特点
中等电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V ）
汽车级温度范围-40 ° C至125°C
用户可选择的内部组织
- 2K ： 256 ×8或128 ×16
- 4K ： 512 ×8或256 ×16
三线串行接口
连续读操作
2 MHz的时钟速率
自定时写周期（最大10 ms ）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
提供无铅/无卤设备
8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
描述
该AT93C56A / 66A提供四千零九十六分之二千零四十八比特的串行电可擦除编程的
序的只读存储器（EEPROM） 。该EEPROM由128/256话
16位各当ORG引脚连接到VCC和8位256/512字
每当它被连接到地。该装置被用在许多汽车优化
应用中的低功率和低电压操作是必不可少的。该
AT93C56A / 66A可在节省空间的8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP
包。
该AT93C56A / 66A通过片选（ CS）引脚使能，并通过访问
三线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，并移
时钟（SK） 。在接收到读指令时的DI ，地址解码和
数据同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全
自定时的写操作之前无需单独的擦除周期。写周期仅
当启用该部分是在擦/写使能状态。当CS变为高电平
下面的写周期开始时， DO引脚输出的Ready / Busy状态
的部分。
该AT93C56A / 66A是在2.7V至5.5V的版本。
表1中。
引脚配置
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
8引脚TSSOP
8引脚SOIC
三线
汽车
温度
串行
EEPROM的
2K （ 256× 8或128 ×16 ）
4K （512 ×8或256 ×16）个
AT93C56A
AT93C66A
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
串行数据输出
地
电源
内设机构
不连接
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
牧师5091D - SEEPR - 2/07
1
绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
图1 。
框图
注意：
当ORG引脚连接到VCC时，“ ×16 ”组织被选中。当它被连接到地，所述“×8 ”组织
化选择。如果ORG引脚悬空，应用程序不会加载输入之外的能力
内部1兆欧姆的上拉，那么“ ×16 ”组织被选中。
2
AT93C56A/66A
5091D–SEEPR–2/07
AT93C56A/66A
功能说明
该AT93C56A / 66A通过一个简单而通用的三线串行通讯访问
阳离子界面。设备的操作是由主机发出的7指示控制
处理器。
有效的指令开始与CS的上升沿
它由一个起始位
后跟适当的操作码和所需的存储器地址（逻辑“1”）
位置。
表4 。
指令集为AT93C56A和AT93C66A
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
SB
1
1
1
1
1
Op
CODE
10
00
11
01
00
地址
x8
A
8
– A
0
11XXXXXXX
A
8
A
0
A
8
A
0
10XXXXXXX
x 16
A
7
A
0
11XXXXXX
A
7
A
0
A
7
A
0
10XXXXXX
D
7
D
0
D
15
D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据，在
指定的地址
写使能必须在前面所有
编程模式
擦除存储单元中的
n
A
0
写入存储单元中的
n
A
0
删除所有存储位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V
D
7
D
0
D
15
D
0
将所有内存位置。有效
只有在V
CC
= 5.0V ± 10 ％和禁用
寄存器清零
禁用所有的程序指令
WRAL
EWDS
注意：
1
1
00
00
01XXXXXXX
00XXXXXXX
01XXXXXX
00XXXXXX
在X的地址字段中的表示
不在乎
值，必须提供时钟。
读（READ ） ：
在读（ READ ）指令包含地址码为MEM-
储器位置被读出。之后的指令和地址译码，从数据
选择存储位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化
用的串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是，一个
虚位（逻辑“0”）之前的8位或16位的数据输出字符串。该AT93C56A / 66A
支持顺序读操作。该设备将自动递增间
最终地址指针和时钟出下一个内存位置，只要片选（ CS ）
保持高电平。在这种情况下，哑位（逻辑“0” ），将不会同步输出之间MEM-
储器的位置，从而允许连续的数据流被读取。
擦除/写使能（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，部分自动进入
进入擦除/写禁止（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写
使能（ EWEN ）指令必须先前的任何编程指令被执行
就可以进行。请注意，一旦在EWEN状态，编程遗体
启用直到EWDS指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）教学计划中规定的所有位
存储单元中的逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始后的
擦除指令和地址进行解码。 DO引脚输出就绪/忙状态
的一部分，如果CS被保持低至少250纳秒（T后拉高
CS
). A
逻辑“1”，在销DO表示选定的存储器位置已被擦除，并且
一部分是准备执行下一条指令。
5
5091D–SEEPR–2/07
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