特点
低电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V ）
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V ）
用户可选择的内部组织
- 2K ： 256 ×8或128 ×16
- 4K ： 512 ×8或256 ×16
3线串行接口
连续读操作
2 MHz的时钟速率（ 5V ）
自定时写周期（最大10 ms ）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
汽车级，扩展级温度和无铅/无卤
可用设备
8引脚PDIP ， 8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚SOIC EIAJ ， 8引脚（MAP）， 8引脚TSSOP封装，
和8球dBGA2
套餐
3线串行
EEPROM的
2K （ 256× 8或128 ×16 ）
4K （512 ×8或256 ×16）个
描述
该AT93C56A / 66A提供四千零九十六分之二千零四十八位串行电可擦除编程的
组织为每16比特128/256字序的只读存储器（EEPROM）中
当ORG引脚连接各8位VCC和256/512的话，当它是
接地。所述装置被用于许多工业和商业优化
应用中的低功率和低电压操作是必不可少的。该
AT93C56A / 66A可在节省空间的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚
EIAJ SOIC ， 8引脚（MAP）， 8引脚TSSOP和8球dBGA2 封装。
AT93C56A
AT93C66A
ADVANCE
信息
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
内设机构
不连接
8引线地图
8引脚PDIP
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
8球dBGA2
VCC
DC
ORG
GND
8
7
6
5
1
2
3
4
8引脚SOIC
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
底部视图
VCC
DC
ORG
GND
8
7
6
5
1
2
3
4
CS
SK
DI
DO
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
牧师3378F - SEEPR -04/04
底部视图
1
该AT93C56A / 66A通过片选引脚（ CS ）启用，并通过访问
3线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，和移位时钟
（SK） 。在接收到一个READ指令在DI中，地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全独立
定时的写操作之前，没有单独的擦除周期是必需的。写周期
只有当启用该部分是在擦/写使能状态。当CS被
“高”下面写周期的开始， DO引脚输出READY / BUSY
的部分的状态。
该AT93C56A / 66A为2.7V至5.5V和1.8V至5.5V的版本。
绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级，并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
框图
注意：
当ORG引脚连接到VCC时， ×16的组织被选中。当它是
连接到地，在x 8组织被选中。如果ORG引脚悬空
并且应用程序不加载输入超出了内部1兆的能力
欧姆的上拉，那么x 16组织被选中。该功能是不可用的
1.8V器件。
2
3378F–SEEPR–04/04
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= + 5.0V （除非另有说明） 。
符号
C
OUT
C
IN
注意：
测试条件
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ）
1.此参数的特点，而不是100％测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
DC特性
推荐参数的适用工作条件：T已
AI
=
40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，
T
AE
=
40 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V （除非另有说明） 。
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意：
参数
电源电压
电源电压
电源电压
读得1.0 MHz
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
2.7V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=
0.4
mA
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
=
100
A
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.6
2.0
0.6
V
CC
x 0.7
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
民
1.8
2.7
4.5
0.5
0.5
0
6.0
17
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
0.1
10.0
30
3.0
3.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考，未经测试。
3
3378F–SEEPR–04/04
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
=
40 ° C至+ 85°C ，T
AE
=
40 ° C至+ 125°C ，V
CC
=符合规定，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明） 。
符号
f
SK
参数
SK时钟
频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS
低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“1”
输出延迟为“0”
CS为有效状态
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ， 25°C时，页面模式
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS = V
IL
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
民
0
0
0
250
1000
250
1000
250
1000
50
200
100
400
0
100
400
250
1000
250
1000
250
1000
150
400
10
t
WP
耐力
(1)
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
0.1
1M
3
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
写周期
注意：
1.此参数的特点，而不是100％测试。
4
3378F–SEEPR–04/04
指令集为AT93C56A和AT93C66A
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
SB
1
1
1
1
1
Op
CODE
10
00
11
01
00
地址
x8
A
8
– A
0
11XXXXXXX
A
8
– A
0
A
8
– A
0
10XXXXXXX
x 16
A
7
– A
0
11XXXXXX
A
7
– A
0
A
7
– A
0
10XXXXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据，在
指定的地址。
写使能必须在前面所有
编程模式。
擦除存储单元中的
n
– A
0
.
写入存储单元中的
n
– A
0
.
删除所有存储位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V 。
D
7
– D
0
D
15
– D
0
将所有内存位置。有效
只有在V
CC
= 5.0V ± 10 ％和禁用
寄存器清零。
禁止所有编程指令。
WRAL
EWDS
注意：
1
1
00
00
01XXXXXXX
00XXXXXXX
01XXXXXX
00XXXXXX
在X的地址字段中的表示不关心的值，并且必须提供时钟。
功能说明
该AT93C56A / 66A是通过一个简单的多功能三线式串行通信访问
界面。设备的操作是由主机发出的7指示控制亲
处理器。
有效的指令开始与CS的上升沿
它由一个起始位
后跟适当的操作码和所需的存储器地址（逻辑“1”）
位置。
读（READ ） ：
在读（ READ ）指令包含地址码为MEM-
储器位置被读出。之后的指令和地址译码，从数据
选择存储位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化
用的串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是，一个
虚位（逻辑“0”）之前的8位或16位的数据输出字符串。该AT93C56A / 66A
支持顺序读操作。该设备将自动递增间
最终地址指针和时钟出下一个内存位置，只要片选（ CS ）
保持高电平。在这种情况下，哑位（逻辑“0” ），将不会同步输出之间MEM-
储器的位置，从而允许连续的数据流被读取。
擦/写（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，器件自动进入
擦除/写禁止（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写使能
（ EWEN ）指令必须先执行之前的任何编程指令可
执行。请注意，在EWEN状态一次，编程功能处于启用状态
直到EWDS指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）教学计划中规定的所有位
存储单元中的逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始后的
ERASE指令和地址进行解码。 DO引脚输出READY / BUSY
的一部分，如果CS的状态被保持低了至少250纳秒（T后拉高
CS
).
在销DO为逻辑“1”表示选定的存储器位置已被擦除，并
部分准备执行下一条指令。
5
3378F–SEEPR–04/04
QQ：2880707522 复制
