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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1641页 > AT93C66B-SSHM-T
AT93C56B和AT93C66B
3线串行EEPROM
2K （ 256× 8或128 ×16 ）和4K （ 512 ×8或256 ×16 ）
数据表
特点
低电压操作
V
CC
= 1.7V至5.5V
用户可选择的内部组织
2K ： 256 ×8或128 ×16
4K ： 512 ×8或256 ×16
3线串行接口
连续读操作
2MHz的时钟速率（5V）
自定时写周期（ 5ms的最大值）
高可靠性
续航能力：100万写周期
数据保存： 100年
8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚TSSOP ， 8 -垫UDFN ， 8片XDFN ，并
8球VFBGA封装
描述
爱特梅尔
AT93C56B / 66B提供了2048 / 4096位的串行电可擦除
可编程只读组织为16位的128/256字存储器（EEPROM）
每（当ORG引脚连接到V
CC
）和文字256/512每8位（当
ORG引脚接地） 。该装置被用在许多工业优化和
商业应用中的低功率和低电压操作是必不可少的。
该AT93C56B / 66B是采用节省空间的8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚TSSOP封装，
8垫UDFN ，8-垫XDFN ，和8球VFBGA包。
该AT93C56B / 66B ，通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由访问
3线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，和移位时钟
（SK） 。在接收到读指令时的DI ，地址解码，并且该数据是
同步输出连续的DO引脚。写周期是完全自定时，也没有
写之前单独擦除周期是必需的。写周期时，才会启用时，
该部分是在擦/写使能状态。当CS变为高电平继
写周期开始时， DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。
该AT93C56B / 66B工作在1.7V至5.5V 。
Atmel-8735B-SEEPROM-AT93C56B-66B-Datasheet_042013
1.
引脚配置和引脚
表1-1 。
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
V
CC
ORG
NC
销刀豆网络gurations
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
内设机构
无连接
8 ，垫UDFN / XDFN
V
CC
8
NC
7
ORG
6
GND
5
底部视图
1
2
3
4
8引脚SOIC
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
8引脚TSSOP
V
CC
NC
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NC
ORG
GND
顶视图
顶视图
8球VFBGA
V
CC
NC
ORG
GND
8
7
6
5
1
2
3
4
CS
SK
DI
DO
CS
SK
DI
DO
底部视图
注意：
附图不是按比例绘制的。
2.
绝对最大额定值*
工作温度
55C
至+ 125°C
储存温度
65C
至+ 150°C
任何引脚电压
关于ground1.0V至+ 7.0V
最大工作电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.25V
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.0毫安
*注意：强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性
损坏设备。这是一个额定值，
和设备的这些功能操作或
超越那些标明的任何其他条件
本规范的业务部门是不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
爱特梅尔AT93C56B / 66B [数据]
Atmel-8735B-SEEPROM-AT93C56B-66B-Datasheet_042013
2
3.
框图
V
CC
GND
存储阵列
ORG
256/512 x 8
or
128/256 x 16
地址
解码器
数据
注册
DI
DECODE MODE
逻辑
产量
卜FF器
CS
SK
时钟
发电机
DO
注意：
当ORG引脚连接到V
CC
中，x 16组织被选中。当它被连接到地，
在×8的组织被选中。如果ORG引脚悬空，并且应用程序不会加载输入
超出了内部1M的能力
上拉电阻，那么x 16组织被选中。
爱特梅尔AT93C56B / 66B [数据]
Atmel-8735B-SEEPROM-AT93C56B-66B-Datasheet_042013
3
4.
4.1
存储器组织
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的，V
CC
= 5.0V （除非另有说明） 。
符号
C
OUT
C
IN
测试条件
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ）
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
1.
此参数的特点，而不是100 ％测试。
4.2
DC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 1.7V至5.5V （除非另有说明） 。
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.7V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
2.5V
1.7V
V
CC
2.5V
2.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
2.5V
1.7V
V
CC
2.5V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=
0.4mA
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
=
100μA
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.6
2.0
0.6
V
CC
x 0.7
读得1.0MHz
写在1.0MHz的
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
民
1.7
2.5
4.5
0.5
0.5
0.4
6.0
10.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
1.0
10.0
15.0
3.0
3.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
V
注意：
1.
