【特点低电压和标准电压工作– VCC= 1.7V至5.5V用户可选择的内部组织- 2K ： 256 ×】,IC型号AT93C56B-XHM-T,AT93C56B-XHM-T PDF资料,AT93C56B-XHM-T经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

低电压和标准电压工作

– V

= 1.7V至5.5V

用户可选择的内部组织

- 2K ： 256 ×8或128 ×16

- 4K ： 512 ×8或256 ×16

三线串行接口

连续读操作

2MHz的时钟速率（5V）

自定时写周期（ 5ms的最大值）

高可靠性

- 耐力：一百万次擦写循环

- 数据保存：100年

8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚TSSOP封装， 8引脚UDFN ， 8引脚XDFN和8球VFBGA

套餐

三线

串行电

可擦写

可编程

只读存储器

2K （ 256× 8或128 ×16 ）

4K （512 ×8或256 ×16）个

描述

爱特梅尔

AT93C56B / 66B提供四千〇九十六分之二千〇四十八位串行电可擦除的亲

可编程只读组织为每16比特128/256字存储器（EEPROM）中

（当ORG引脚连接到V

），以及每8位256/512话（当

ORG引脚接地）。所述装置被用于许多工业和商业用的优化

CIAL应用中的低功率和低电压操作是必不可少的。该

AT93C56B / 66B可在节省空间的8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚TSSOP封装， 8引脚

UDFN ， 8引线XDFN ，和8球VFBGA包。

该AT93C56B / 66B ，通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由访问

三线串行接口，包括数据输入（ DI ），数据输出（ DO ）和移位时钟

（SK）。在接收到读指令时的DI ，地址解码和数据的时钟

从串行数据输出引脚， DO 。写周期是完全自定时，也没有sep-

在写入前擦除独的周期是必需的。当器件处于写周期时，才会启用

擦除/写使能状态。当

被拉高之后写的开始

周期， DO引脚输出部分的就绪/忙状态。

该AT93C56B / 66B工作在1.7V至5.5V 。

8引脚SOIC

8引脚TSSOP

VCC

ORG

GND

VCC

ORG

GND

爱特梅尔AT93C56B

爱特梅尔AT93C66B

图0-1 。

引脚名称

GND

VCC

ORG

销刀豆网络gurations

功能

芯片选择

串行数据时钟

串行数据输入

串行数据输出

地

8引线UDFN

VCC

ORG

GND

8引线XDFN

VCC

ORG

GND

8球VFBGA

VCC

ORG

GND

底部视图

电源

内设机构

无连接

8735A–SEEPR–1/11

底部视图

绝对最大额定值*

工作Temperature55C至+ 125C

储存温度

65C

至+ 150°C

任何引脚电压

相对于地面

1.0V

至+ 7.0V

最大工作电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6.25V

直流输出电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5.0毫安

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

该设备。这是一个额定值只和功能

该器件在这些或任何其他条件操作

超出的业务部门所标明

本规范是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会

影响器件的可靠性。

图1-1 。

框图

VCC

GND

存储阵列

ORG

256/512 x 8

128/256 x 16

地址

解码器

数据

模式

解码

逻辑

产量

卜FF器

时钟

发电机

注意：

当ORG引脚连接到V

中，x 16组织被选中。当它被连接到地，在x 8组织

被选中。如果ORG引脚悬空，应用程序不会加载输入超出了内部的能力

上拉电阻，那么x 16组织被选中。

爱特梅尔AT93C56B / 66B

8735A–SEEPR–1/11

爱特梅尔AT93C56B / 66B

表1-1 。

引脚电容

(1)

适用在推荐的工作范围从T

= 25 ° C，F = 1.0MHz的，V

= + 5.0V （除非另有说明）

符号

OUT

注意事项：

测试条件

输出电容（ DO）的

输入电容（ CS ， SK ， DI ）

1.此参数的特点，而不是100 ％测试

最大

单位

条件

OUT

= 0V

表1-2。

DC特性

适用在推荐的工作范围从T

= -40 ° C至+ 85°C ，V

= + 1.7V至+ 5.5V （除非另有说明）

符号

CC1

CC2

CC3

SB1

SB2

SB3

IL1

(1)

IH1

(1)

IL2

(1)

IH2

(1)

