特点
低电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V ）
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V ）
用户可选择的内部组织
- 1K ： 128 ×8或64 ×16
- 2K ： 256 ×8或128 ×16
- 4K ： 512 ×8或256 ×16
三线串行接口
2 MHz的时钟速率（ 5V ）
自定时写周期（最大10 ms ）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
汽车级，扩展级温度和无铅/无卤
可用设备
8引脚PDIP ， 8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚SOIC EIAJ ， 8引脚（MAP）， 8引脚TSSOP封装，
和8球dBGA2包
三线
串行
EEPROM的
1K （ 128 ×8或64 ×16 ）
2K （ 256× 8或128 ×16 ）
4K （512 ×8或256 ×16）个
描述
在AT93C46 / 56/ 66提供1024/2048/4096位串行电可擦除的亲
可编程只读存储器（EEPROM） ，组织成16位64/128/256字
每（当ORG引脚连接到VCC ） ，和文字128/256/512 8位每
（当ORG引脚接地） 。该设备是在许多行业应用进行了优化
试验和商业应用中，低功率和低电压操作
必不可少的。在AT93C46 / 56/ 66是提供节省空间的8引脚PDIP ， 8引脚
JEDEC SOIC ， 8引脚SOIC EIAJ ， 8引脚MAP ， 8引脚TSSOP封装，以及8引脚dBGA2
包。
在AT93C46 / 56/ 66至片选引脚（ CS）已启用，并通过访问
三线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，并移
时钟（SK） 。在接收到读指令时的DI ，地址解码和
数据同步输出连续的DO引脚。写周期是完全自定时，
而在写入前不需要单独的擦除周期。写周期时，才会启用
当器件处于擦除/写使能状态。当CS变为高电平以下
一个写周期的开始， DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。
在AT93C46 / 56/ 66是在2.7V至5.5V和1.8V至5.5V的版本。
表1中。
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
8-lead
PDIP
CS
SK
DI
DO
AT93C46
AT93C56
(1)
AT93C66
(2)
注：1.本设备是不推荐
谁料用于新设计。
请参阅AT93C56A 。
2.此设备是不推荐
谁料用于新设计。
请参阅AT93C66A 。
8引脚SOIC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
8-lead
dBGA2
VCC
DC
ORG
GND
8
7
6
5
1
2
3
4
CS
SK
D1
D0
串行数据输出
地
电源
内设机构
不连接
VCC
DC
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
DC
VCC
CS
SK
8引脚SOIC
旋转（ R）
（仅1K JEDEC ）
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
GND
DO
DI
8-lead
地图
8
7
6
5
1
2
3
4
8-lead
TSSOP
CS
SK
DI
DO
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
ORG
GND
0172Z–SEEPR–9/05
1
绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级，并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
图1 。
框图
注意：
当ORG引脚连接到VCC时，“ ×16 ”组织被选中。当它是
连接到地时， “×8 ”的组织被选中。如果ORG引脚保持不整合
已连接的应用程序不会加载输入超过1内部的能力
兆欧姆的上拉，那么“ ×16 ”的组织被选中。该功能是不可用的
在1.8V器件。
对于AT93C46 ，如果“× 16”的组织是选择和管脚6（ ORG）的模式是向左
未连接，爱特梅尔建议使用AT93C46A设备。有关详细信息，请参阅
AT93C46A数据表。
2
AT93C46/56/66
0172Z–SEEPR–9/05
表4 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
=
40°C
至+ 85°C ，V
CC
=符合规定，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明）
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
f
SK
SK时钟
频率
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
相对于SK
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
0
0
0
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
50
50
200
100
100
400
0
100
100
400
2
1
0.25
兆赫
t
圣公会
SK高时间
ns
t
SKL
SK低电平时间
ns
t
CS
最低CS
低电平时间
ns
t
CSS
CS建立时间
ns
t
DIS
t
CSH
t
DIH
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
相对于SK
相对于SK
相对于SK
ns
ns
ns
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
100
100
400
10
t
PD1
输出延迟到
“1”
输出延迟到
“0”
CS到状态
有效
CS为高DO
阻抗
AC测试
ns
t
PD0
AC测试
ns
t
SV
AC测试
ns
t
DF
AC测试
CS = V
IL
ns
ms
ms
写周期
t
WP
耐力
(1)
注意：
写周期时间
5.0V ，25°C
0.1
1M
3
1.此参数的特点，而不是100％测试。
4
AT93C46/56/66
0172Z–SEEPR–9/05
AT93C46/56/66
表5 。
指令集的AT93C46
Op
CODE
10
00
11
01
00
00
00
地址
x8
A
6
– A
0
11XXXXX
A
6
– A
0
A
6
– A
0
10XXXXX
01XXXXX
00XXXXX
x 16
A
5
– A
0
11XXXX
A
5
– A
0
A
5
– A
0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据，在
指定的地址
写使能必须在前面所有
编程模式
擦除存储单元中的
n
– A
0
写入存储单元中的
n
– A
0
删除所有存储位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V
将所有内存位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V
禁用所有的程序指令
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
注意：
SB
1
1
1
1
1
1
1
对XS在地址栏中代表
不在乎
值，必须提供时钟。
表6 。
指令集的AT93C56
(1)
与AT93C66
(2)
Op
CODE
10
00
11
01
00
地址
x8
A
8
– A
0
11XXXXXXX
A
8
– A
0
A
8
– A
0
10XXXXXXX
x 16
A
7
– A
0
11XXXXXX
A
7
– A
0
A
7
– A
0
10XXXXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据，在
指定的地址
写使能必须在前面所有
编程模式
擦除存储单元中的
n
– A
0
写入存储单元中的
n
– A
0
删除所有存储位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V
D
7
– D
0
D
15
– D
0
将所有内存位置。有效
只有在V
CC
= 5.0V ± 10 ％和禁用
寄存器清零
禁用所有的程序指令
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
SB
1
1
1
1
1
WRAL
EWDS
注意事项：
1
1
00
00
01XXXXXXX
00XXXXXXX
01XXXXXX
00XXXXXX
1.本设备不建议用于新设计。请参阅AT93C56A 。
2.此设备不建议用于新设计。请参阅AT93C66A 。
5
0172Z–SEEPR–9/05
QQ：2880707522 复制