V
IL
分钟和V
IH
最多只能是参考，而不是测试。
爱特梅尔AT93C56B / 66B [数据]
Atmel-8735B-SEEPROM-AT93C56B-66B-Datasheet_042013
4
4.3
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
=
40 ° C至+ 85°C ，V
CC
=符合规定，
CL = 1 TTL门和100pF的（除非另有说明） 。
符号
参数
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
f
SK
SK时钟频率
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
t
圣公会
SK高时间
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
相对于SK
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
民
0
0
0
250
1000
250
1000
250
1000
50
200
100
400
0
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
100
400
250
1000
250
1000
250
1000
150
400
5
1,000,000
最大
2
1
250
单位
兆赫
兆赫
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
写周期
t
SKL
SK低电平时间
t
CS
最低CS低电平时间
t
CSS
CS建立时间
t
DIS
t
CSH
t
DIH
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
相对于SK
相对于SK
相对于SK
t
PD1
输出延迟到1
AC测试
t
PD0
输出延迟为0
AC测试
t
SV
CS为有效状态
AC测试
AC测试
CS = V
IL
t
DF
t
WP
耐力
(1)
CS为高阻抗DO
写周期时间
5.0V ，25°C
注意：
1.
此参数的特点，而不是100 ％测试。
爱特梅尔AT93C56B / 66B [数据]
Atmel-8735B-SEEPROM-AT93C56B-66B-Datasheet_042013
5
特点
低电压和标准电压工作
– V
CC
= 1.7V至5.5V
用户可选择的内部组织
- 2K ： 256 ×8或128 ×16
- 4K ： 512 ×8或256 ×16
三线串行接口
连续读操作
2MHz的时钟速率（5V）
自定时写周期（ 5ms的最大值）
高可靠性
- 耐力：一百万次擦写循环
- 数据保存：100年
8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚TSSOP封装， 8引脚UDFN ， 8引脚XDFN和8球VFBGA
套餐
三线
串行电
可擦写
可编程
只读存储器
2K （ 256× 8或128 ×16 ）
4K （512 ×8或256 ×16）个
描述
爱特梅尔
AT93C56B / 66B提供四千〇九十六分之二千〇四十八位串行电可擦除的亲
可编程只读组织为每16比特128/256字存储器（EEPROM）中
（当ORG引脚连接到V
CC
），以及每8位256/512话（当
ORG引脚接地） 。所述装置被用于许多工业和商业用的优化
CIAL应用中的低功率和低电压操作是必不可少的。该
AT93C56B / 66B可在节省空间的8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚TSSOP封装， 8引脚
UDFN ， 8引线XDFN ，和8球VFBGA包。
该AT93C56B / 66B ，通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由访问
三线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ）和移位时钟
（SK） 。在接收到读指令时的DI ，地址解码和数据的时钟
从串行数据输出引脚， DO 。写周期是完全自定时，也没有sep-
在写入前擦除独的周期是必需的。当器件处于写周期时，才会启用
擦除/写使能状态。当
CS
被拉高之后写的开始
周期， DO引脚输出部分的就绪/忙状态。
该AT93C56B / 66B工作在1.7V至5.5V 。
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
VCC
NC
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
爱特梅尔AT93C56B
爱特梅尔AT93C66B
图0-1 。
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
NC
销刀豆网络gurations
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
8引线UDFN
VCC
NC
ORG
GND
8
7
6
5
1
CS
2
SK
3
DI
4
DO
8引线XDFN
VCC
NC
ORG
GND
8球VFBGA
VCC
NC
ORG
GND
8
7
6
5
1
2
3
4
8
7
6
5
1
CS
2
SK
3
DI
4
DO
底部视图
底部视图
电源
内设机构
无连接
CS
SK
DI
DO
8735A–SEEPR–1/11
底部视图
1.
