
C2
C3
C4, C19
C5, C18
C6, C11, C17
C7, C8, C15, C16
C10
C9, C12, C14, C23
C13
C20
C21
C22
L1
L2
R1
R2, R3
描述
95
,
100 MHz的龙铁氧体磁珠，表面贴装
47
,
100 MHz的短铁氧体磁珠，表面贴装
47
μF,
50 V电解电容
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
35 V钽电容器
10 K时pF的贴片电容
20K的pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
220 nF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
82 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
24 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
4将＃ 18 AWG ， 0.18 “ ID
82 nH的电感器
270
,
1/4 W贴片电阻
4.75
,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743021447
2743019447
476KXM063M
T494X226K035AT
T491D106K035AT
ATC200B103KT50XT
ATC200B203KT50XT
CDR33BX104AKYS
C1825C225J5RAC
C1206C224Z5VAC
ATC100B102JT50XT
ATC100B820JT500XT
477KXM063M
ATC100B240JT500XT
ATC100B390JT500XT
无
1812SMS--82NJ
CRCW12062700FKTA
CRCW12064R75FKTA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
伊利诺电容
基美
基美
ATC
ATC
AVX
基美
基美
ATC
ATC
伊利诺电容
ATC
ATC
无
Coilcraft公司
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C2
C3
+
B1
C4
C5
C6
B2
R1
C8
C15*
C16*
L2
C19
C18
C17
B3
+
C20
C7
C10
C11
C9
R2 R3
C12
C14
L1
C23
切出区
C13
C22
C21
MRF6V2300N/NB
第3版
*叠放
图3. MRF6V2300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 220兆赫
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
C
RSS
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
C，电容（pF ）
100
10
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
图4.电容与漏极 -
- 源电压
10
9
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
2.25 V
120
22
10
2.5 V
2.63 V
2.75 V
G
ps
，功率增益（分贝）
V
GS
= 3 V
28
27
26
25
24
23
图5.直流安全工作区
I
DQ
= 1350毫安
1125毫安
900毫安
650毫安
450毫安
V
DD
= 50伏直流
F1 = 220 MHz的
100
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
600
漏极电压（伏）
图6.直流漏电流与漏极电压
--15
IMD ，三阶互调
失真（ DBC）
60
图7. CW功率增益与输出功率
V
DD
= 50伏直流电， F1 = 220兆赫， F2 = 220.1兆赫
--20两个 - 音频测量， 100 kHz音调间距
--25
--30
--35
--40
--45
I
DQ
= 450毫安
900毫安
650毫安
1125毫安
P
OUT
，输出功率（dBm ）
P3dB = 55.76 dBm的（ 377 W）
58
的P1dB = 55.04 dBm的（ 319 W）
56
54
52
50
24
理想
实际
--50
--55
1
10
1350毫安
100
600
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安
F = 220 MHz的
26
28
30
32
34
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
in
输入功率（dBm ）
图8.三阶互调失真
与输出功率
图9. CW输出功率与输入功率
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