OL1

OH1

OL2

OH2

注意事项：

参数

电源电压

读得1.0MHz

电源电流

待机电流

输入漏

输出漏

输入低电压

输入高电压

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

输出低电压

输出高电压

= 5.0V

= 1.7V

= 2.5V

= 5.0V

= 0V至V

2.5V

5.5V

1.7V

2.5V

5.5V

1.7V

2.5V

= 2.1毫安

0.4mA

= 0.15毫安

100A

0.2

2.4

0.2

0.6

2.0

0.6

x 0.7

写在1.0MHz的

CS = 0V

测试条件

民

1.7

2.5

4.5

0.5

0.4

6.0

10.0

0.1

典型值

最大

5.5

2.0

1.0

10.0

15.0

3.0

0.8

+ 1

x 0.3

+ 1

0.4

单位

1. V

分钟和V

最多只能是参考，未经测试

8735A–SEEPR–1/11

表1-3 。

AC特性

适用在推荐的工作范围从T

40 ° C至+ 85°C ，V

=符合规定， CL = 1 TTL门和100pF电容

（除非另有说明）

符号

参数

SK时钟频率

测试条件

4.5V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

相对于SK

AC测试

CS = V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

2.5V

5.5V

1.7V

5.5V

民

250

1000

250

1000

250

1000

200

100

400

100

400

典型值

最大

0.25

单位

兆赫

圣公会

SKL

CSS

DIS

CSH

DIH

PD1

PD0

耐力

(1)

注意事项：

SK高时间

SK低电平时间

最低CS低电平时间

CS建立时间

DI建立时间

CS保持时间

DI保持时间

输出延迟到1

输出延迟为0

CS为有效状态

CS做

高阻抗

写周期时间

5.0V ，25°C

250

1000

250

1000

250

1000

150

400

写

周期

1,000,000

1.此参数的特点，而不是100 ％测试

爱特梅尔AT93C56B / 66B

8735A–SEEPR–1/11

爱特梅尔AT93C56B / 66B

表1-4 。

指令集为爱特梅尔AT93C56B和爱特梅尔AT93C66B

CODE

地址

– A

11XXXXXXX

– A

10XXXXXXX

01XXXXXXX

00XXXXXXX

x 16

– A

11XXXXXX

– A

10XXXXXX

01XXXXXX

00XXXXXX

– D

数据

x 16

读在指定的地址存储在内存中的数据

写使能必须在前面所有的编程模式

擦除存储单元中的

– A

写入存储单元中的

– A

删除所有存储位置。只适用于

= 4.5V至5.5V

将所有内存位置。只适用于

= 5.0V ±10％，并禁止寄存器清零

禁用所有的程序指令

指令

读

EWEN

抹去

写

ERAL

WRAL

EWDS

注意：

对XS在地址栏中表示“不关心”的价值观，而且必须定时

功能说明

爱特梅尔

AT93C56B / 66B是通过一个简单而通用的三线串行通信接口访问。设备

操作是通过由主处理器发出七个指令控制。

有效的指令开始的上升沿

CS ，

与由后跟适当的操作码和所需的存储器地址位置的起始位（逻辑1 ）的。

读（READ ）：

读（读出）的指令包含要读取的存储器单元中的地址码。后

指令和地址译码，从所选择的存储单元的数据可在串行输出引脚，DO 。

输出数据的变化与国税发串行时钟， SK的上升沿同步。但是应当注意的是，一个虚拟位

（逻辑0 ）之前的8位或16位数据输出字符串。该AT93C56B / 66B支持顺序读操作。该

只要设备将自动递增内部地址指针和时钟输出的下一个内存位置的芯片

选择（ CS ）保持高电平。在这种情况下，哑位（逻辑0 ）将不会被同步输出的存储单元之间，从而

允许连续的数据流被读取。

擦除/写使能（ EWEN ）：

为了保证数据的完整性，器件自动进入擦除/写入禁止

（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写使能（ EWEN ）指令必须首先之前的任何执行

编程指令可以被执行。请注意，在EWEN状态一次，编程保持启用状态，直到

一个EWDS指令被执行或V

电源从部分除去。

擦除（ ERASE ）：

擦除（ ERASE ）教学计划的所有位在指定的存储单元中的逻辑 - 1

状态。自定时擦除周期开始一次ERASE指令和地址进行解码。 DO引脚输出

的一部分，如果CS的准备/繁忙状态被保持在较低水平最少为250ns （T后拉高

）。脚做一个逻辑一

表示被选择的存储位置已被删除，部分已准备好执行下一条指令。

WRITE （写）：

写入（ WRITE）指令包含的8位或16位数据被写入到指定的存储器

位置。自定时编程周期，T

，启动后数据的最后一位在串行数据输入管脚DI被接收。在DO

引脚输出部分的准备/繁忙状态，如果CS被维持在低水平最少为250ns （T之后变为高电平

). A

逻辑零DO表明编程仍在进行中。逻辑1表示该内存位置的

指定的地址已经写入与包含在指令中的数据模式和部分是准备用于进一步

指令。

如果CS是自定时编程结束后所带来的高一准备/繁忙状态无法得到

周期，T

全部清除（ ERAL ）：

擦除所有（ ERAL ）指令的程序存储器阵列的逻辑，一个国家在每一个位，并

主要用于测试目的。 DO引脚输出部分的准备/繁忙状态，如果CS正在后拉高

保持低电平至少为250ns （叔

）。 ERAL指令只适用于V

= 5.0V

10%.

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