绝对最大额定值*
工作Temperature55C至+ 125C
储存温度
65C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.25V
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超出的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
图1-1 。
框图
VCC
GND
存储阵列
ORG
256/512 x 8
or
128/256 x 16
地址
解码器
数据
注册
DI
模式
解码
逻辑
产量
卜FF器
CS
SK
时钟
发电机
DO
注意：
当ORG引脚连接到V
CC
中，x 16组织被选中。当它被连接到地，在x 8组织
被选中。如果ORG引脚悬空，应用程序不会加载输入超出了内部的能力
1M
上拉电阻，那么x 16组织被选中。
2
爱特梅尔AT93C56B / 66B
8735A–SEEPR–1/11
爱特梅尔AT93C56B / 66B
表1-1 。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的，V
CC
= + 5.0V （除非另有说明）
符号
C
OUT
C
IN
注意事项：
测试条件
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ）
1.此参数的特点，而不是100 ％测试
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
表1-2。
DC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 1.7V至+ 5.5V （除非另有说明）
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1
(1)
V
IH1
(1)
V
IL2
(1)
V
IH2
(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意事项：
参数
电源电压
电源电压
电源电压
读得1.0MHz
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.7V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
2.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
2.5V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=
0.4mA
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
=
100A
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.6
2.0
0.6
V
CC
x 0.7
写在1.0MHz的
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
民
1.7
2.5
4.5
0.5
0.5
0.4
6.0
10.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
1.0
10.0
15.0
3.0
3.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最多只能是参考，未经测试
3
8735A–SEEPR–1/11
表1-3 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
=
40 ° C至+ 85°C ，V
CC
=符合规定， CL = 1 TTL门和100pF电容
（除非另有说明）
符号
f
SK
参数
SK时钟频率
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS = V
IL
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
5.5V
1.7V
V
CC
5.5V
民
0
0
0
250
1000
250
1000
250
1000
50
200
100
400
0
100
400
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
耐力
(1)
注意事项：
SK高时间
SK低电平时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
CS为有效状态
CS做
高阻抗
写周期时间
5.0V ，25°C
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
250
1000
250
1000
250
1000
150
400
5
ns
ns
ns
ns
ms
写
周期
1,000,000
1.此参数的特点，而不是100 ％测试
4
爱特梅尔AT93C56B / 66B
8735A–SEEPR–1/11
爱特梅尔AT93C56B / 66B
表1-4 。
指令集为爱特梅尔AT93C56B和爱特梅尔AT93C66B
Op
CODE
10
00
11
01
00
00
00
地址
x8
A
8
– A
0
11XXXXXXX
A
8
– A
0
A
8
– A
0
10XXXXXXX
01XXXXXXX
00XXXXXXX
x 16
A
7
– A
0
11XXXXXX
A
7
– A
0
A
7
– A
0
10XXXXXX
01XXXXXX
00XXXXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读在指定的地址存储在内存中的数据
写使能必须在前面所有的编程模式
擦除存储单元中的
n
– A
0
写入存储单元中的
n
– A
0
删除所有存储位置。只适用于
V
CC
= 4.5V至5.5V
将所有内存位置。只适用于
V
CC
= 5.0V ±10％ ，并禁止寄存器清零
禁用所有的程序指令
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
注意：
SB
1
1
1
1
1
1
1
对XS在地址栏中表示“不关心”的价值观，而且必须定时
2.
功能说明
爱特梅尔
AT93C56B / 66B是通过一个简单而通用的三线串行通信接口访问。设备
操作是通过由主处理器发出七个指令控制。
有效的指令开始的上升沿
CS ，
与由后跟适当的操作码和所需的存储器地址位置的起始位（逻辑1 ）的。
读（READ ） ：
读（读出）的指令包含要读取的存储器单元中的地址码。后
指令和地址译码，从所选择的存储单元的数据可在串行输出引脚，DO 。
输出数据的变化与国税发串行时钟， SK的上升沿同步。但是应当注意的是，一个虚拟位
（逻辑0 ）之前的8位或16位数据输出字符串。该AT93C56B / 66B支持顺序读操作。该
只要设备将自动递增内部地址指针和时钟输出的下一个内存位置的芯片
选择（ CS ）保持高电平。在这种情况下，哑位（逻辑0 ）将不会被同步输出的存储单元之间，从而
允许连续的数据流被读取。
擦除/写使能（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，器件自动进入擦除/写入禁止
（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写使能（ EWEN ）指令必须首先之前的任何执行
编程指令可以被执行。请注意，在EWEN状态一次，编程保持启用状态，直到
一个EWDS指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）教学计划的所有位在指定的存储单元中的逻辑 - 1
状态。自定时擦除周期开始一次ERASE指令和地址进行解码。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的准备/繁忙状态被保持在较低水平最少为250ns （T后拉高
CS
） 。脚做一个逻辑一
表示被选择的存储位置已被删除，部分已准备好执行下一条指令。
WRITE （写） ：
写入（ WRITE）指令包含的8位或16位数据被写入到指定的存储器
位置。自定时编程周期，T
WP
，启动后数据的最后一位在串行数据输入管脚DI被接收。在DO
引脚输出部分的准备/繁忙状态，如果CS被维持在低水平最少为250ns （T之后变为高电平
CS
). A
逻辑零DO表明编程仍在进行中。逻辑1表示该内存位置的
指定的地址已经写入与包含在指令中的数据模式和部分是准备用于进一步
指令。
如果CS是自定时编程结束后所带来的高一准备/繁忙状态无法得到
周期，T
WP
.
全部清除（ ERAL ） ：
擦除所有（ ERAL ）指令的程序存储器阵列的逻辑，一个国家在每一个位，并
主要用于测试目的。 DO引脚输出部分的准备/繁忙状态，如果CS正在后拉高
保持低电平至少为250ns （叔
CS
） 。 ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
10%.
5
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